根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)導(dǎo)，曾表示目前制程技術(shù)還用不上EUV技術(shù)的各大DRAM廠在目前DRAM價(jià)格直直落，短期看不到止跌訊號(hào)的情況下，也頂不住生產(chǎn)成本的壓力，開(kāi)始考量導(dǎo)入EUV技術(shù)，以降低生產(chǎn)成本。南韓三星將在2019 年底前正式導(dǎo)入。

報(bào)導(dǎo)指出，為了應(yīng)付半導(dǎo)體制程微縮，因此有了EUV設(shè)備與技術(shù)。使用EUV 技術(shù)后，除了同樣制程的情況下，可將電晶體密度提升，同頻率下功耗降低，且因?yàn)橹瞥涛⒖s，使得單位位元數(shù)產(chǎn)出增加，降低光罩用量，如此就可降低成本。不過(guò)EUV設(shè)備昂貴，過(guò)去DRAM價(jià)格居高不下的時(shí)期，各家DRAM廠商擴(kuò)大產(chǎn)能都來(lái)不及，暫時(shí)不考慮目前制程導(dǎo)入EUV技術(shù)。但市況大不如前，導(dǎo)致想法改變。

根據(jù)市場(chǎng)研究調(diào)查單位DRAMeXchange的研究資料顯示，當(dāng)前DRAM市場(chǎng)供給過(guò)剩導(dǎo)致價(jià)格不斷下跌的情況持續(xù)。對(duì)此，DRAM廠雖然盡量減產(chǎn)，但仍然無(wú)法讓價(jià)格明顯止跌。因此，唯一能維持獲利的方法就是微縮制程來(lái)降低單位生產(chǎn)成本。不過(guò)，DRAM制程向1z 納米或1α 納米制程推進(jìn)的難度愈來(lái)愈高，隨著EUV量產(chǎn)技術(shù)獲得突破，將可有效降低DRAM的生產(chǎn)成本。

報(bào)導(dǎo)指出，基于以上的原因，南韓三星預(yù)期在2019年11月開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV 技術(shù)的1z 納米DRAM，量產(chǎn)初期將與三星晶圓代工共用EUV設(shè)備，初期使用量雖不大，但卻等于宣示DRAM微影技術(shù)會(huì)開(kāi)始向EUV的方向發(fā)展。至于，SK海力士及美光也已經(jīng)表明，現(xiàn)階段開(kāi)始評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)的需求。對(duì)此，業(yè)界預(yù)期將，可能在1α 納米或1β 納米世代開(kāi)始真正導(dǎo)入。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步表示，三星的1z 納米屬于第三代10納米級(jí)的制程，10納米級(jí)的制程并不是10納米制程，而是由于20納米制程節(jié)點(diǎn)之后的DRAM制程升級(jí)變得困難，所以DRAM記憶體制程的線寬指標(biāo)不再那么精確，于是有了1x 納米、1y 納米及1z 納米等制程節(jié)點(diǎn)之分。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，1x 納米制程相當(dāng)于16 到19 納米，1y 納米制程相當(dāng)于14到16納米，1z 納米制程則是大概為12到14納米制程的等級(jí)，而在這之后還有1α 及1β 納米制程節(jié)點(diǎn)。

由于，先進(jìn)制程采用EUV微影技術(shù)已是趨勢(shì)，在臺(tái)積電2019第2季量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術(shù)的7納米加強(qiáng)版制程，并且獲得客戶(hù)訂單之后，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的晶圓代工也采用EUV量產(chǎn)7納米制程，英特爾則是預(yù)期2021年量產(chǎn)的7納米制程將會(huì)首度導(dǎo)入EUV技術(shù)。而隨著制程持續(xù)推進(jìn)至5納米或3納米節(jié)點(diǎn)之后，預(yù)期對(duì)EUV的需求也會(huì)越來(lái)越大，屆時(shí)EUV設(shè)備已將成為半導(dǎo)體軍備競(jìng)賽中不可或缺的要項(xiàng)。