? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）邊緣AI需要更快更大容量的存儲，為了突破接口速率、物理距離等因素，適用于AI推理的新型存儲技術受到更多的關注。華邦電子的CUBE、兆易創(chuàng)新的堆疊存儲，以及北京君
2025-09-08 06:05:00
11620 
AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網(wǎng)邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價比和低功耗優(yōu)勢，創(chuàng)新型DRAM是許多可穿戴設備和物聯(lián)網(wǎng)設備上的微型人工智能相機中使用的理想存儲器。
2026-01-05 14:29:3727 DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個 DRAM 單元組成，每個單元存儲一位數(shù)據(jù)。
2025-12-26 15:10:02637 
三防漆作為一種特殊配方的涂料，主要用于保護電路板及相關設備免受潮濕、腐蝕等環(huán)境因素的侵蝕。在實際應用中，三防漆消泡困難是常見問題之一，氣泡若未能及時消除，固化后會影響涂層致密性和防護效果?，F(xiàn)在讓我們
2025-12-20 16:57:14119 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，Kioxia鎧俠公司宣布開發(fā)出高性能晶體管技術，該技術將使得高密度、低功耗 3D DRAM 的實現(xiàn)成為可能。這項技術在 12月 10 日于美國舊金山舉行的電子器件會議
2025-12-19 09:36:061903 
影響工業(yè)鏡頭視場角的因素工業(yè)鏡頭廣泛應用于機器視覺、監(jiān)控系統(tǒng)和精密檢測領域，其視場角（FieldofView,FOV）定義了鏡頭在固定位置下所能覆蓋的場景范圍。這一參數(shù)通常以角度或線性尺寸表示，例如
2025-12-17 16:55:49615 
全球存儲解決方案領域的領軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布，已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道晶體管技術，該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已于12月
2025-12-16 16:40:501025 MOSFET時需要綜合考慮多個因素，以確保其滿足BMS的高效和穩(wěn)定運行要求。本文將介紹在BMS設計過程中選擇MDD的MOSFET時需要重點關注的關鍵因素和最佳實踐。一、MO
2025-12-15 10:24:57238 
渠道秒罄，京東平臺三款配色累計銷量超 6500 件，多次補貨仍供不應求。 ? “智能憨憨”由華為與珞博智能聯(lián)合研發(fā)，基于 Fuzozo 芙崽產(chǎn)品矩陣進行定制化升級，核心定位為 “鴻蒙生態(tài)協(xié)同型情感交互終端”。技術層面，其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在生態(tài)整合與情感計算能力的結合：
2025-12-03 07:34:006830 在內存技術持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設計與明確
2025-12-02 13:50:46866 在當今高速發(fā)展的3C領域（計算機外設、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 貼片電阻的阻抗(即交流電路中的綜合阻抗，包含電阻、電感與電容的復合效應)受多種因素影響，這些因素可分為材料特性、幾何結構、封裝設計、環(huán)境條件及制造工藝五大類。以下是具體分析： 一、材料特性：阻抗
2025-11-27 15:46:26248 
