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電子發(fā)燒友網(wǎng)>測(cè)量?jī)x表>半導(dǎo)體測(cè)試>

半導(dǎo)體測(cè)試

電子發(fā)燒友網(wǎng)半導(dǎo)體測(cè)試內(nèi)容涉及半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)、半導(dǎo)體封裝測(cè)試、半導(dǎo)體測(cè)試儀器以及半導(dǎo)體分裝測(cè)試,專為半導(dǎo)體測(cè)試工程師提供技術(shù)知識(shí)的優(yōu)秀平臺(tái)。

半導(dǎo)體廠商如何做芯片的出廠測(cè)試

半導(dǎo)體廠商如何做芯片的出廠測(cè)試呢,這對(duì)芯片來(lái)說(shuō),是流片后或者上市前的必須環(huán)節(jié)。...

2016-06-18 標(biāo)簽:芯片測(cè)試半導(dǎo)體廠商芯片測(cè)試 16117

想了解STM32,看這一篇就夠了

STM32系列是ST推出的熱門(mén)MCU產(chǎn)品,由于強(qiáng)項(xiàng)的性能和便捷的開(kāi)發(fā)環(huán)境,受到行內(nèi)大大好評(píng),在推出短短幾年間,銷量突破20億,本文對(duì)其發(fā)展及產(chǎn)品系列做了個(gè)詳細(xì)的介紹。 ...

2016-05-06 標(biāo)簽:mcuSTSTM32 34776

AMD和南通富士通微電子股份有限公司完成半導(dǎo)體封裝測(cè)試合資公司交易

AMD總裁兼首席執(zhí)行官蘇姿豐博士(Dr. Lisa Su)表示:“AMD在檳城與蘇州擁有世界級(jí)團(tuán)隊(duì)和一流的設(shè)施,而在增長(zhǎng)的封裝測(cè)試市場(chǎng)里,南通富士通微電子股份有限公司具有豐富的專業(yè)知識(shí),二者強(qiáng)...

2016-05-05 標(biāo)簽:amd封裝測(cè)試amd富士通微電子封裝測(cè)試 5011

如何用示波器正確測(cè)量電源紋波

如何用示波器正確測(cè)量電源紋波

電源紋波測(cè)試在電源質(zhì)量檢測(cè)中是很重要的一項(xiàng)參數(shù)。由于直流穩(wěn)壓電源一般是由交流電源經(jīng)整流、濾波、穩(wěn)壓等環(huán)節(jié)而形成的,這就不可避免地在直流電壓中多少帶有一些交流分量,這種疊加...

2016-04-07 標(biāo)簽:測(cè)試測(cè)量示波器紋波半導(dǎo)體測(cè)試電源紋波 78448

教你如何測(cè)量芯片數(shù)字模擬噪聲

文將介紹一種利用PrimeTime-SI來(lái)生成由數(shù)字信號(hào)在模擬網(wǎng)絡(luò)上引起的串?dāng)_上限的技術(shù)。如果此技術(shù)揭露出潛在的問(wèn)題,則會(huì)通過(guò)HSPICE進(jìn)行進(jìn)一步分析。##文將介紹一種利用PrimeTime-SI來(lái)生成由數(shù)字信...

2015-09-18 標(biāo)簽:測(cè)試測(cè)量智能硬件智能硬件模擬噪聲測(cè)試測(cè)量 6855

IFA2015各大廠商智能手機(jī)現(xiàn)場(chǎng)評(píng)測(cè)匯總

華為在柏林IFA消費(fèi)電子展上舉行了新品發(fā)布會(huì),其發(fā)布了包括Mate S、華為G8(國(guó)內(nèi)叫G7 Plus)、華為手環(huán)等新產(chǎn)品。##從定位低到高分別有Z5 Compact、Z5與Z5尊享版(海外稱為Z5 Premium),而過(guò)往的...

2015-09-09 標(biāo)簽:智能手機(jī)IFA2015IFA2015智能手機(jī)評(píng)測(cè) 3790

大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)力推展訊3G、4G解決方案

醫(yī)療保健、運(yùn)動(dòng)健身、游戲乃至?xí)r尚等多個(gè)行業(yè)展示了下一代概念,這些概念或許會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)椤罢嬲钡漠a(chǎn)品。這一市場(chǎng)預(yù)計(jì)會(huì)在未來(lái)幾年中迎來(lái)爆炸式增長(zhǎng),潛在價(jià)值達(dá) 500 億美元。...

2015-06-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體cpusoc 900

Fairchild大幅降低IGBT損耗,助力工業(yè)和汽車應(yīng)用中效率的提升

Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過(guò)打破硅“理論上”的限制 來(lái)將IGBT 開(kāi)關(guān)損耗降低30%...

