非易失性MRAM誕生過程

MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)，MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性。而當(dāng)自由層被施予反方向的極化時(shí)，MTJ便會(huì)有高電阻。此一磁阻效應(yīng)可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。在MRAM存儲(chǔ)器中有一個(gè)富含創(chuàng)造性的設(shè)計(jì)，這也是EVERSPIN的專利。
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在MRAM的誕生過程中，設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，在于一個(gè)小電流通過“自由層”，并使之翻轉(zhuǎn)，與固定層的極化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特別小，即使很小的電流擾動(dòng)也會(huì)造成錯(cuò)誤。為此MARM的產(chǎn)品化道路一度陷入低迷。
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在2004初一個(gè)俄裔的工程師公布他提出的新的MRAM結(jié)構(gòu)和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才重新燃起了對(duì)MRAM的希望。SONY 和 MOTORALA 馬上拿出了第一手的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù). 實(shí)驗(yàn)證明TOGGLE MRAM具有相當(dāng)大的操作窗口。另一個(gè)重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同時(shí)宣布拿到了300%的MTJ信號(hào)。2004年在業(yè)界是非常激動(dòng)人心的時(shí)刻，這一系列的突破暗示著MRAM的曙光就在眼前。
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現(xiàn)在MRAM有很多優(yōu)異的指標(biāo)，但是并非完美。它的存儲(chǔ)密度和容量決定了它尚不能更大范圍的替代其他存儲(chǔ)器產(chǎn)品。但是根據(jù)摩爾定律，芯片尺寸會(huì)越來越小，這也是為什么很多人都認(rèn)為DRAM快走到了它生命周期的盡頭。PCM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于MRAM和DRAM。在未來的五年里，它將是MRAM有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。MRAM想在未來新存儲(chǔ)的世界里稱王稱霸，還是需要一番突圍的。

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Everspin存儲(chǔ)器8位并行總線MRAM概述

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Everspin串口MRAM存儲(chǔ)芯片有哪些型號(hào)

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相變材料及器件的電學(xué)測(cè)試方法與方案

在芯片工藝不斷演進(jìn)的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測(cè)試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測(cè)試》的直播中，大家就新型存儲(chǔ)技術(shù)、先進(jìn)材料電學(xué)表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲(chǔ)作為新一代非易失性存儲(chǔ)的代表，其器件性能的測(cè)試與優(yōu)化自然也成為了焦點(diǎn)之一。

2025-08-11 17:48:37

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NAND閃存芯片功能與應(yīng)用分析

NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)分析： 1. 核心功能數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：以電信號(hào)形式長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)不丟失。快速讀寫：支持

2025-08-11 10:43:44

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效率快易操作閃測(cè)儀

VX8000系列效率快易操作閃測(cè)儀將遠(yuǎn)心鏡頭結(jié)合高分辨率工業(yè)相機(jī)，將產(chǎn)品影像經(jīng)過拍照后調(diào)整至合適大小后，再通過具有強(qiáng)大計(jì)算能力的測(cè)量系統(tǒng)完成預(yù)先編程指令，快速抓取產(chǎn)品輪廓圖，最后與拍照上的微小像素點(diǎn)

2025-07-23 13:53:43

易控智駕與易普力達(dá)成戰(zhàn)略合作

近日，易普力股份有限公司與易控智駕科技股份有限公司在新疆國(guó)際煤炭工業(yè)博覽會(huì)現(xiàn)場(chǎng)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。

2025-07-21 09:28:16

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稀土永磁同步電動(dòng)機(jī)失磁對(duì)電機(jī)損耗的影響

故障的狀態(tài),對(duì)失磁放障狀態(tài)下電機(jī)的鋼耗和鐵耗進(jìn)行定量分析,研究稀土永磁同步電動(dòng)機(jī)失磁程度與電機(jī)損耗的動(dòng)態(tài)關(guān)系。這些研究表明在電機(jī)設(shè)計(jì)和運(yùn)行過程中采取措施降低其不可逆失磁是非常重要的。純分享帖，點(diǎn)擊

