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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC67D8UFDBQ 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號: DMC67D8UFDBQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC67D8UFDBQ
  • 名稱 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC67D8UFDBQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC67D8UFDBQ 這種MOSFET設(shè)計用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),由PPAP,非常適合用于:
負(fù)載開關(guān)


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC67D8UFDBQ
名稱            互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝             U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60, 20 V
|VGS| (±V) 20, 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.39, 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.89 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4000, mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4100, 72 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5, 1.25 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.4,7.3 nC
CISS Typ (pF) 41, 443 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25,16 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型,最大高度為 0.6mm
ESD 保護(hù)柵極


相關(guān)型號
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