這些N溝道增強模式功率場效應晶體管采用飛兆半導體專有的高單元密度DMOS技術生產(chǎn)。 這一密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻，提供穩(wěn)固和可靠的性能以及快速開關而定制的。 NDS0605 在需要高達0.18A直流電的大多數(shù)應用中可輕松使用，并且可提供高達1A的脈沖電流。 該產(chǎn)品特別適合需要低電流高邊開關的低電壓應用。

• -0.18 A, -60 V. R
• = 5 ? @ V
• = -10 V.
• 電壓控制的P溝道小信號開關。
• 高密度單元設計可實現(xiàn)極低的 R
• 。
• 高飽和電流。