產(chǎn)能有限等因素，導致DRAM與NANDFlash全面供不應求。預測這一缺貨潮預計將持續(xù)至2026年上半年。深圳市瑞之辰科技有限公司認為，在此背景下，存儲芯片價格上
2025-11-26 11:34:321486 
的智能家電、醫(yī)院的遠程監(jiān)測、馬路上的智能交通，都要用到物聯(lián)網(wǎng)技術，需求大到用不完。 3. 人才缺口大，薪資有競爭力 行業(yè)發(fā)展快，但專業(yè)人才跟不上，據(jù)人社部相關數(shù)據(jù)，現(xiàn)在物聯(lián)網(wǎng)人才缺口已經(jīng)超百萬了。供不應求
2025-11-18 15:39:41
DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持數(shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復用設計，提高了存儲密度，但增加了控制復雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計算機內存。
2025-11-18 11:49:00477 芯源半導體安全芯片的硬件加密引擎支持多種國際通用加密算法，在實際為物聯(lián)網(wǎng)設備選擇加密算法時，需考慮哪些因素？
2025-11-17 07:43:08
PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內核架構的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設備領域獲得了廣泛應用。
2025-11-11 11:39:04497 、機器人等賽道的需求增長，芯聯(lián)集成全年營收將達到80億元到83億元，同比增幅達23%-28%，為2026年公司沖擊百億營收奠定堅實基礎。 “目前可以看到，公司的汽車功率模塊、激光雷達和消費類MEMS傳感器等產(chǎn)品需求旺盛，供不應求?！彪娫捊涣鲿?，趙奇開門見山點明公司發(fā)展
2025-11-03 09:47:02511 電能質量在線監(jiān)測裝置的數(shù)據(jù)采集受 硬件性能、信號接入、環(huán)境干擾、軟件配置、電源與安裝 五大類因素影響，這些因素會直接導致采集數(shù)據(jù)出現(xiàn) “精度偏差、時序混亂、信號丟失”，最終影響電能質量分析的準確性
2025-10-23 17:23:57865 
影響電能質量在線監(jiān)測裝置穩(wěn)定性的環(huán)境因素，核心是那些能直接導致 硬件老化加速、數(shù)據(jù)采集失真、模塊故障停機 的外部條件，主要可分為 溫濕度、電磁干擾、粉塵與水分、振動沖擊、特殊腐蝕 / 雷擊 五大類
2025-10-22 17:44:18501 在當今數(shù)字化轉型的浪潮中，工業(yè)存儲設備的選擇直接關系到整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。天碩工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤憑借其卓越的DRAM緩存技術，在眾多應用場景中展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。本文將采用問答形式，深入探討這一關
2025-10-20 17:59:28655 
σ等。 雅科貝思VRG系列平臺 重復定位精度受多種復雜因素影響，既有運動臺自身因素，比如背隙、摩擦力、線纜擾動力、伺服抖動、剛度等，也有環(huán)境因素，比如溫度漂移、地基振動、環(huán)境噪聲等。我們幾乎不太可能給出每一種因素對重復性
2025-10-15 11:24:43501 
在新能源領域（以光伏、風電、儲能為核心），電能質量受 新能源發(fā)電的固有特性、電力電子設備特性、并網(wǎng)條件及外部環(huán)境 四大類因素影響，這些因素直接導致電壓波動、諧波超標、頻率偏差等問題，進而影響電網(wǎng)穩(wěn)定
2025-10-14 16:36:18674 在技術飛速發(fā)展的今天，內存性能、占用面積和能效已成為現(xiàn)代應用的關鍵考量因素。
2025-10-14 10:32:292639 
