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半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的，所以也叫場效應(yīng)三極管(FET)，簡稱場效應(yīng)管。

本應(yīng)用筆記介紹如何配置高速微控制器或超高速閃存微控制器的UART，以便與支持SCI的設(shè)備通信。它首先簡要討論了SCI和UART模塊之間的差異，并以一個實際示例結(jié)束，說明如何配置基于8051的達(dá)拉斯半導(dǎo)體微控制器UART以與SCI模塊通信。

近日，中國科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議（IEEE ISPSD）。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國際上重要的知名學(xué)術(shù)會議，ISPSD 2023于5月28日至6月1日在中國香港舉辦。會上，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長龍世兵教授受邀作了題為“Gallium Oxide Vertical Power Devices: Technology, Design and Applications”的大會Short course報告，向國際同行介紹了氧化鎵（β-Ga2O3）作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料在肖特基勢壘二極管（SBD）、異質(zhì)PN結(jié)二極管（PND）、場效應(yīng)晶體管（FET）和功率IC等電力電子器件中的重要應(yīng)用，系統(tǒng)介紹了Ga2O3基功率器件的發(fā)展，包括β-Ga2O3單晶襯底和外延膜生長，SBD、PND和MOSFET功率器件的仿真、設(shè)計和研制，以及β-Ga2O3功率模塊的設(shè)計研制，現(xiàn)場反響熱烈。

近期，北京大學(xué)彭練矛教授、王勝副研究員在清華大學(xué)主辦的高起點新刊Nano Research Energy上發(fā)表題為“Recent Progress of Photodetector based on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章，該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備、碳納米管薄膜紅外探測器以及碳納米管光電集成研究方面的最新進(jìn)展。 圖1 碳納米管探測器和光電集成 碳納米管材料由于具有高紅外吸收系數(shù)（3×10? cm?1）、高遷移率（10? cm2 V s?1）、基底

n型半導(dǎo)體是指以磷（P）、砷（As）或銻（Sb）作為雜質(zhì)進(jìn)行摻雜的本征半導(dǎo)體。第IV組的硅有四個價電子，第V組的磷有五個價電子。

光在激光器中是經(jīng)過以下過程產(chǎn)生的：物質(zhì)中的電子從激發(fā)態(tài)能級躍遷到較低能級，發(fā)射光子，貢獻(xiàn)于激光 束的產(chǎn)生。因此，光與物質(zhì)之間的基本相互作用是分析激光器運(yùn)行和激光特性的基礎(chǔ)。這一節(jié)簡略描述激光 材料中的原子/ 分子與生成激光的光子之間的相互作用。 能級 原子能級由原子中的電子與原子核及其他電子的相互作用決定。電子從一個能級移動或者躍遷到另一個能級， 會吸收或者發(fā)射一定能量。這是光子與物質(zhì)中的原子相互作用的主要機(jī)

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子元器件。它具有單向?qū)щ娦阅芴匦?具有正向特性和反向特性)，即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導(dǎo)通。當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開。

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)品提供飛躍的機(jī)遇。

目前，微電子產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐步演變?yōu)樵O(shè)計、制造和封裝三個相對獨(dú)立的產(chǎn)業(yè)。微電子封裝技術(shù)即半導(dǎo)體封裝技術(shù)，又稱先進(jìn)集成電路封裝。半導(dǎo)體封裝包括組裝（Assembly）和封裝（Packing）兩個方面，它是將數(shù)萬計的半導(dǎo)體元器件組裝成一個緊湊的封裝體，與外界進(jìn)行信息交流，它的基本功能包括電源供給、信息交流、散熱、芯片保護(hù)和機(jī)械支撐。半導(dǎo)體封裝一般可分為4個主要層次。

電子封裝是集成電路芯片生產(chǎn)完成后不可缺少的一道工序，是器件到系統(tǒng)的橋梁。封裝這一生產(chǎn)環(huán)節(jié)對微電子產(chǎn)品的質(zhì)量和競爭力都有極大的影響。按目前國際上流行的看法認(rèn)為，在微電子器件的總體成本中，設(shè)計占了三分之一，芯片生產(chǎn)占了三分之一，而封裝和測試也占了三分之一，真可謂三分天下有其一。