SuperSOT?-3 N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦、手提電話、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，此類應(yīng)用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中提供快速開關(guān)和低線路內(nèi)功率損耗。

• 1.7 A，30 V。 R
• = 0.125 Ω @ V
• = 4.5 V
• R
• = 0.085 Ω @ V
• = 10 V
• 采用專有SuperSOT?-3技術(shù)設(shè)計的工業(yè)標準SOT-23表面貼裝封裝，可實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能
• 高密度設(shè)計可實現(xiàn)極低的R
• 出色的導(dǎo)通阻抗和最大DC電流能力
• 緊湊的工業(yè)標準SOT-23表面貼裝封裝