2025-07-15 14:35:06

兆易創(chuàng)新加入RT-Thread高級(jí)會(huì)員合作伙伴計(jì)劃 | 戰(zhàn)略新篇

GD32全系產(chǎn)品展開深度合作，共同推動(dòng)高性能、高可靠性的嵌入式解決方案落地，助力開發(fā)者加速創(chuàng)新。此次合作標(biāo)志著兩家企業(yè)在嵌入式領(lǐng)域的生態(tài)協(xié)同邁入新階段。兆易創(chuàng)新的

2025-07-14 09:04:44

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超薄晶圓切割：振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。超薄晶圓（

2025-07-09 09:52:03

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全球?qū)Ｓ眯痛鎯?chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)分析

。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ)，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非

2025-06-29 06:43:00

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

/FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標(biāo)是結(jié)合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存），部分已在特定領(lǐng)域應(yīng)用（如MRAM做緩存），是未來重要方向。 CXL：一種新的高速互連協(xié)議，旨在更高效地連接

2025-06-24 09:09:39

同步電機(jī)失步淺析

純分享帖，需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件：同步電機(jī)失步淺析.pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)第一時(shí)間告知，刪除內(nèi)容！

2025-06-20 17:42:06

非侵入性經(jīng)皮脊髓電刺激（tSCS）的神經(jīng)機(jī)制與脊髓損傷康復(fù)臨床應(yīng)用

經(jīng)皮脊髓電刺激（transcutaneousspinalcordstimulation,tSCS）經(jīng)皮脊髓電刺激是一種通過皮膚表面電極向脊髓背根傳遞低頻脈沖電流、實(shí)現(xiàn)神經(jīng)調(diào)控的非侵入性技術(shù)。其核心

2025-06-17 19:21:04

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創(chuàng)飛芯130nm EEPROM IP通過客戶產(chǎn)品級(jí)考核

國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開發(fā)，為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測(cè)試

2025-06-12 17:42:07

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迪米科技非接觸紅外測(cè)溫賦能智能炒菜機(jī)新紀(jì)元：智享烹飪未來！

迪米科技智能炒菜鍋溫控方案采用非接觸紅外傳感器、安裝于鍋腔內(nèi)壁底部位置，攻克傳統(tǒng)接觸式探針易受油污粘黏、且難以捕捉鍋體表面瞬息萬變的溫度變化。

2025-06-04 14:00:43

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新思科技先進(jìn)OTP IP賦能高安全性SoC設(shè)計(jì)：構(gòu)建抗篡改的可靠芯片架構(gòu)

在高性能計(jì)算、邊緣物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和云計(jì)算等應(yīng)用領(lǐng)域，要確保先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)的安全性與正確配置，一次性可編程（OTP）非易失性內(nèi)存（NVM）至關(guān)重要。隨著這些技術(shù)朝著先進(jìn)FinFET節(jié)點(diǎn)發(fā)展，OTP

2025-06-03 10:41:50

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DS4520 9位、I2C、非易失、輸入/輸出擴(kuò)展器與存儲(chǔ)器技術(shù)手冊(cè)

DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案

2025-05-26 15:41:31

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DS4510 CPU監(jiān)控電路，具有非易失存儲(chǔ)器和可編程輸入/輸出技術(shù)手冊(cè)

DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps

2025-05-26 10:13:41

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DS4550 I2C和JTAG、非易失、9位、輸入/輸出擴(kuò)展器與存儲(chǔ)器技術(shù)手冊(cè)

DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)

2025-05-26 09:50:50

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易飛揚(yáng)亮相CommunicAsia 2025，展示非相干和相干DWDM經(jīng)濟(jì)型光傳輸解決方案

深圳市易飛揚(yáng)通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會(huì)（5月27-29日，展位號(hào)3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長(zhǎng)距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。

2025-05-23 17:43:04

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ITEN與A*STAR IME宣布突破性固態(tài)電池的先進(jìn)封裝整合

