10月23-25日，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）將在深圳會(huì)展中心舉行。24日上午，碳化硅材料與電力電子器件分會(huì)在山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授和美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院周達(dá)成教授主持下隆重召開。

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　　本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)政府主辦，國(guó)家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國(guó)家科學(xué)技術(shù)部國(guó)際合作司、國(guó)家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國(guó)家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)和張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟(jì)促進(jìn)局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

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　　“碳化硅材料與電力電子器件”分會(huì)作為論壇常設(shè)技術(shù)分會(huì)之一，由深圳基本半導(dǎo)體有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所協(xié)辦支持，浙江大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師盛況與山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛共同擔(dān)任分會(huì)主席。中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員柏松， 中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理孫國(guó)勝擔(dān)任分會(huì)委員，與多位國(guó)內(nèi)外的權(quán)威專家共同坐鎮(zhèn)。

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　　會(huì)上，來自美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院周達(dá)成教授、 美國(guó)GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN、瑞典皇家工程學(xué)院工程科學(xué)院教授Mietek BAKOWSKI、株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平、深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中、PowerAmerica執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官/美國(guó)北卡羅萊納州立大Victor VELIADIS教授、瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCH?NER和香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述一起，從各自擅長(zhǎng)領(lǐng)域介紹和分析了當(dāng)前碳化硅材料與電力電子期間的前沿研究進(jìn)展。

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　　首先，來自美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

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　　高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長(zhǎng)過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長(zhǎng)的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長(zhǎng)表面的傳輸、生長(zhǎng)表面的吸附、成核和最終晶體生長(zhǎng)。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長(zhǎng)過程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。

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　　瑞典皇家工學(xué)院工程科學(xué)院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設(shè)備的現(xiàn)狀和采用前景》，報(bào)告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項(xiàng)目的概況和重點(diǎn)。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應(yīng)用中的節(jié)能方面的革命性進(jìn)展。簡(jiǎn)要介紹了瑞典材料、技術(shù)和設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的相關(guān)項(xiàng)目。

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　　株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機(jī)平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報(bào)告；

　　深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報(bào)告；張振中對(duì)各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計(jì)引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。

美國(guó)電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯(cuò)和耐久性的影響》；

瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCH?NER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報(bào)告；

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　　矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾囉陔p向開關(guān)而幾乎不需要其他被動(dòng)組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級(jí)的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)換器以及基于SiC器件的ASTRI最近的研究進(jìn)展?！靖鶕?jù)會(huì)議資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解！】