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### 一、NCE70T2K2K-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 NCE70T2K2K-VB 是一款**單 N 溝道功率 MOSFET**，采用**TO-252 封裝**，專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的**漏源電壓 (V_DS)** 高達(dá) **700V**，適合在高壓環(huán)境中使用。柵源電壓 (V_GS) 最大可達(dá)±30V，使其能夠滿足多種控制電路的要求。該 MOSFET 的

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NP60N055VUK-VB 是一款高效能單N通道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為需要高電壓和高電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 60V 的漏極-源極電壓（VDS）和 97A 的連續(xù)電流（ID），結(jié)合先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗。這使得 NP60N055VUK-VB 特別適合于高效電源管理和高頻開

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NP90N06VLG-E2-AY-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)越的熱管理特性使其在電源管理、功率轉(zhuǎn)換及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域展現(xiàn)出色的效率和穩(wěn)定性。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **封裝類型**：TO252- **配置**：?jiǎn)蜰溝道- **VDS**：60V- **VGS**：±2

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NTD2955PT4G-VB是一款高效的P溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻，適合在多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中使用，其Trench技術(shù)確保了可靠的性能和熱管理。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **配置**: 單個(gè)P溝道- **最大漏源電壓 (VDS)**: -60V- **柵源電壓 (VGS)

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NTD3055VL-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高效開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。憑借其良好的導(dǎo)通電阻和適中的電流處理能力，NTD3055VL-VB在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他多種電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠滿足多種工作條件下的需求。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **封裝**：TO252- **配置**：?jiǎn)蝹€(gè)N溝道- **VDS**：

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NTD4813NT4G-VB是一款高效的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電流和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。其先進(jìn)的Trench技術(shù)使其在高頻開關(guān)和電源管理中表現(xiàn)卓越，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)的整體能效。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **配置**: 單個(gè)N溝道- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V- **柵源電壓 (VGS)**: ±

### NTD60N02RG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NTD60N02RG-VB 是一款高效的單N通道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的電流承載能力使其在電源管理及其他開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。憑借先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，NTD60N02RG-VB 能在多種負(fù)載條件下提供穩(wěn)定和高效的性能，廣泛適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品。##

### NTD80N02-001-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NTD80N02-001-VB 是一款高性能的單N通道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻使其在多種開關(guān)和電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。NTD80N02-001-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，能夠在多種負(fù)載條件下提供穩(wěn)定的性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介NTD85N02R-001-VB是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，適合各種功率應(yīng)用，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，能夠有效提升系統(tǒng)效率和熱管理性能。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **封裝**：TO252- **配置**：Single-N-Channel- **最大漏源電壓（VDS）**：20V- **柵源電壓（VGS）**：

特點(diǎn)FM17580 是一款高度集成的工作在13.56MHz 下的非接觸通訊芯片，支持以下2 種不同的工作模式。支持符合ISO/IEC 14443 TypeA 協(xié)議的讀寫器模式，支持符合ISO/IEC 14443 TypeB 協(xié)議的讀寫器模式。同時(shí)提供了低功耗的快速發(fā)場(chǎng)功能，方便電池供電、需要低功耗工作、并且需要實(shí)時(shí)處理任意時(shí)刻會(huì)進(jìn)入射頻場(chǎng)的外部卡片的讀寫器設(shè)