電池的集成。這一里程碑為封裝內(nèi)儲(chǔ)能解決方案鋪平了道路，助力實(shí)現(xiàn)更高效、緊湊且可靠的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)設(shè)計(jì)。革新儲(chǔ)能與先進(jìn)封裝這一突破性創(chuàng)新標(biāo)志著SiP技術(shù)的重大飛躍。通過在晶圓層面嵌入ITEN的高性能固態(tài)電池，ITEN與A*STAR IME成功展示了利用先進(jìn)封裝直接集成非易失

2025-05-22 13:08:59

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賦能個(gè)性化表達(dá)！eSUN易生3D打印材料在時(shí)尚設(shè)計(jì)領(lǐng)域的應(yīng)用

3D打印技術(shù)可以突破傳統(tǒng)材料和工藝的限制，為用戶提供個(gè)性化且高效便捷的使用體驗(yàn)。從華麗的T臺(tái)到人們的日常生產(chǎn)生活，3D打印技術(shù)都正在發(fā)揮更大的作用。eSUN易生豐富多樣的3D打印材料也一起見證了許多優(yōu)質(zhì)應(yīng)用的誕生！

2025-05-20 14:11:35

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DS3911具有溫度控制的非易失、四通道、I2C接口DAC技術(shù)手冊(cè)

DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至

2025-05-12 09:41:29

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創(chuàng)飛芯0.13μm eFuse OTP IP量產(chǎn)突破1.5萬片

萬片。作為我司首個(gè)應(yīng)用于圖像傳感芯片的eFuse OTP IP案例，這一里程碑式的成果，標(biāo)志著公司在非易失性存儲(chǔ)IP領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和商業(yè)化能力邁上了新臺(tái)階。

2025-05-09 10:12:28

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六類非屏蔽網(wǎng)線是什么材質(zhì)的

六類非屏蔽網(wǎng)線(CAT6 UTP)的材質(zhì)選擇直接影響其傳輸性能、耐用性和適用場(chǎng)景，其核心材質(zhì)構(gòu)成及特性如下： 1. 導(dǎo)體材質(zhì)：無氧銅(OFC) 核心作用：導(dǎo)體是信號(hào)傳輸?shù)妮d體，直接影響傳輸效率

2025-05-06 10:24:46

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硬件電路設(shè)計(jì)：深度解析eMMC的性能與應(yīng)用

eMMC（Embedded Multi Media Card）是一種專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的非易失性存儲(chǔ)解決方案，它將NAND閃存、主控芯片和接口協(xié)議封裝在一個(gè)BGA（Ball Grid Array

2025-04-14 00:00:00

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簡(jiǎn)單易操作超高分辨率掃描電鏡

中圖儀器CEM3000簡(jiǎn)單易操作超高分辨率掃描電鏡高易用性快速成像、一鍵成片，無需過多人工調(diào)節(jié)。超高分辨率優(yōu)于4nm(SE)，優(yōu)于8nm(BSE)@20kV，超大景深毫米級(jí)別景深，具有高空間分辨率

2025-04-10 10:11:16

昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導(dǎo)體的非易失性閃存ZB25VQ16CS

芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備

2025-04-09 15:22:11

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飛易通攜<飛易云>系統(tǒng)助力物聯(lián)網(wǎng)新變革！

一、什么是飛易云平臺(tái) 飛易云平臺(tái)是一個(gè)基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的云平臺(tái),經(jīng)過軟硬件結(jié)合，用戶可以通過平臺(tái)進(jìn)行設(shè)備定位管理、數(shù)據(jù)傳輸，商品廣告展示等可視化操作。它的優(yōu)勢(shì)為平臺(tái)操作簡(jiǎn)單，能夠提高效率，節(jié)約

2025-03-28 15:28:37

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嵌入式硬件基礎(chǔ)知識(shí)匯總（附帶與硬件密切相關(guān)的軟件介紹）

，又可再對(duì)它寫入，為可讀/寫存儲(chǔ)器，或隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器。? 易失性 p 若存儲(chǔ)器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲(chǔ)器；否則，為易失性存儲(chǔ)器； p 只讀存儲(chǔ)器（ROM）是非易失性的，隨機(jī)