，精準把控測試過程中的影響因素，是充分發(fā)揮超景深顯微鏡觀測效能的關鍵。本文將系統(tǒng)解析超景深顯微鏡的工作原理，并全面梳理影響其測試結果的核心因素。#Photonixb
2025-10-09 18:02:14519 
影響電能質量在線監(jiān)測裝置校準周期的環(huán)境因素，核心是 加速設備元器件老化、破壞電路穩(wěn)定性、導致測量精度漂移 的外部條件。這些因素會使裝置偏離初始校準狀態(tài)的速度加快，因此需根據(jù)環(huán)境惡劣程度縮短校準周期
2025-09-19 14:42:13416 電能質量在線監(jiān)測裝置的校驗準確性，核心依賴于裝置硬件（如采樣傳感器、模數(shù)轉換器 ADC、基準源）、信號傳輸鏈路及校驗標準源的穩(wěn)定工作。而環(huán)境因素通過干擾上述環(huán)節(jié)的性能，直接或間接導致校驗數(shù)據(jù)偏差
2025-09-18 11:14:47585 
環(huán)境因素對電能質量在線監(jiān)測裝置的影響程度，核心體現(xiàn)為準確度偏離標稱精度等級的 “量化幅度”—— 在標準規(guī)定的環(huán)境范圍內（如 IEC 61000-4-30、GB/T 19862-2016），影響通常
2025-09-11 18:01:26700 
網(wǎng)線的傳輸距離受多種因素影響，這些因素共同決定了信號在傳輸過程中的衰減、干擾和時延，進而限制了有效傳輸距離。以下是主要影響因素的詳細分析： 1. 網(wǎng)線類型與規(guī)格 不同類別的網(wǎng)線在導體材質、絞距
2025-08-25 10:22:231911 
多模光纖的傳輸速率受多種因素影響，這些因素共同決定了其在實際應用中的性能表現(xiàn)。以下是主要影響因素的詳細分析： 1. 光纖類型與規(guī)格 多模光纖按國際標準(如ISO 11801)分為OM1至OM5五類
2025-08-25 09:53:331139 
分析，懂行的工程師卻供不應求。PDF如何破解這一困境？關鍵在于賦能制造業(yè)領域專家轉型為“公民數(shù)據(jù)科學家（CitizenDataScientists，縮寫CDS）”
2025-08-20 09:32:591227 
電解電容的壽命受多種因素影響，這些因素相互作用，共同決定了電容在實際使用中的可靠性和穩(wěn)定性。以下是影響電解電容壽命的主要因素及其詳細分析： 一、核心影響因素：溫度 高溫加速老化 化學機制 ：電解液中
2025-08-08 16:15:421452 在工業(yè)自動化、數(shù)據(jù)中心及眾多關鍵領域，UPS（不間斷電源）的性能直接關系到電力供應的穩(wěn)定性和可靠性。然而，UPS電源的性能并非一成不變，而是受到多種因素的影響。下面對影響UPS電源性能關鍵因素的詳細分析。
2025-08-07 10:21:48742 
濕法刻蝕是半導體制造中的關鍵工藝，其效果受多種因素影響。以下是主要影響因素及詳細分析：1.化學試劑性質與濃度?種類選擇根據(jù)被刻蝕材料的化學活性匹配特定溶液（如HF用于SiO?、KOH用于硅襯底
2025-08-04 14:59:281457 
，不僅推動了技術創(chuàng)新，還促進了產(chǎn)品迭代升級，以滿足全球市場尤其是800G乃至1.6T光模塊日益增長的需求。就在今年上半年，中際旭創(chuàng)、新易盛以及仕佳光子等企業(yè)實現(xiàn)了業(yè)績的增長。 ? 800G / 1.6T 光模塊供不應求，CPO技術成為關注點 隨著全球云廠商對
2025-08-04 10:49:388982 
本文描述了ADC和FPGA之間LVDS接口設計需要考慮的因素，包括LVDS數(shù)據(jù)標準、LVDS接口數(shù)據(jù)時序違例解決方法以及硬件設計要點。
2025-07-29 10:01:265140 
高光譜工業(yè)相機成像的影響因素及選擇
2025-07-23 16:18:51416 
AA電池，也就是常說的五號電池，在我們現(xiàn)代生活中無處不在，為從遙控器和玩具到手電筒和便攜式設備的諸多設備供電。它們的可靠性能對于穩(wěn)定使用至關重要，而電池壽命是便利性和成本效益的關鍵因素。
