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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMG1013T 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMG1013T

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMG1013T
  • 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT323

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG1013T 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG1013T 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RDS(on)),并且仍然保持優(yōu)異的切換性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
DC-DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)載開關(guān)
電源管理功能


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMG1013T
名稱            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             SOT323


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.46 A
PD @TA = +25°C (W) 0.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 900 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1300 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.58 nC
CISS Typ (pF) 59.76 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號(hào)
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