向欣電子文章

• AI基礎(chǔ)設(shè)施：高頻高速新材料全景圖2026-04-09 06:32

  

  AI大模型的爆發(fā)式迭代與全球算力集群的規(guī)?；ㄔO(shè)，正推動AI服務(wù)器、高速光模塊、高端交換機(jī)向超高帶寬、超低延遲、高密度方向持續(xù)躍遷。算力升級的本質(zhì)，是信號傳輸速率的指數(shù)級提升與芯片功耗密度的跨越式增長，

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• 低介電常數(shù)與高介電常數(shù)的高分子材料：從機(jī)理、結(jié)構(gòu)到應(yīng)用的全面解析2026-04-05 09:14

  

  0.引言在微電子與信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，高分子材料扮演著不可或缺的角色。其中，低介電常數(shù)（Low-k）和高介電常數(shù)（High-k）兩類材料因其截然相反的介電特性，分別服務(wù)于“信號高速傳輸”和“高效能量存儲”兩大核心需求。本文將從基本概念、形成機(jī)理、化學(xué)結(jié)構(gòu)、性能特征、應(yīng)用領(lǐng)域及主要生產(chǎn)商等多個維度，對這兩類材料進(jìn)行系統(tǒng)梳理。一、基本概念：何為介電常數(shù)？介電

  介電材料 低介電常數(shù) 材料 331瀏覽量

• “史上最嚴(yán)”充電寶新規(guī)出臺 | 國家標(biāo)準(zhǔn)GB 47372-2026《移動電源安全技術(shù)規(guī)范》4月3日正式發(fā)布2026-04-04 10:20

  

  由工業(yè)和信息化部組織制定的強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)GB47372-2026《移動電源安全技術(shù)規(guī)范》今天（4月3日）正式發(fā)布。《技術(shù)規(guī)范》在原有的兩項通用強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)要求的基礎(chǔ)上明確了多項關(guān)鍵要求。移動電源包括便攜式移動電源和便攜式儲能電源，也就是俗稱的“充電寶”和“戶外電源”?！都夹g(shù)規(guī)范》要求強(qiáng)化電池本質(zhì)安全，在標(biāo)準(zhǔn)中引入針刺試驗，明確提升移動電源在高溫、過度充電、

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• 2026年7月1日（強(qiáng)制性3C認(rèn)證納入）正式實施| 《消費(fèi)電子散熱技術(shù)規(guī)范》2026-04-04 09:51

  

  《消費(fèi)電子散熱技術(shù)規(guī)范》（SJ/T11896-2026）發(fā)布：2026年2月（中國電子標(biāo)準(zhǔn)化研究院+CINNOResearch）實施：2026年7月1日（強(qiáng)制性，3C認(rèn)證納入）適用：手機(jī)、平板、筆記本、AR/VR、可穿戴等一、總則（1～3章）-標(biāo)準(zhǔn)編號：SJ/T11896-2026-術(shù)語：熱阻、結(jié)溫、表面溫度、均溫性、熱流密度、TIM、VC、氣凝膠、相變材料

  3C認(rèn)證 散熱 消費(fèi)電子 379瀏覽量

• IGBT的全面解析：構(gòu)成本質(zhì)、工作原理與范圍、關(guān)鍵特性、應(yīng)用指南2026-04-02 07:40

  

  以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關(guān)于IGBT的基礎(chǔ)概覽和應(yīng)用的指南-結(jié)合實踐經(jīng)驗，對相關(guān)信息做了系統(tǒng)性的梳理和整合，相關(guān)參考詳見文末-以下內(nèi)容僅供參考，具體內(nèi)容結(jié)合實際項目需要更改、拓展-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)交流（全文12,000字）-內(nèi)容有些多，分兩次發(fā)表導(dǎo)語：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），作為MOSFET和

  IGBT MOSFET 晶體管 2127瀏覽量

• 如何使用AI優(yōu)化PCBA熱源分布？2026-04-01 09:20

  