2025-07-21 14:59:511263 時間回到2022年初，280Ah打破了儲能電池市場的沉寂，一度供不應求。在這種背景下，二線動力電池廠商將目光轉向儲能行業(yè)；同時，儲能電池賽道迎來前所未有的投資熱潮，僅2022年儲能電池相關擴產(chǎn)項目已達26個，投資額合計超過3000億元。
2025-07-17 09:23:05771 DRAM內存市場“代際交接”關鍵時刻2025年PC及服務器市場中，DDR4的滲透率約為20%-30%，而DDR5的滲透率約為70%-80%（TrendForce集邦咨詢）。在AI算力爆發(fā)和先進
2025-07-09 11:11:241702 
電解電容作為電子電路中關鍵的儲能與濾波元件，其可靠性直接影響設備性能與壽命。然而，受材料、工藝、環(huán)境等因素影響，電解電容易發(fā)生多種失效模式。本文將系統(tǒng)梳理其失效因素，并提出針對性預防措施。 一、核心
2025-07-08 15:17:38783 
DDR內存占據(jù)主導地位。全球DDR內存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉向DDR5和HBM（高帶寬內存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
純分享帖，需要者可點擊附件免費獲取完整資料~~~*附件：同步電機失步淺析.pdf【免責聲明】本文系網(wǎng)絡轉載，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請第一時間告知，刪除內容！
2025-06-20 17:42:06
選擇適合的微機消諧器是保障電力系統(tǒng)（尤其是中性點非有效接地系統(tǒng)）安全穩(wěn)定運行的重要環(huán)節(jié)。以下是關鍵因素的詳細分條列舉： 選擇適合微機消諧器的關鍵因素： 1. ?系統(tǒng)基本參數(shù)匹配性： ? ? ?額定
2025-06-13 16:27:50406 在材料研究與生產(chǎn)領域，精準分析材料熱性能至關重要。蘇州高求美達公司經(jīng)過多方調研與嚴格測試，最終選定我司的HS-TGA-101熱重分析儀，為其材料研發(fā)與質量把控注入強大助力。蘇州高求美達熱重分析（TG
2025-06-12 09:47:39761 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，基于產(chǎn)品和市場特性，DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產(chǎn)品具有大容量、高傳輸速率的特點，主要應用于智能手機、個人計算機、服務器等大規(guī)模標準化電子設備。其市場
2025-06-07 00:01:004202 
PARKER派克電機作為工業(yè)自動化領域的核心驅動設備，其壽命直接影響生產(chǎn)效率和運維成本。結合其產(chǎn)品特性及行業(yè)應用場景，以下因素對電機壽命具有顯著影響，需針對性優(yōu)化。
2025-05-27 13:53:471499 激光焊錫膏的較佳溫度和時間對于焊接質量有著至關重要的影響。根據(jù)我們的實驗和研究，較佳的激光焊錫膏溫度和時間取決于多個因素，如焊錫膏的成分、被焊接材料的種類和厚度，以及焊接環(huán)境的條件等。
2025-05-22 09:18:35757 
回顧過去幾年，減速器廠商經(jīng)歷了2017年“供不應求”的黃金時代，2018年“供過于求”的白銀時代，2019年“求生存”的青銅時代，2021年后疫情時代下制造業(yè)的復蘇，工業(yè)機器人需求量增長明顯，減速器
2025-05-12 09:42:171270 
一季度，SK海力士憑借在HBM領域的絕對優(yōu)勢，終結三星長達四十多年的市場統(tǒng)治地位，以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? 當前國際存儲大廠轉向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，疊加關稅出口等這些因素對存儲的后續(xù)市場產(chǎn)生影響。 ?