2015-06-15 標(biāo)簽:IGBT汽車工業(yè)IGBT工業(yè)變頻器汽車工業(yè) 1413

引領(lǐng)PXI技術(shù)創(chuàng)新 NI第十二屆“中國(guó)PXI技術(shù)和應(yīng)用論壇”在京舉行

2015年5月26日—由美國(guó)國(guó)家儀器有限公司(National Instruments,簡(jiǎn)稱NI)主辦的第十二屆“中國(guó)PXI技術(shù)和應(yīng)用論壇” (PXI Technology & Application Conference,即PXI TAC)北京站會(huì)議圓滿閉幕。...

2015-06-03 標(biāo)簽:NINIPXI技術(shù) 1299

克服多重技術(shù)障礙 成就“指尖”上的FTIR光譜儀

FTIR光譜儀(傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜)是利用紅外光譜經(jīng)傅里葉轉(zhuǎn)換來(lái)分析雜質(zhì)濃度的光譜分析儀器,可用于氣體、液體的分析等。...

2015-05-22 標(biāo)簽:光譜儀濱松 3280

AMETEK Sorensen針對(duì)激光二極管測(cè)試的解決方案

AMETEK Sorensen針對(duì)激光二極管測(cè)試的解決方案

在切割、焊接、通信等行業(yè)中,半導(dǎo)體激光二極管被越來(lái)越多地廣泛應(yīng)用,逐步替代了傳統(tǒng)的激光器,因?yàn)榧す舛O管通常具有效率高、體積小、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。##更多的測(cè)試數(shù)據(jù)。...

2014-07-31 標(biāo)簽:激光二極管 4282

IP豐富資源相挺 新思科技全面提升芯片測(cè)試速度

近半年來(lái),由于晶圓代工制程的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈,也使得上游的EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)與IP(硅智財(cái))業(yè)者,必須與晶圓代工業(yè)者有更為深入的合作,就各自的專長(zhǎng)彼此互補(bǔ),以形成完整的生態(tài)體...

2013-09-27 標(biāo)簽:IPeda晶圓代工芯片測(cè)試Synopsys新思科技 1499

掃頻測(cè)量分享:如何進(jìn)行射頻陶瓷貼片電容的測(cè)試?

目前廣泛應(yīng)用于各種射頻電路中的貼片電容因其尺寸和電容量均較小,沒(méi)有比較合適的射頻段測(cè)試儀器。我們應(yīng)用微波網(wǎng)絡(luò)理論分析后,自行設(shè)計(jì)共面波導(dǎo)作為測(cè)試夾具,利用射頻矢量...

2012-12-27 標(biāo)簽:射頻測(cè)試電容測(cè)試陶瓷貼片電容 2692

典型高亮度LED生產(chǎn)環(huán)節(jié)全方位測(cè)試方案

高亮發(fā)光二極管(High brightness light emitting diodes,HBLED)綜合具備了高輸出、高效率和長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)。制造商們正在開(kāi)發(fā)可以實(shí)現(xiàn)光通量更高、壽命更長(zhǎng)、色彩更豐富而且單位功率發(fā)光度...

2012-12-21 標(biāo)簽:發(fā)光二極管LED測(cè)試LED測(cè)試發(fā)光二極管高亮度LED 1429

采用TI能耗測(cè)量IC簡(jiǎn)化輔助計(jì)量

本文將專門(mén)討論其在輔助計(jì)量中的應(yīng)用。在本文中,輔助計(jì)量指的是非公用事業(yè)型的電能計(jì)量應(yīng)用,例如:智能插頭、電器電度表和服務(wù)器功率表。...

2012-10-18 標(biāo)簽:titi能耗測(cè)量輔助計(jì)量 2365

TOPFER推出1100測(cè)試系統(tǒng)

為滿足廣大客戶的測(cè)試要求,創(chuàng)銳電子特推廣Topsmart 1100,支持同時(shí)測(cè)試金顆單組輸出電源,支持同時(shí)測(cè)試多顆多組輸出電源。...

2012-09-28 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)TOPFER測(cè)試系統(tǒng) 943

chroma6650 帶載短路,無(wú)輸出的處理方法

chroma6650電子負(fù)載測(cè)試時(shí)出現(xiàn)帶載短路,產(chǎn)品無(wú)電壓輸出而不能區(qū)分是否是負(fù)載出現(xiàn)故障時(shí),可以通過(guò)以下幾點(diǎn)去辯別!...

