電源/新能源
安森美半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案
在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。
2021-06-23 標(biāo)簽：PFCPFC控制器霍爾效應(yīng)傳感器 2122
Microchip推出新型GMICP2731-10 GaN ...
GMICP2731-10器件有助于保持信號(hào)保真度，讓地面站在不影響信號(hào)質(zhì)量的情況下進(jìn)行高射頻電平的傳輸。
2021-06-22 標(biāo)簽：microchip衛(wèi)星通信氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò)微波集成電路 1355
ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封...
ROHM針對(duì)這些挑戰(zhàn)，于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC，在行業(yè)中處于先進(jìn)地位。
大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的65W ACF Ty...
大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技（Diodes）AP3306+APR347+AP43771的65W ACF Type-C PD3.0充電器解決方案。
2021-06-17 標(biāo)簽：MOSFET充電器控制器Diodes大聯(lián)大友尚 2827
大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的...
GaN驅(qū)動(dòng)器對(duì)性能至關(guān)重要，驅(qū)動(dòng)器使驅(qū)動(dòng)電壓保持在電壓最大限值內(nèi)并不是唯一的要求。
2021-06-16 標(biāo)簽：氮化鎵工業(yè)電源ON Semiconductor大聯(lián)大世平GaN器件 1935
Maxim Integrated發(fā)布業(yè)界最小尺寸、最高精度的...
自動(dòng)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)師不斷尋求節(jié)省電路板空間、提高通道密度，并且能夠改進(jìn)電壓和電流輸入監(jiān)測(cè)精度的途徑，從而使操作人員能夠更精細(xì)地監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，縮短系統(tǒng)停工時(shí)間。
2021-06-15 標(biāo)簽：MaximDC-DC轉(zhuǎn)換器自動(dòng)化系統(tǒng)檢流電阻 1432
科銳攜手高斯寶，為服務(wù)器電源市場(chǎng)帶來(lái)SiC解決方案
得益于云、AI 人工智能、分布式存儲(chǔ)、5G等行業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)于服務(wù)器電源和算力電源的需求大幅增長(zhǎng)。
英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 ...
應(yīng)用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅(qū)動(dòng)電流等規(guī)格，及90 ns的優(yōu)化傳輸時(shí)延。
2021-06-10 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1013
Maxim Integrated發(fā)布 Continua調(diào)節(jié)器...
MAX38889具有94%峰值效率，比最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案高9%，使其能夠支持較長(zhǎng)的備份時(shí)間。此外，IC以三分之一的尺寸更容易集成到空間受限的設(shè)計(jì)中。
2021-06-09 標(biāo)簽：Maxim調(diào)節(jié)器超級(jí)電容 1132
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET...
Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個(gè)功率因數(shù)（cos φ）范圍內(nèi)工作而設(shè)計(jì)，它采用最先進(jìn)的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)，并具備更高的二極管額定值。
2021-06-09 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET太陽(yáng)能系統(tǒng) 1865
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空...
M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未來(lái)的衛(wèi)星系統(tǒng)，也可作為現(xiàn)有系統(tǒng)的備用電源。
2021-06-09 標(biāo)簽：MOSFETmicrochipDC-DC轉(zhuǎn)換器航空電源硅晶體管 2420
安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車充電的完整...
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術(shù)，適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓，易于用負(fù)門極電壓驅(qū)動(dòng)。
2021-06-08 標(biāo)簽：MOSFET安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車充電碳化硅SiC MOSFET 1660
英飛凌推出2300 V隔離EiceDRIVER? 2L-SR...
該柵極驅(qū)動(dòng)器系列提供10 A和18 A的驅(qū)動(dòng)電流。它有一個(gè)米勒鉗位，非常適合將其用于使用0 V關(guān)斷以避免寄生導(dǎo)通的電源開關(guān)。
2021-06-07 標(biāo)簽：英飛凌emi電源開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器 1551
ROHM開發(fā)出耐壓高達(dá)80V、輸出電流達(dá)5A的電源IC“BD...
近年來(lái)，在以5G通信基站和FA設(shè)備為首的先進(jìn)工業(yè)設(shè)備中，越來(lái)越多地配備了融和AI和IoT技術(shù)的新功能。
2021-06-03 標(biāo)簽：DC-DC轉(zhuǎn)換器電源ICRohm5G通信 1914
瑞薩電子憑借業(yè)界超小尺寸光電耦合器擴(kuò)展其產(chǎn)品陣容 適用于工業(yè)...
新型爬電距離8.2mm的IGBT驅(qū)動(dòng)器和IPM驅(qū)動(dòng)器可將PCB面積縮減35％，以獲得更大電路板空間。
2021-05-31 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器光電耦合器瑞薩電子太陽(yáng)能逆變器 1578
東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦
SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導(dǎo)體繼電器，它適用于對(duì)大電流執(zhí)行開／關(guān)控制的應(yīng)用。
2021-05-27 標(biāo)簽：東芝固態(tài)繼電器光耦 1517
ADI公司擴(kuò)展BMS產(chǎn)品系列，實(shí)現(xiàn)持續(xù)電池監(jiān)測(cè)
ADI宣布推出其擴(kuò)展的電池管理系統(tǒng)（BMS）產(chǎn)品系列，能夠滿足ASIL-D功能安全等級(jí)并提供全新的創(chuàng)新低功耗特性，可實(shí)現(xiàn)持續(xù)電池監(jiān)測(cè)。
2021-05-27 標(biāo)簽：adi電池監(jiān)測(cè) 1703
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力...
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結(jié)硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結(jié)合，后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
2021-05-27 標(biāo)簽：MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器NexperiaRDS 1396
Vishay推出先進(jìn)的30V N溝道MOSFET，進(jìn)一步提升...
器件采用PowerPAK? 1212?8S封裝，導(dǎo)通電阻低至0.95 mW，優(yōu)異的FOM僅為29.8 mW*nC。
e絡(luò)盟供貨Rohde & Schwarz全新...
新一代NGA100系列入門級(jí)電源簡(jiǎn)單易用、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且設(shè)計(jì)嚴(yán)謹(jǐn)，具備豐富功能且用途廣泛。它采用線性設(shè)計(jì)，外形精巧，具有輸出穩(wěn)定、噪聲低的特點(diǎn)。
2021-05-25 標(biāo)簽：電子元器件連接器物聯(lián)網(wǎng)e絡(luò)盟 1366
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