圖2-10為反激式電源主回路，它由開關管T、高頻變壓器T、二流二極管D和濾波器電容C構成。開關穩(wěn)壓電...

升壓式開關穩(wěn)壓電源的工作原理，可用圖2-6來說明，在開關管T導通期間，電感L兩端的電壓U等于輸入電壓U。...

這種電源的工作原理，可以借助于圖2-4來分析。當開關管T導通時，電源的輸入電壓U加電感L。電感中的電流i線性上...

開關穩(wěn)壓電源的工作原理用于激光器電源中，就構成開關激光器電源。開關型激光電源技術已成為一種廣泛采用的...

自晶體管器件誕生后，電子儀器及設備的直流供電大都由晶體管穩(wěn)壓電源來承擔。從遠離上看，已經(jīng)使用多年的這...

IGBT的保護措施，主要包括過壓保護和過流保護兩類。使用中，對于IGBT因關斷而產(chǎn)生的開關浪涌電壓，可以采用適...

在IGBT的柵極電路中，主要考慮的因素包括柵極電壓U的正、負及柵極電阻R的大小。它們對IGBT的導通電壓、開關時間...

IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉移特性和靜態(tài)開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，...

IGBT實在BDMOS型功率場效應管的基礎上發(fā)展起來的。在VDMOS結構的漏極側N+層下，增加一個P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構成...

VMOS管橋式電路如圖1-29所示，它由四只VMOS管組成，是一種很有用的電路。在這種電路中，可方便地采用脈沖變壓器...

VMOS管共漏極組態(tài)的驅動要比共源極組態(tài)的驅動困難些，但還是比雙極晶體管共集電極組態(tài)的驅動容易，當需要負載...

在VMOS管所有的工作方式中，共源極組態(tài)的驅動最簡單。因為VMOS管是電壓控制器件，輸入阻抗極高，可以由多重邏...

從BMOS管的等效電路（圖1-19）可以看出，VMOS管的輸入端是電容性的，其動態(tài)輸入阻抗與靜態(tài)輸入阻抗有很大的差別，直流輸入阻抗極高，但交流輸入阻抗隨頻率而變...

VMOS管電路也分為共源極、共柵極和共漏極三種組態(tài)。 ...

VMOS管的技術指示，通常用極限參數(shù)、靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)來表示。 ...

VMOS管是多數(shù)載流子器件，其結構及工作原理均不同與雙極晶體管（即普通晶體管）。雙極晶體管本質上是電流控制...

根據(jù)結構的不同，VMOS管分為兩大類:VVMOS管，即垂直導電V形槽MOS管；VDMOS管，即垂直導電雙擴散MOS管。 ...

激光器電源因激光器不同而異，每一種激光器必須有與其相應的電源。由于激光器的工作方式不同，在脈沖狀態(tài)下工作的，也有在連續(xù)狀態(tài)下工作的，因而...

典型工作電路 MAX1522, MA...

The single inductor and three Schottky diodes associated with this step-up converter derive +15V and -14V from a +5V source. The +15V output delivers as much as 200mA, with efficiencies up to 85% and about 44mV of output ripple. ...