2012-09-24 標(biāo)簽:電子負(fù)載 2315

傳感器測(cè)量方法比較

系統(tǒng)檢測(cè)過(guò)程中,需要運(yùn)用到各種各樣的傳感器,傳感器的測(cè)量方法以及性能是檢測(cè)任務(wù)是否能夠順利完成的關(guān)鍵性因素。在實(shí)際操作過(guò)程中,需針對(duì)不同的檢測(cè)目的和具體情況進(jìn)行分...

2012-08-14 標(biāo)簽:傳感器測(cè)量 1764

電阻測(cè)量的多種方法

電阻測(cè)量的多種方法

歐姆表測(cè)電阻 1. 方法:把歐姆表選擇好倍率擋位并調(diào)零后,將紅黑表筆直接接在待測(cè)電阻的兩端,其表盤(pán)上的指示讀數(shù)即為測(cè)電阻值 ( 如圖 1 所示 ) 。 2. 使用注意事項(xiàng): (1) 使用...

2012-08-13 標(biāo)簽:測(cè)量電阻 10554

晶體管的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)的分享

(一)晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中,A代表鍺材料PNP型管,B代表鍺...

2012-07-23 標(biāo)簽:晶體管檢測(cè) 1520

超越CMOS量測(cè)技術(shù)在持續(xù)發(fā)展

超越CMOS量測(cè)技術(shù)在持續(xù)發(fā)展

目前納米器件被認(rèn)為有可能替代常規(guī)半導(dǎo)體,其主要問(wèn)題是它的接觸問(wèn)題。研究的材料和結(jié)構(gòu)顯然超出了CMOS范圍,如果要繼續(xù)滿足對(duì)器件性能不斷提高的要求,量測(cè)技術(shù)允許工程師觀察...

2012-04-27 標(biāo)簽:CMOSCMOS量測(cè)技術(shù) 897

相變存儲(chǔ)器器件單元測(cè)試系統(tǒng)

相變存儲(chǔ)器器件單元測(cè)試系統(tǒng)

硫系化合物隨機(jī)存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極,其中相變材料是硫系化合物存儲(chǔ)介質(zhì)....

2012-04-27 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試系統(tǒng)相變存儲(chǔ)器 1715

實(shí)用的集成芯片測(cè)試儀方案

我們采用AT89C52單片機(jī)設(shè)計(jì)了集成芯片測(cè)試系統(tǒng)。該測(cè)試系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)高校實(shí)驗(yàn)室中常用的TTL、CMOS系列芯片及一些常用按鍵開(kāi)關(guān)的功能檢測(cè),同時(shí)通過(guò)RS232串行口與PC機(jī)相連,可以在...

2012-04-27 標(biāo)簽:測(cè)試儀集成芯片 2068

硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量系統(tǒng)測(cè)試平臺(tái)

硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量系統(tǒng)測(cè)試平臺(tái)在設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)留了離軸對(duì)準(zhǔn)模塊的安裝接口和水平位移平臺(tái)的安裝空間....

2012-04-27 標(biāo)簽:測(cè)量系統(tǒng)測(cè)試平臺(tái)測(cè)量系統(tǒng)硅片 2376

晶片鍵合質(zhì)量的紅外檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文主要討論以晶片的紅外透射原理為基礎(chǔ),設(shè)計(jì)和搭建了紅外檢測(cè)裝置及相關(guān)的軟件模塊。 ...

2012-04-27 標(biāo)簽:晶片紅外檢測(cè) 5689

存儲(chǔ)器故障診斷算法實(shí)現(xiàn)

存儲(chǔ)器故障診斷算法實(shí)現(xiàn)

存儲(chǔ)器是各種電子設(shè)備中保存信息的主要部件,隨著存儲(chǔ)器芯片的密度和復(fù)雜度的日益提高,設(shè)計(jì)一個(gè)良好的測(cè)試算法來(lái)測(cè)試存儲(chǔ)器變得尤為重要。...

2012-04-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器算法 7683

TRL校準(zhǔn)提取管芯S參數(shù)的技術(shù)

TRL校準(zhǔn)提取管芯S參數(shù)的技術(shù)

介紹了一種基于TRL法的提取管芯S參數(shù)的方法。該方法從TRL校準(zhǔn)出發(fā),實(shí)際測(cè)量得到封裝器件的S參數(shù)....

2012-04-27 標(biāo)簽:S參數(shù)校準(zhǔn)管芯 2699

表面貼裝元件識(shí)別的一種亞像素邊緣檢測(cè)方法

表面貼裝元器件的視覺(jué)檢測(cè)和定位是影響貼片機(jī)整體性能的關(guān)鍵因素,其主要任務(wù)包括獲取元件的圖像...

2012-04-27 標(biāo)簽:邊緣檢測(cè)貼裝元件邊緣檢測(cè) 1976

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