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FDC6324L 集成式負(fù)載開關(guān)

數(shù)據(jù):

這些集成的負(fù)載開關(guān)采用飛兆專有的,高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件特別適合需要低傳導(dǎo)損耗和輕松驅(qū)動(dòng)的低壓高邊負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
特性
  • VDROP = 0.2V @ VIN = 12V,IL = 1A,VON / OFF = 1.5V至8V
    VDROP = 0.3V @ VIN = 5V,IL = 1A,VON / OFF = 1.5V至8V
  • 為極低導(dǎo)通電阻而設(shè)計(jì)的高單元密度
  • VON / OFF齊納二極管保護(hù)可增強(qiáng)耐靜電放電能力
    > 6kV人體模型
  • SuperSOT?-6封裝設(shè)計(jì)(使用銅引線框架),可提供出色的熱和電氣能力
應(yīng)用
  • 本產(chǎn)品i一般用法,適用于許多不同的應(yīng)用。

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1) 相關(guān)資料(5)
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