由***中央大學光電系陳升暉教授帶領的萌芽新創(chuàng)團隊Microluce近期發(fā)表Micro LED磊晶技術，透過高能物理在低溫狀態(tài)下即可長出高品質氮化鎵薄膜，完全拋棄主流的巨量轉移制程，成本僅是現(xiàn)有微發(fā)光二極體顯示器的十分之一，具有量產潛力，相關技術已獲得了***及美國專利。

巨量轉移是現(xiàn)今Micro LED顯示器最重要的步驟，已發(fā)展近十年，但該團隊認為巨量轉移是錯誤方向，主要因現(xiàn)今的LED晶粒須覆晶制程及結構弱化等程序，藍綠光材料是氮化鎵，紅光材料是砷化鎵，兩種材料的驅動電壓不同，驅動電路將造成困難，尤其成本考量上，壞點修復問題不易克服，因此難以量產。

該團隊透過高能物理的方式，突破以往一千度以上的高溫限制，在低溫狀態(tài)下即可長出高品質的氮化鎵薄膜，溫度可控制在500至700度左右；面版尺寸可從2英吋至12英吋，可隨著制程設備等比例放大，并結合大數(shù)據(jù)分析，找出最佳磊晶模式。

現(xiàn)今巨量轉移2K畫素的MicroLED面板成本高于33萬臺幣，該團隊自主開發(fā)的磊晶板，搭配奈米材料技術可達到全彩化的微發(fā)光二極體顯示效果，一片面板的成本僅現(xiàn)有的十分之一，深具量產潛力。