電源/新能源
安森美半導(dǎo)體發(fā)布世界首款車規(guī)硅光電倍增管(SiPM)陣列產(chǎn)品...
SiPM技術(shù)近年來(lái)發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，由于其獨(dú)特的功能集，已成為廣闊市場(chǎng)深度傳感應(yīng)用的首選傳感器。SiPM能在明亮的陽(yáng)光條件下進(jìn)行長(zhǎng)距離測(cè)距時(shí)提供最佳的信噪比性能。
2021-03-02 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體激光雷達(dá)SiPM 2199
意法半導(dǎo)體加快三相交流電能表設(shè)計(jì) 推出功能完整的電能表評(píng)估板
EVALSTPM-3PHISO評(píng)估板集成高精度STPMS2計(jì)量前端IC和先進(jìn)的STISO621數(shù)字隔離器，以及在STM32微控制器上運(yùn)行的用于計(jì)算計(jì)量數(shù)據(jù)和電能質(zhì)量數(shù)據(jù)的可定制的統(tǒng)包固件。
2021-03-01 標(biāo)簽：太陽(yáng)能逆變器三相交流電源電流隔離 1592
電源輸入模塊新增可側(cè)法蘭安裝系列
SCHURTER品質(zhì)卓越的DD11系列電源輸入模塊用最小的外殼，提供高水平的功能集成。
Vishay推出性能先進(jìn)的高可靠性表面貼裝陶瓷安規(guī)電容器
SMDY1系列電容器適用于表面貼裝回流焊工藝，降低生產(chǎn)成本。其高度低于插件器件，PCB背面不需要間隙空間。
2021-02-26 標(biāo)簽：電容器Vishay太陽(yáng)能逆變器 2463
東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和...
東芝面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開(kāi)發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
Microchip 宣布推出基于COTS的宇航級(jí)抗輻射電源轉(zhuǎn)...
Microchip作為航天技術(shù)合作伙伴已有30年歷史，成功參與了50多個(gè)項(xiàng)目和平臺(tái)，我們將繼續(xù)投資開(kāi)發(fā)航空航天系統(tǒng)所需的關(guān)鍵技術(shù)。
2021-02-25 標(biāo)簽：microchip電源轉(zhuǎn)換器COTS 1753
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）eToF? 激光驅(qū)動(dòng)器IC 助力革...
EPC9154開(kāi)發(fā)板采用EPC21601 eToF?激光驅(qū)動(dòng)器IC，主要用于驅(qū)動(dòng)具有窄且大電流脈沖的激光二極管。
2021-02-24 標(biāo)簽：EPC激光驅(qū)動(dòng)器激光雷達(dá) 2205
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IG...
由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。
2021-02-23 標(biāo)簽：英飛凌IGBT肖特基勢(shì)壘二極管 2137
Silicon Labs與Wolfspeed合作，提供高性能...
Silicon Labs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理Brian Mirkin表示：“電力電子工程師在設(shè)計(jì)大功率系統(tǒng)時(shí)面臨從空間限制到安全要求的諸多挑戰(zhàn)。
2021-02-23 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器Silicon Labs柵極驅(qū)動(dòng)器 1329
Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，...
節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能
2021-02-23 標(biāo)簽：MOSFET晶圓DC-DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器寄生電感 1705
Vishay推出新款高阻值比、高工作電壓ACAS AT精密薄...
Vishay ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT精密汽車級(jí)薄膜片式排阻經(jīng)過(guò)進(jìn)一步強(qiáng)化，阻值比提高至1:100，工作電壓達(dá)100 V。
2021-02-22 標(biāo)簽：放大器模擬電路Vishay運(yùn)算放大器 1390
e絡(luò)盟供貨KOA系列高品質(zhì)無(wú)源元件
耐脈沖抗浪涌電阻 – SG73系列是保護(hù)電子電路免受極端脈沖和浪涌的理想解決方案，特別是在I/O保護(hù)、緩沖和柵極驅(qū)動(dòng)電路中。
安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET
新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp （Rdson * area）。
2021-02-19 標(biāo)簽：MOSFET電磁干擾安森美半導(dǎo)體碳化硅車載充電器 1661
Vishay新款高溫NTC熱敏電阻適合應(yīng)用于汽車快速、高精度...
器件符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，耐高溫達(dá)+185 °C，熱梯度小于0.01 K/K，空氣中響應(yīng)時(shí)間為6秒。
Vishay的新款高速PIN光電二極管提高生物傳感器性能，適...
VEMD8081在相同封裝尺寸條件下，反向光電流比其前身VEMD8080大15 %，為設(shè)計(jì)人員提供直接替代器件，增加信號(hào)輸出提高性能，或減小LED電流延長(zhǎng)電池壽命。
2021-02-19 標(biāo)簽：Vishay生物傳感器光電二極管可穿戴設(shè)備運(yùn)動(dòng)追蹤器 1521
Vishay推出新款寬邊薄膜片式電阻，其性能和可靠性更適合用...
結(jié)合先前發(fā)布的NCW 0406 AT，日前發(fā)布的AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)器件寬邊幾何形狀具有優(yōu)異的溫度循環(huán)穩(wěn)健性。
納微半導(dǎo)體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問(wèn)世，全新額定電壓...
在傳統(tǒng)硅充電器一半的體積和重量情況下，氮化鎵充電器的輸出功率和充電速度與前者相比均可提升三倍。
2021-02-19 標(biāo)簽：氮化鎵硅芯片納微半導(dǎo)體 4869
Maxim Integrated發(fā)布業(yè)界首款符合ASIL-D...
MAX17852電池監(jiān)測(cè)器IC集成電流檢測(cè)放大器，空間節(jié)省16%、成本降低20%。
2021-02-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車Maxim數(shù)據(jù)通信數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)電源管理系統(tǒng) 1367
X-FAB推出最新一代雪崩光電二極管和單光子雪崩二極管器件
性能提升最明顯的領(lǐng)域之一是光子探測(cè)概率（PDP）。405nm波長(zhǎng)入射光PDP數(shù)值為42%，而在近紅外（NIR）頻率上的改進(jìn)幅度更進(jìn)一步，高達(dá)150%；850nm波長(zhǎng)PDP數(shù)值為5%。
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