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太空中的電子系統(tǒng)暴露在大量危險(xiǎn)之中。除此之外，如果沒(méi)有地球保護(hù)磁場(chǎng)使粒子偏轉(zhuǎn)，沒(méi)有地球大氣層吸收太陽(yáng)及宇宙射線，系統(tǒng)將暴露在更大強(qiáng)度的波輻射及粒子輻射中。半導(dǎo)體器件特別容易受到粒子輻射的影響，這可能會(huì)導(dǎo)致組件或系統(tǒng)故障。

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。

在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。

縱觀芯片發(fā)展的歷史，總是離不開(kāi)一個(gè)人們耳熟能詳?shù)母拍?——“摩爾定律”。

負(fù)反饋什么時(shí)候會(huì)變成正反饋？當(dāng)控制工程師想要實(shí)現(xiàn)不錯(cuò)的增益和相位裕度時(shí)。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計(jì)人員提供理想性能和多種器件選擇，同時(shí)支持更高的設(shè)計(jì)靈活性，從而實(shí)現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計(jì)。

安科瑞 宣依依 摘 要： 半導(dǎo)體生產(chǎn)制造業(yè)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中起著舉足輕重的作用，相關(guān)企業(yè)的規(guī)模也越來(lái)越大。其供配電系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠的運(yùn)維不僅是其安全生產(chǎn)的基本保證，還關(guān)系到產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)的順利進(jìn)行。而半導(dǎo)體行業(yè)中大部分工藝設(shè)備對(duì)電能質(zhì)量比較敏感，電壓暫降、諧波等電能質(zhì)量問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致設(shè)備損壞、生產(chǎn)材料報(bào)廢等產(chǎn)生較大的經(jīng)濟(jì)損失。因此，需要對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)裝設(shè)電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)裝置來(lái)監(jiān)測(cè)供電的電能質(zhì)量。 關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體；電能質(zhì)量；

首先說(shuō)一下霍爾效應(yīng)。從材料，原理，應(yīng)用方面進(jìn)行講述。 先說(shuō)材料，霍爾元器件材料為半導(dǎo)體，主要的有鍺，硅，或者或者多層半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子阱材料等。 另外針對(duì)半導(dǎo)體在進(jìn)行講述：我們經(jīng)過(guò)常說(shuō)半導(dǎo)體，到底什么是半導(dǎo)體，如何界定是否為半導(dǎo)體。通常我們把材料分為導(dǎo)體，半導(dǎo)體，絕緣體，真正的導(dǎo)體我們稱之為超導(dǎo)材料，但是生活中并不存在整個(gè)整的導(dǎo)體，同樣的當(dāng)電壓電流足夠大導(dǎo)體也可以導(dǎo)電，那么我們要如何界定材料是否為導(dǎo)體

Protues教程第二講：動(dòng)態(tài)數(shù)碼管

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。

晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過(guò)拋光的半導(dǎo)體晶圓，在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起，該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異較大的材料進(jìn)行鍵合時(shí)，傳統(tǒng)的高溫鍵合方法已經(jīng)不再適用。如何在較低退火溫度甚至無(wú)需加熱的室溫條件下，實(shí)現(xiàn)牢固的鍵合是晶圓鍵合領(lǐng)域的一項(xiàng)挑戰(zhàn)。本文以晶圓直接鍵合為主題，簡(jiǎn)單介紹了硅熔鍵合、超高真空鍵合、表面活化鍵合和等離子體活化鍵合的基本原理、技術(shù)特點(diǎn)和研究現(xiàn)狀。除此之外，以含氟等離子體活化鍵合方法為例，介紹了近年來(lái)在室溫鍵合方面的最新進(jìn)展，并探討了晶圓鍵合技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。