  通過AI技術(shù)優(yōu)化PCBA板上的熱源（各類元器件，如芯片、電阻、電容等）分布，核心目標(biāo)是精準(zhǔn)控制PCBA的最高溫度，同時降低熱應(yīng)力（避免因溫度梯度、熱膨脹不均導(dǎo)致的焊點(diǎn)開裂、PCB變形等問題）。這是典型的“多物理場+多目標(biāo)AI優(yōu)化”場景，既要兼顧熱性能，又不能違背PCBA的電氣、工藝約束，核心思路是**“電氣約束優(yōu)先+AI代理模型+多目標(biāo)尋優(yōu)”**，下面給出可

  AI PCBA 熱源 180瀏覽量

• 2026英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇究竟講了什么？ 單級OBC、SiC嵌入式PCB、SST/HVDC、48V/機(jī)器人/GaN驅(qū)動、可控柵驅(qū)2026-04-01 09:00

  

  2026年3月，英飛凌舉辦了2026寬禁帶開發(fā)者論壇?；仡櫿麄€議程，英飛凌這次并不是只在講器件性能本身，而是在系統(tǒng)層面串起了一條非常清晰的主線：電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施→AI數(shù)據(jù)中心供電→儲能與新能源→機(jī)器人驅(qū)動→EV充電系

  SiC 嵌入式 英飛凌 281瀏覽量

• 散熱革命！中科大造出 “垂直石墨烯 + 改性石蠟” 超級熱界面材料，導(dǎo)熱 789 W/m?K，芯片降溫超 50℃！2026-03-31 08:59

  

  你的手機(jī)發(fā)燙、電腦降頻、服務(wù)器過熱？這篇來自中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)朱彥武/葉傳仁團(tuán)隊、發(fā)表于頂刊《ACSNano》（2026年1月）的研究，可能就是下一代電子散熱的終極答案。一、行業(yè)痛點(diǎn)：高導(dǎo)熱與高柔順，魚與熊掌不可兼得？隨著AI芯片、5G基站、新能源汽車功率密度飆升（30W/cm²已成常態(tài)），熱界面材料（TIM）正遭遇“生死考驗”：傳統(tǒng)導(dǎo)熱墊：導(dǎo)熱低（10–20

  導(dǎo)熱 電子散熱 芯片 1898瀏覽量

• 理想i8平臺提升CLTC續(xù)航的“組合拳”：SiC器件與回路、全局PWM調(diào)制、電機(jī)分區(qū)冷卻、減速器潤滑體系、鐵芯退火工藝2026-03-31 08:32

  

  -關(guān)于理想i8SPD平臺從整車到芯片的全維解析-文字原創(chuàng)，素材來源：理想汽車、Infineon、NXP等-本篇為知識星球節(jié)選，完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布-2000+全球前瞻技術(shù)方案解析已上傳知識星球?qū)дZ：今天我們來聊聊理想汽車最新的SPD電驅(qū)平臺的最新技術(shù)方案和背后的思考。近兩年，整車?yán)m(xù)航指標(biāo)持續(xù)抬升，但行業(yè)在真實場景里遇到一個越來越"尖銳"的矛盾：臺架

  PWM sic器件 電驅(qū)動 1715瀏覽量

• 電驅(qū)動系統(tǒng)標(biāo)定全流程指南：從生產(chǎn)扭矩秩序、基礎(chǔ)參數(shù)，到 MTPA與弱磁、診斷架構(gòu)與模型化標(biāo)定閉環(huán)2026-03-30 07:41

  

  本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，詳細(xì)分布見目錄頁導(dǎo)語：今天聊聊電驅(qū)動系統(tǒng)的標(biāo)定，本篇，我們會把性能標(biāo)定、診斷標(biāo)定和駕駛性標(biāo)定放到同一條系統(tǒng)鏈路里，建立對標(biāo)定的二維坐

  整車 電機(jī) 驅(qū)動系統(tǒng) 964瀏覽量