2025-03-26 11:12:24

存儲(chǔ)技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash：藏在芯片里的"門道之爭(zhēng)"

非易失存儲(chǔ)：斷電后數(shù)據(jù)不丟失可重復(fù)編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入）二進(jìn)制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變?yōu)?0 核心差異一、物理結(jié)構(gòu)對(duì)比 NOR 特性獨(dú)立存儲(chǔ)單元并聯(lián)架構(gòu) 支持隨機(jī)

2025-03-18 12:06:50

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磁性近程傳感器保證非接觸式定位和近程檢測(cè)的靈活性和可靠性

保證非接觸式定位? 和近程檢測(cè)的靈活性和可靠性 ? 磁性近程傳感器為多種應(yīng)用中的非接觸式定位和近程檢測(cè)提供了可靠而靈活的可選方案。這類傳感器能夠通過多種非磁性表面可靠地檢測(cè)磁場(chǎng)。磁性近程傳感器

2025-03-17 11:53:24

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磁場(chǎng)開關(guān)誤跳造成發(fā)電機(jī)失磁跳機(jī)事故分析

角形接線接入系統(tǒng)。2臺(tái)機(jī)組分別于2006年1,3月投入系統(tǒng)運(yùn)行。投運(yùn)后不久，31號(hào)機(jī)組發(fā)生了一起因施工質(zhì)量和施工工藝問題引起的磁場(chǎng)開關(guān)誤分閘，造成發(fā)電機(jī)失磁跳機(jī)事故。純屬分享，點(diǎn)擊下方附件免費(fèi)下載*附件：20250312_磁場(chǎng)開關(guān)誤跳造成發(fā)電機(jī)失磁跳機(jī)事故分析.docx

2025-03-12 17:05:42

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。

2025-03-12 10:21:14

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三一挖掘機(jī)一鍵啟動(dòng)開關(guān)易壞的原因及更換注意事項(xiàng)

三一挖掘機(jī)一鍵啟動(dòng)開關(guān)易壞的原因雖然三一挖掘機(jī)的一鍵啟動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)旨在提高便利性和安全性，但在實(shí)際使用中，可能會(huì)出現(xiàn)一些問題導(dǎo)致開關(guān)易壞。這些問題可能包括：頻繁使用：挖掘機(jī)在施工過程中頻繁啟動(dòng)和關(guān)閉

2025-03-12 09:29:10

無感直流BLDC，大占空比情況下失步怎么解決？

無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題

2025-03-11 08:00:38

MRAM存儲(chǔ)替代閃存，F(xiàn)PGA升級(jí)新技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，萊迪思宣布在FPGA設(shè)計(jì)上前瞻性的布局，使其能夠結(jié)合MRAM技術(shù)，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用

2025-03-08 00:10:00

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EPM1270T144C5N TQFP-144 0℃~+85℃ 可編程邏輯性芯片

特性低成本、低功耗的復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）即時(shí)啟動(dòng)，非易失性架構(gòu)待機(jī)電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時(shí)鐘到輸出時(shí)間提供四個(gè)全局時(shí)鐘，每個(gè)邏輯陣列塊（LAB）有兩個(gè)時(shí)鐘可用高達(dá) 8 千

2025-03-07 15:19:03

力旺電子攜手熵碼科技推出后量子加密解決方案

全球嵌入式非易失性內(nèi)存（eNVM）解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子，與旗下專注于PUF（物理不可克隆功能）安全I(xiàn)P的子公司熵碼科技，今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密（PQC）解決方案。此

2025-03-05 11:43:10

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易控智駕發(fā)布礦山無人駕駛應(yīng)用落地成果

近日，“易路相伴智約共贏”無人駕駛礦用車規(guī)?；瘧?yīng)用成果發(fā)布會(huì)在三亞順利召開。作為全球領(lǐng)先的礦山無人駕駛公司，易控智駕發(fā)布了礦山無人駕駛應(yīng)用落地成果，成為行業(yè)首個(gè)突破落地1000臺(tái)無人駕駛礦卡規(guī)