2025-05-10 00:58:008822 一季度在AI服務器保持穩(wěn)健推動對服務器DRAM需求，PC和移動需求復蘇力度也較預期更為明顯，此外疊加關稅觸發(fā)的部分補庫存需求的共同影響下，2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預期，全球DRAM市場規(guī)模同比
2025-05-06 15:50:231210 
錫絲的直徑對于激光錫焊效果的影響非常大，如何選擇合適的錫絲直徑就顯得非常重要。松盛光電來給大家介紹選擇錫絲直徑的關鍵考慮因素，來了解一下吧。
2025-04-24 10:54:34750 關鍵字:旋轉式測徑儀,測徑儀分辨率,測徑儀精度,測徑儀保養(yǎng),測徑儀維護,測徑儀校準
旋轉式測徑儀的測量精度和分辨率受多種因素影響，以下是對這些影響因素的詳細分析：
一、核心部件性能
1.傳感器精度
2025-04-15 14:20:12
接地電阻柜的價格主要由 技術參數(shù)、材質工藝、品牌服務、附加功能 及 市場因素 決定，核心要點如下：
關鍵價格影響因素
技術參數(shù)：電壓等級（如10kV vs 35kV）、電阻值（Ω）、額定電流（A
2025-04-14 09:01:58581 
與MessageBuffer相關，如果不相關的話，我想知道HwObjectCount的最大配置數(shù)收什么因素的限制？MessageBuffer的最大個數(shù)64又會影響什么配置？（在我個人的理解中，F(xiàn)IFO的大小
2025-04-02 06:10:03
本文通過分析器件制造中的影響因素，提出了版圖設計技術與匹配原則及其應用。
2025-04-01 10:26:491224 
電源濾波器耐壓值的確定需要綜合考慮多種因素，包括工作電壓與電流、浪涌電壓與電流、元件特性與質量、環(huán)境因素、安全標準與規(guī)范、成本與性能平衡。在確定耐壓值時，應充分考慮實際工作環(huán)境和安全規(guī)范，同時要充分考慮成本與性能之間的平衡。
2025-03-20 16:30:58676 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在過去的2024年，SiC市場經(jīng)歷了動蕩的一年。從過去的供不應求，受到大規(guī)模產(chǎn)能釋放的影響，迅速轉變?yōu)楣┻^于求；另一方面，應用需求也出現(xiàn)了分化，全球的電動汽車、工業(yè)市場
2025-03-17 01:10:003845 
本文介紹了硅的導熱系數(shù)的特性與影響導熱系數(shù)的因素。
2025-03-12 15:27:253554 
示，存儲芯片行業(yè)很快將過渡到供不應求狀態(tài)，再加上近期的關稅變化，將影響供應的可用性并增加Sandisk的業(yè)務成本。因此決定從4月1日起開始實施價格上漲，漲幅將超過10%，并適用于所有面向渠道和消費者客戶的產(chǎn)品。同時，還將繼續(xù)進行頻繁的定價審查，預計在接下來的季度會有額
2025-03-10 09:10:07811 
本文要點提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內存應該是每個硬件工程師都繞不開
2025-03-04 14:45:072238 
激光錫焊焊接質量好，效率高，受到很多廠商的歡迎。那么激光錫焊的效率受哪些因素影響呢?松盛光電來給大家介紹分享，來了解一下吧。
2025-03-03 10:14:431168 DRAM，除了LPDDR5X數(shù)據(jù)傳輸率為12700MT/s之外，它是一款16Gb內存，采用該公司第五代10nm級DRAM工藝制造，行業(yè)標準電壓為1.05V。即便在0.9伏的低電壓環(huán)境下，也能穩(wěn)定
2025-02-28 00:07:006337 率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設計的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節(jié)點 DDR5 內存樣品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1
2025-02-26 13:58:15533 影響激光跟蹤儀精度的因素主要有以下幾個方面：一、儀器自身因素-激光發(fā)射系統(tǒng)-激光束發(fā)散角：發(fā)散角小的激光束更集中，傳播中擴散慢，反射光信號強，測距精度高；發(fā)散角過大，信號易變弱，影響精度。-激光器
2025-02-20 11:35:251379 
的匹配性、焊接工藝的選擇以及焊接過程中的熱影響區(qū)等多方面因素。本文將從焊接質量的關鍵因素和檢測方法兩個方面進行綜述。
### 關鍵因素
#### 1. 材料選擇
焊接材料
2025-02-18 09:17:321435 
