NSBC115TDP6 雙NPN雙極數(shù)字晶體管（BRT）

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：雙NPN偏置電阻晶體管R1 =100kΩ，R2 =∞kΩ

該系列數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管（BRT）包含一個(gè)單晶體管，其單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻組成;一系列基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻。 BRT通過(guò)將這些組件集成到單個(gè)設(shè)備中來(lái)消除這些組件。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。

特性
簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
減少電路板空間
減少元件數(shù)量
需要獨(dú)特站點(diǎn)和控制變更要求的汽車(chē)和其他應(yīng)用的S和NSV前綴; AEC-Q101合格且PPAP能力
這些器件均為無(wú)鉛，無(wú)鹵素/ BFR，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

電路圖、引腳圖和封裝圖

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）相關(guān)資料（4）

數(shù)據(jù)表：雙NPN偏置電阻晶體管R1 =100kΩ，R2 =∞kΩ

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