2025-03-04 11:25:00

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MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊(cè)

MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。

2025-02-28 10:48:16

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DS9034PCX PowerCap，帶有晶振技術(shù)手冊(cè)

DS9034PCX PowerCap作為非易失性計(jì)時(shí)RAM的鋰電源，采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔

2025-02-28 10:07:12

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DS1321靈活的非易失控制器，帶有鋰電池技術(shù)手冊(cè)

帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能輸出會(huì)被

2025-02-28 10:00:43

985

DS1314 3V、非易失控制器，帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器技術(shù)手冊(cè)

帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)

2025-02-28 09:53:17

806

DS1312非易失控制器，帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器技術(shù)手冊(cè)

帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí)，芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)

2025-02-28 09:48:45

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DS1746 Y2K兼容、非易失時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。RTC

2025-02-27 17:20:04

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DS1557 4M非易失、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有

2025-02-27 17:11:32

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DS1554 256k非易失、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有

2025-02-27 16:54:35

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DS1747 Y2K兼容、非易失時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC

2025-02-27 15:51:09

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DS1265AB 8M非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍

2025-02-27 09:19:54

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DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

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MICRON/美光 MT25QL512ABB8ESF-0SIT SOP16閃存存儲(chǔ)芯片

可達(dá)90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴(kuò)展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設(shè)置?軟

2025-02-19 16:15:14

M95320-DRMN3TP/K產(chǎn)品概述

M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存儲(chǔ)容量。該器件專為需要非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用設(shè)計(jì)，能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)

2025-02-18 21:57:03

如何提高錫膏在焊接過程中的爬錫性？

錫膏的爬錫性對(duì)于印刷質(zhì)量和焊接效果至關(guān)重要。要提高錫膏在焊接過程中的爬錫性

2025-02-15 09:21:38

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騰訊與銷售易戰(zhàn)略合作升級(jí)

近日，SaaS領(lǐng)域傳來重要消息，銷售易宣布與騰訊的戰(zhàn)略合作再次升級(jí)。此次升級(jí)將圍繞產(chǎn)品、技術(shù)、生態(tài)等多個(gè)維度展開，旨在共同開拓SaaS賽道的新增長(zhǎng)路徑和機(jī)遇。為了更有效地整合和發(fā)揮雙方的優(yōu)勢(shì)資源

2025-02-14 14:09:04

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STT-MRAM新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器

2025-02-14 13:49:27

Meta AI推出Brain2Qwerty：非侵入性大腦信號(hào)轉(zhuǎn)文本系統(tǒng)

。 Brain2Qwerty系統(tǒng)主要依賴于非侵入性的技術(shù)手段來捕捉和解析大腦活動(dòng)。具體而言，它結(jié)合了腦電圖(EEG)和腦磁圖(MEG)這兩種先進(jìn)的神經(jīng)科學(xué)工具，以精確記錄志愿者在思考過程中的大腦信號(hào)。在研究過程中，Meta AI的團(tuán)隊(duì)招募了一批健康的志愿者參與實(shí)驗(yàn)。這些志愿者被

2025-02-11 13:37:39

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M24C16-DRDW3TP/K

半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲(chǔ)器，具有 16 Kbit 的存儲(chǔ)容量，專為需要非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款器件采

2025-02-10 07:41:41

閃速存儲(chǔ)器是u盤嗎，閃速存儲(chǔ)器一般用來做什么的

在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在

2025-01-29 15:12:00

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ABB變頻器易發(fā)故障及解決方法

? ? ? ABB變頻器作為工業(yè)中常用的調(diào)速裝置，其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。然而，由于使用環(huán)境、操作不當(dāng)或設(shè)備老化等因素，ABB變頻器在使用過程中可能會(huì)出現(xiàn)各種故障。以下是一些ABB變頻器易發(fā)故障

2025-01-21 17:33:41

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