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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 電源/新能源 > 新品快訊

Vicor在2022底特律國際汽車設計工程展(WCX)上為x...

Vicor 的展示針對三大電氣化主題提供了創(chuàng)新的模塊化解決方案,不僅可簡化電源系統(tǒng)設計,而且還可提高可擴展性和靈活性。

2022-03-29 標簽:電動汽車電源模塊Vicor 1095

英飛凌推出新一代EiceDRIVER? 2EDN柵極驅(qū)動器芯...

英飛凌科技股份公司近日推出了新一代EiceDRIVER? 2EDN柵極驅(qū)動器芯片系列。是對現(xiàn)有2EDN驅(qū)動器芯片產(chǎn)品線的補充,可減少外接組件的數(shù)量,并節(jié)省設計空間。

2022-03-29 標簽:英飛凌DC-DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動器 1518

Vishay推出新款汽車級高壓薄膜扁平片式電阻器,擴充其TN...

汽車級電阻,節(jié)省電路板空間,工作電壓為450 V,公差± 0.1 %,TCR低至± 10 ppm/K

2022-03-28 標簽:電阻器Vishay 1202

納微半導體宣布成功發(fā)貨超過四千萬顆,氮化鎵功率芯片行業(yè)領導者...

氮化鎵功率芯片行業(yè)領導者納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS)正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆,終端市場故障率為零。

2022-03-28 標簽:氮化鎵功率芯片納微半導體 1285

Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范...

Nexperia(安世半導體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。

2022-03-24 標簽:MOSFETemc電磁兼容性Nexperia 2381

英飛凌IPOSIM平臺推出功率器件使用壽命評估服務,以簡化半...

英飛凌科技股份公司的功率器件在線仿真平臺IPOSIM被廣泛應用于計算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。

2022-03-22 標簽:英飛凌功率器件半導體器件 1199

Microchip推出業(yè)界領先的3.3kV碳化硅(SiC)功...

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管(SBD)擴大了設計人員對交通、能源和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓電力電子產(chǎn)品的選擇范圍。

2022-03-22 標簽:microchip功率器件碳化硅 1332

英飛凌推出全新車規(guī)級750 V EDT2 IGBT,適用于分...

英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優(yōu)化,進一步豐富了英飛凌車規(guī)級分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。

2022-03-21 標簽:英飛凌IGBT牽引逆變器 2405

TDK推出新型超薄μPOL?直流-直流轉(zhuǎn)換器

TDK株式會社宣布推出FS1412 microPOL(μPOL?)電源模塊。FS1412的尺寸為5.8 ㎜ x 4.9 ㎜ x 1.6 ㎜,其是新系列μPOL?直流-直流轉(zhuǎn)換器的一部分。

2022-03-18 標簽:TDK直流轉(zhuǎn)換器機器學習 2073

TDK推出EIA 2220尺寸的緊湊型CeraLink?電容...

TDK集團(東京證券交易所代碼:6762)擴展了其成熟的CeraLink?系列電容器產(chǎn)品組合范圍,使其覆蓋到小型尺寸。在此之前,該產(chǎn)品組合僅包含即裝即用的大尺寸型號。為拓展其應用范圍,我們推出了采用經(jīng)典片式設計的小尺寸型號。

2022-03-16 標簽:電容器TDK濾波電容器 2668

Vishay推出經(jīng)AEC-Q200認證的新型混合繞線充電電阻...

Vishay宣布,推出經(jīng)過AEC-Q200認證、業(yè)界先進的采用混合繞線技術、標準封裝尺寸的新型充電電阻--- HRHA。

2022-03-16 標簽:Vishay逆變器 1211

EPC與ADI攜手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/...

EPC公司和ADI公司推出參考設計,采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動EPC的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合,可實現(xiàn)高達2 MHz的開關頻率,從而實現(xiàn)高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。

2022-03-16 標簽:adiEPCDC-DC轉(zhuǎn)換器 1875

納微氮化鎵功率芯片進入全新三星Galaxy S22系列45W...

Navitas 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 表示:“三星的消費者欣賞具有創(chuàng)新、性能和質(zhì)量卓越的領先技術。 “三星和納微在提供下一代充電性能的同時,專注確保效率提升和可持續(xù)發(fā)展。

2022-03-15 標簽:充電器氮化鎵功率芯片 1787

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 ...

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業(yè)標準。

2022-03-14 標簽:英飛凌MOSFET 2326

大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi產(chǎn)品的5G高效電源供應器解...

5G技術憑借著高速度、低延遲與巨量連接等三大特性,促進了例如自動駕駛、大數(shù)據(jù)與物聯(lián)網(wǎng)等熱點應用的發(fā)展。然而隨著5G廣泛的應用,5G電源供應器也被要求在有限的空間內(nèi)提供更高的瓦數(shù),這迫使電源供應器朝著更高效率或更高的功率密度的方向發(fā)展。

2022-03-14 標簽:安森美電源供應器大聯(lián)大友尚 1618

意法半導體車門區(qū)和后窗控制器增加電動后備箱/尾門功能

L99DZ200G 包含兩個 H 橋柵極驅(qū)動器、一個用于驅(qū)動外部 MOSFET功率管控制后視鏡加熱的柵極驅(qū)動器、一個用于控制自動防炫目后視鏡調(diào)光的控制單元及高邊驅(qū)動器,以及五個 LED 高邊驅(qū)動器。

2022-03-10 標簽:led意法半導體柵極驅(qū)動器 1621

英飛凌推出EiceDRIVER? F3增強型系列柵極驅(qū)動器,...

EiceDRIVER F3增強型系列柵極驅(qū)動器采用爬電距離為8mm的DSO 16 300 mil寬體封裝。這款單路隔離柵極驅(qū)動器具有高達300 kV/us的超高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI),以及高達8.5 A的典型輸出電流。

2022-03-10 標簽:英飛凌IGBT柵極驅(qū)動器 1383

綠色出行:英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降...

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)即將推出采用XHP? 2封裝的CoolSiC? MOSFET和.XT技術的功率半導體,這款專門定制的解決方案旨在滿足軌道交通市場的需求。

2022-03-07 標簽:英飛凌MOSFET功率模塊碳化硅 914

英飛凌推出新一代MOTIX?半橋驅(qū)動IC

英飛凌科技再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx(NovalithIC?+)系列智能半橋驅(qū)動集成芯片。

2022-03-02 標簽:英飛凌MOSFET驅(qū)動IC電機驅(qū)動器 3334

Diodes Incorporated高頻100V額定柵極驅(qū)...

Diodes 公司推出 DGD0579U 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管,能夠在半橋配置中驅(qū)動兩個通常用于控制馬達及 DC-DC 電力傳輸?shù)?N 通道 MOSFET。

2022-02-24 標簽:Diodes柵極驅(qū)動器 1654

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