隨著NAND技術(shù)不斷發(fā)展，閃存密度越來越高，1TB固態(tài)硬盤的價(jià)格已經(jīng)接近240GB固態(tài)+1TB機(jī)械硬盤搭配的價(jià)格。而伴隨固態(tài)硬盤價(jià)格的下降，機(jī)械硬盤也逐漸淡出了消費(fèi)級硬盤市場，固態(tài)硬盤取而代之成為主流硬盤之選。那到底機(jī)械硬盤一路走來經(jīng)歷了什么？

01

傳輸性能羸弱

從IBM發(fā)布第一個(gè)機(jī)械硬盤至今，溫徹斯特硬盤的機(jī)械硬盤結(jié)構(gòu)就從未在根本上改變。即使是如今采用HAMR技術(shù)的10碟機(jī)械硬盤，其主要結(jié)構(gòu)也依然是磁臂、磁頭、磁盤和轉(zhuǎn)軸。

盡管通過提高電機(jī)轉(zhuǎn)速、磁盤精度和緩存大小的方法依然可以提高傳輸性能，堆疊盤片也能繼續(xù)提高硬盤容量，但硬盤功耗限制了電機(jī)轉(zhuǎn)速上限，磁盤精度也終究觸碰物理極限，較長的尋道時(shí)間帶來的高延遲更是讓其在系統(tǒng)盤的競爭中被判決了死刑。

02

Raid磁盤陣列續(xù)命

提到機(jī)械硬盤極限就必須得說Raid（磁盤陣列）。磁盤陣列最初是用于組合小容量硬盤為大容量存儲，降低大容量存儲成本。

磁盤陣列可以說是象征一個(gè)時(shí)代的技術(shù)，基本分為Raid0和Raid1。Raid1用于備份數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)安全性，而Raid0則是翻倍提升硬盤傳輸速度，這樣的做法讓機(jī)械硬盤的持續(xù)讀寫性能成功突破機(jī)械硬盤200MB/s的極限。

03

固態(tài)硬盤突破速度極限

即使是突破極限的機(jī)械硬盤也終歸不敵時(shí)代的變遷。固態(tài)硬盤結(jié)構(gòu)擺脫了電機(jī)對功耗的限制，剔除了尋道時(shí)間帶來的高延時(shí)和低隨機(jī)讀寫性能，固態(tài)硬盤本身甚至繼承了raid0的運(yùn)作模式展現(xiàn)強(qiáng)大的持續(xù)讀寫性能。

主控算法讓固態(tài)硬盤的寫入壽命滿足五年以上的基本需求，3D NAND技術(shù)讓顆粒密度快速提升，價(jià)格也跟隨技術(shù)不斷成熟而下降。如今使用PCIe3.0x4通道的M.2 NVMe固態(tài)硬盤，其讀寫速度已經(jīng)達(dá)到GB級別。

也許機(jī)械硬盤在超大容量存儲的市場上仍具有容量密度和價(jià)格的優(yōu)勢，但是對于非資料盤來說，固態(tài)硬盤已經(jīng)是無可厚非的首選。與1TB機(jī)械硬盤相比，1TB固態(tài)硬盤帶來的游戲體驗(yàn)要好上許多。目前臺電大容量固態(tài)硬盤已覆蓋NVMe、SATA等多種規(guī)格，最大提供2TB容量版本，滿足不同的容量和性能需求。