語音芯片高音質因素包括高分辨率音頻、低失真高動態(tài)范圍、高品質音頻編解碼、深度音頻處理及VR/AR音頻體驗，這些因素共同提升音頻真實性和逼真感，為用戶帶來全新音頻享受。
2025-02-17 14:56:47628 驅動板的參數(shù)配置是一個復雜且關鍵的過程，涉及多個方面。以下是一些主要的參數(shù)配置步驟和考慮因素。
2025-02-14 14:53:22855
在使用高位AD轉換芯片時引起數(shù)據(jù)頻繁跳動的比較明顯因素有哪些？
2025-02-14 08:32:35
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設備的內存需求而設計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和穩(wěn)定性，適用于多種應用場景。目前
2025-02-14 07:28:17
請問計算ADS6442的實際功耗和哪些因素有關，和采樣時鐘什么關系？如何能降低功耗呢
2025-02-14 06:00:42
據(jù)韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內存的順利量產(chǎn)，公司決定對設計進行重大調整。
2025-02-13 16:42:511336 據(jù)韓媒報道，知名分析機構Omdia在其最新報告中預測，2025年前三季度，PC、服務器及移動DRAM內存價格將面臨顯著下滑。 具體而言，Omdia預計2025年上半年，這些內存產(chǎn)品的價格將下降約10
2025-02-11 10:41:561750 據(jù)市場研究機構Omdia于2月7日發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，DRAM市場價格正面臨持續(xù)的下滑趨勢，這一趨勢預計至少將持續(xù)到今年第三季度。導致這一狀況的主要原因是IT產(chǎn)品需求疲軟以及中國公司供應量的增加。
2025-02-10 17:30:40964 )的性能，并顯著降低生成式人工智能系統(tǒng)對DRAM的需求。 Kioxia的AiSAQ?軟件采用了專為SSD優(yōu)化的新型“近似最近鄰”搜索(ANNS)算法。該算法通過直接在SSD上進行搜索，無需將索引數(shù)據(jù)存儲
2025-02-10 11:21:471054 本文介紹了PECVD中影響薄膜應力的因素。 影響PECVD 薄膜應力的因素有哪些？各有什么優(yōu)缺點？ 以SiH4+NH3/N2生成SiNx薄膜，SiH4+NH3+NO2生成SiON薄膜為例，我這邊歸納
2025-02-10 10:27:001660 
本文主要介紹磁性靶材磁控濺射成膜影響因素 ? 磁控濺射作為一種重要的物理氣相沉積技術，在薄膜制備領域應用廣泛。然而，使用磁性靶材（如鎳）時，其特殊的磁性質會對濺射過程和成膜質量產(chǎn)生顯著影響。本文
2025-02-09 09:51:401945 
能達 600 - 800 臺，月產(chǎn)能約 2 萬臺。但面對龐大的市場需求，這一產(chǎn)能遠遠不夠，致使 SU7 車型月交付量受限在 2 萬臺級別，供不應求的局面亟待解決。雷軍更是為小米汽車立下 2025 年交付 30 萬輛的目標，當下的產(chǎn)能顯然難以支撐。 為了實現(xiàn)
2025-02-08 11:32:331177 近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖，市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢
2025-02-07 17:08:291017 近日，據(jù)市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出，DRAM內存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面，春節(jié)長假過后，消費者對于DRAM的需求并未如預期
2025-02-06 14:47:47930 局面，購買RTX 5090的消費者可能需要等待長達16周的時間才能收到他們的顯卡。 這一情況無疑給計劃升級顯卡的消費者帶來了不小的困擾。據(jù)了解，目前全球顯卡市場供不應求，零售商在庫存方面普遍面臨困境。而Blackwell等渠道也未能幸免，這意味著在短期內，顯卡供應緊張的問題不太可能得到緩解。 面對
2025-02-06 14:04:31913 和外部兩個方面的因素。 外部因素 雷擊：雷擊是導致浪涌的一個常見且強大的外部因素。當雷電擊中電力線路或附近地面時，會在瞬間釋放出巨大的能量。一方面，直擊雷若直接擊中電力線路，強大的雷電流會瞬間注入線路，使線路電
2025-02-05 14:33:002826 的主要因素，因此了解、影響電容壽命的因素非常重要。 解電容的壽命取決于其內部溫度。因此，電解電容的設計和應用條件都會影響到電解電容的壽命。從設計角度，電解電容的設計方法、材料、加工工藝決定了電容的壽命和穩(wěn)定性。而對應
