硬度作為評價材料力學性能的重要指標，其測量和應用對于材料科學和工程領域具有重要意義。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-14 15:15
?3711次閱讀
近年IGBT這個專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè)，好像都涉及到了這個....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-12 15:00
?3191次閱讀
刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-12 11:41
?9823次閱讀
摻銻和摻磷硅單晶是兩種不同的半導體材料，它們的物理特性受到摻雜劑類型的影響。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 09:41
?3375次閱讀
通過超導線環(huán)的電流基本上可以在沒有任何電源的情況下永遠流動，因為它永遠不會損失任何能量?，F(xiàn)在，由于閉....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-07 10:03
?1736次閱讀
本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關系、共摻雜技術等知識，解釋了單晶硅....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-07 09:33
?4977次閱讀
固體激光器的工作物質有紅寶石、釹玻璃、釔鋁石榴石（YAG）等，是在作為基質的材料的晶體或玻璃中均勻的....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-03 11:41
?4321次閱讀
晶向：位錯腐蝕坑的形狀主要呈三角形腐蝕坑
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-03 10:08
?2384次閱讀
所謂波動是指振動在空間的傳播形式。波場中每點的物理狀態(tài)隨時間作周期性的變化，而在每瞬時，場中各點物理....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-02 11:43
?4613次閱讀
分凝吸雜由雜質的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域對雜質的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機制不同，分凝吸雜，吸雜區(qū)一....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-01 12:47
?2189次閱讀
在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 04-01 10:26
?2841次閱讀
在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-31 16:25
?9809次閱讀
拉曼光譜是一種功能強大且用途廣泛的分析技術，用于研究分子和材料樣品。該技術基于光的非彈性散射，也稱為....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-29 11:36
?2891次閱讀
在整個半導體制造過程中，微粒污染、靜電放電損壞以及與此相關聯(lián)的設備停機，是靜電帶來的三大問題。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-27 11:12
?2228次閱讀
根據(jù)晶體凝固生長與位錯形成、運動與增殖的理論，多晶硅錠中位錯存在兩種來源：原生和增殖。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-27 11:09
?2038次閱讀
隨著芯片特征尺寸的不斷減小，傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應的限制，難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-26 10:19
?9791次閱讀
無定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構成但沒有長....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-22 15:38
?5888次閱讀
我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當做腐蝕硅的氣體，XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體，而SF6常....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-21 15:06
?3506次閱讀
光鑷optical tweezers利用光來操縱小到單個原子的微觀物體。來自聚焦激光束的輻射壓力能夠....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-21 11:47
?2571次閱讀
電力電子技術在新能源汽車中應用廣泛，是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-21 10:08
?4041次閱讀
文本介紹了用光子連接懸浮在真空中的納米粒子，并控制它們之間的相互作用的實驗。這展示了一種在宏觀尺度上....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 11:47
?1777次閱讀
與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢撔凸饪棠z會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 11:36
?5954次閱讀
干涉圖是光學實驗中常見的現(xiàn)象，它反映了光波相互疊加形成的干涉條紋，展現(xiàn)了光的波動性質。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 11:05
?4207次閱讀
溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-20 10:19
?3247次閱讀
超構表面是近年來出現(xiàn)一種新型的光學器件，也被稱為超構器件。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-19 15:23
?2527次閱讀
在MEMS工藝中，常用的退火方法，如高溫爐管退火和快速熱退火（RTP）。RTP (Rapid The....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-19 15:21
?5091次閱讀
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-17 15:31
?2991次閱讀
本文從光刻圖案設計、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-17 14:33
?3542次閱讀
光的“顏色”通常通過作為波長 λ 函數(shù)的功率或強度分布來識別?？梢姽獾牟ㄩL范圍為約 400 nm 至....
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-17 14:23
?4033次閱讀
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
![的頭像]()
中科院半導體所 發(fā)表于 03-17 10:10
?5757次閱讀
