FAN3121和FAN3122 MOSFET驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于通過提供高峰值電流脈沖來驅(qū)動(dòng)低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器具有TTL輸入閾值（FAN312xT）或VDD比例CMOS輸入閾值（FAN312xC）。內(nèi)部電路通過將輸出保持在低電平直到電源電壓在工作范圍內(nèi)來提供欠壓鎖定功能。
FAN312x驅(qū)動(dòng)器在最終輸出級(jí)采用MillerDrive?架構(gòu)。這種雙極/ MOSFET組合在MOSFET導(dǎo)通/關(guān)斷過程的米勒平臺(tái)階段提供最高峰值電流。
FAN3121和FAN3122驅(qū)動(dòng)器在引腳3（EN）上實(shí)現(xiàn)了一個(gè)使能功能，此前未在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引腳。該引腳內(nèi)部上拉至VDD，用于高電平有效邏輯，可以保持開路以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)操作。
商用FAN3121 / 22采用3x3 mm 8引線熱增強(qiáng)型MLP封裝或8引腳SOIC封裝。
FAN3122TM1X-F085采用SO8封裝，帶有裸露焊盤，可增強(qiáng)快速開關(guān)應(yīng)用的散熱，例如EV / HEV中的板載充電器。