優(yōu)勢和特點(diǎn)

• 非反射 50 Ω 設(shè)計(jì)
• 高隔離：2 GHz 時為 62 dB
• 低插入損耗：2 GHz 時為 1.0 dB
• 高輸入線性度
  • 1 dB 功率壓縮 (P1dB)：34 dBm（典型值）
  • 3 階交調(diào)點(diǎn) (IP3)：53 dBm（典型值）
• 高功率處理能力
  • 33.5 dBm 直通路徑，V_DD = 5 V
  • 26.5 dBm 終止路徑

• 單一正電源：3 V 至 5 V
• CMOS/TTL 兼容控制
• 全關(guān)閉狀態(tài)控制
• 16 引腳 4 mm × 4 mm LFCSP
• 引腳與 HMC8038 兼容

產(chǎn)品詳情

HMC349ALP4CE 是一款工作頻率范圍為 100 MHz 至 4 GHz 的砷化鎵 (GaAs) 單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。

HMC349ALP4CE 具有隔離度高 (62 dB)、插入損耗低 (1.0 dB)、輸入 IP3 高 (53 dBm) 和輸入 P1dB 高 (34 dBm) 等特性，因此適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。

HMC349ALP4CE 使用電壓為 3 V 至 5 V 的單一正電源工作，并且提供一個與 CMOS/TTL 兼容的控制接口。

HMC349ALP4CE 采用符合 RoHS 指令的 16 引腳 4 mm × 4 mm 引線框芯片尺寸級封裝 (LFCSP)。

應(yīng)用

• 無線基礎(chǔ)設(shè)施
• 移動無線電
• 測試設(shè)備

方框圖