在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以滿足各行業(yè)對(duì)高功率密度和能效解決方案日益增長(zhǎng)的需求。

新推出的SiC MOSFET模塊采用強(qiáng)大的平面技術(shù)制造，具備耐用的柵氧化物結(jié)構(gòu)，并集成了可靠的體二極管，從而顯著提升了其性能和穩(wěn)定性。每個(gè)模塊均采用三相橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，配備分開(kāi)的直流負(fù)極端子、壓配終端連接以及Kelvin源連接，這些設(shè)計(jì)確保了模塊在實(shí)際使用中的電氣性能穩(wěn)定和信號(hào)完整性。

SemiQ的這些高速度開(kāi)關(guān)模塊具有卓越的熱性能和電氣性能，表現(xiàn)為低開(kāi)關(guān)損耗和最低的結(jié)到殼體熱阻。每個(gè)模塊都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試，以確保其在高壓環(huán)境下的可靠性，包括在超過(guò)1350 V的操作條件下的測(cè)試，以及全面的100%晶圓級(jí)老化(WLBI)測(cè)試。這些測(cè)試確保了模塊在苛刻條件下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性。

這些新型模塊特別適用于廣泛的高性能應(yīng)用場(chǎng)景，包括交流/直流轉(zhuǎn)換器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)快充基礎(chǔ)設(shè)施、電池充電單元、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、功率因數(shù)校正升壓轉(zhuǎn)換器、感應(yīng)加熱和焊接設(shè)備、可再生能源系統(tǒng)以及不間斷電源(UPS)等。模塊設(shè)計(jì)能夠在高達(dá)175°C的結(jié)溫下運(yùn)行，并支持直接安裝到散熱器上，使其在熱受限的環(huán)境中也能輕松集成。

初始產(chǎn)品線包括三種變體，具體為：20 mΩ(GCMX020A120B2T1P)、40 mΩ(GCMX040A120B2T1P)和80 mΩ(GCMX080A120B2T1P)。這些變體的功耗評(píng)級(jí)分別為263 W、160 W和103 W，且每個(gè)變體均可承載29 A至30 A的連續(xù)漏電流，脈沖漏電流最高可達(dá)70 A。這些模塊還提供高效的開(kāi)關(guān)性能，開(kāi)通開(kāi)關(guān)能量范圍在0.1 mJ至0.54 mJ之間，關(guān)斷開(kāi)關(guān)能量則在0.02 mJ至0.11 mJ之間。其開(kāi)關(guān)時(shí)間，包括開(kāi)通延遲、上升、關(guān)斷延遲和下降時(shí)間，范圍在56 ns至105 ns之間，展現(xiàn)出卓越的響應(yīng)能力。

SemiQ的新系列1200 V SiC MOSFET六合一模塊代表了公司在高效電源解決方案領(lǐng)域的最新進(jìn)展，結(jié)合先進(jìn)的技術(shù)和應(yīng)用需求，旨在為各行各業(yè)提供更高效、更可靠的電源管理解決方案。隨著市場(chǎng)對(duì)高功率密度和能效要求的不斷提升，這些新產(chǎn)品將為電力電子設(shè)備的未來(lái)發(fā)展注入動(dòng)力，助力實(shí)現(xiàn)更智能、更可持續(xù)的電力系統(tǒng)。

浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(jī)(MCU)、觸摸芯片，是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。