2025-01-28 15:47:004373 據(jù)報道，三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內存產(chǎn)品策略的新一輪關注。 此前有報道指出，三星電子為應對其12nm級
2025-01-23 15:05:11921 據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 光通信，也稱為光纖通信，是一種利用光波在光纖中傳輸信息的技術。它具有高帶寬、高速度、抗干擾性強等優(yōu)點，已成為現(xiàn)代通信網(wǎng)絡的主流技術之一。然而，光通信的傳輸距離受到多種因素的影響，以下是一些主要
2025-01-23 09:39:051952 據(jù)韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107 近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上，全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071408 電磁波譜是指不同頻率和波長的電磁波的集合，它們在自然界和人造設備中廣泛存在。電磁波譜包括從低頻的無線電波到高頻的伽馬射線等多種類型的電磁波。影響電磁波譜的外部因素有很多，以下是一些主要的因素： 大氣
2025-01-20 16:52:251707 本文介紹了CVD薄膜質量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質量影響因素 以下將以PECVD技術沉積薄膜作為案例，闡述影響薄膜品質的幾個核心要素。 PECVD工藝質量主要受氣壓、射頻能量、襯底溫度
2025-01-20 09:46:473313 
UPS（不間斷電源）是現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、家庭等環(huán)境中不可或缺的電源保護設備，它能夠在市電中斷時提供臨時電力，保障關鍵設備的正常運行。然而，UPS的續(xù)航能力受到多種因素的影響，以下是一些主要
2025-01-19 10:03:521535 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-825: iCoupler隔離產(chǎn)品的電源考慮因素.pdf》資料免費下載
2025-01-15 16:33:22
0
buffer處不應該是output類型嗎？還是說僅僅IBIS無法仿真？
2025-01-15 07:21:47
電流互感器（CT）是電力系統(tǒng)中用于測量和保護電流的關鍵設備。它的主要功能是將高電流轉換為低電流，以便測量和保護裝置能夠安全、準確地工作。然而，CT的測量精度受到多種因素的影響，這些因素可能會
2025-01-14 09:46:152543 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-793: iCoupler隔離產(chǎn)品的ESD/閂鎖考慮因素.pdf》資料免費下載
2025-01-13 15:09:510 的首要因素。不同的元素和化合物具有不同的電子結構和化學鍵，這些因素決定了材料在電場中的極化能力。 1.1 極性分子的影響 極性分子由于其分子結構的不對稱性，具有固有的電偶極矩。在外加電場作用下，這些偶極矩會重新排列，增強材
2025-01-10 09:53:074370 影響HT25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？
2025-01-08 16:05:031429 據(jù)業(yè)內消息，美光科技預計今年將繼續(xù)積極擴大其DRAM產(chǎn)能，與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼，美光近期將具體落實對現(xiàn)有DRAM工廠進行改造的投資計劃。
去年底，美光科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561306 SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外，其他領先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091301 邊緣計算網(wǎng)關不僅負責數(shù)據(jù)的收集、處理和轉發(fā)，還通過實時分析和決策，提高整體系統(tǒng)的運行效率。然而，在選購邊緣計算網(wǎng)關時，我們需要綜合考慮多個因素，以確保所選設備能夠高效、安全地支撐起物聯(lián)網(wǎng)應用的穩(wěn)定
2025-01-07 16:19:56706 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論