作者：電子發(fā)燒友 黃晶晶
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在中國大力發(fā)展存儲芯片的半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境下，可能很多人不知道，東芯半導體是目前國內唯一可以同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片設計公司。

東芯的三類存儲產(chǎn)品定位不同，其中NOR Flash定位中高端、大容量。NAND Flash定位中低容量，DRAM也是中低容量。主要應用在嵌入式行業(yè)，包括通信光貓、監(jiān)測、智能音箱、可穿戴產(chǎn)品、4G模塊等等，以及智能手機、電視機、機頂盒，還有未來的無人駕駛，邊緣計算等。據(jù)悉，東芯半導體已經(jīng)與國內最大的通信公司達成合作，在2016年底開始大規(guī)模出貨。



“我們避開了三星、美光等行業(yè)巨頭，不與他們直接競爭。這些巨頭的存儲芯片主要是大容量存儲，我們的策略是國際巨頭逐步要放棄的市場。據(jù)估算，這個市場的份額在100億美金左右，其中70%的市場在中國。因此這個市場足夠大，我們利用本土優(yōu)勢更貼近市場。”東芯半導體總經(jīng)理王超分析說東芯的產(chǎn)品定位非常清晰，就是要巨頭退出的市場，切入國產(chǎn)芯片進行替代。

中低容量存儲不等于低端產(chǎn)品。產(chǎn)品方面，東芯半導體于2014年12月聯(lián)合中芯國際共同開發(fā)了24nm的NAND Flash，于2015年10月成功流片國內首顆38nm1Gb SPI NAND芯片，于2016年7月成功流片國內首顆24nm4Gb SLC NAND芯片，于2017年9月成功流片國內首顆38nm2Gb SPI NAND，使得中國存儲芯片設計能力與國際先進的差距不斷縮小。



王超解析，大容量主要用于數(shù)據(jù)存儲，中低容量用于程序存儲、運算，這類存儲對可靠性要求更高，同時工藝水平已經(jīng)發(fā)展到極限，也就是2X納米的2D NAND。目前東芯中低容量NAND的設計水平已與國際水平相當，并在國內保持領先。

2016年存儲行業(yè)開啟了大缺貨時期，存儲芯片價格爆漲。顯然，東芯也受益了這波上漲的市場行情。如今存儲芯片價格下跌，王超表示，早在去年初他們已經(jīng)對下跌的形勢有所預警，并提前做好準備，因此受影響程度不大。反而更關注存儲市場未來的爆發(fā)機會。

王超說，東芯在產(chǎn)品規(guī)劃上面也制定了五年戰(zhàn)略，將繼續(xù)專注中低容量存儲，目標是做到國內市場份額的三分之一以上。針對車規(guī)級存儲，計劃三年內進軍車規(guī)市場。目前，公司已完成A輪融資，引入了中芯聚源、中金鋒泰等戰(zhàn)略股東。三年內也希望借助資本助力將企業(yè)規(guī)模做大做強。