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廣義而言，半導(dǎo)體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管，即半導(dǎo)體電路的基本元件，也可以構(gòu)建新的一層，將其作為基板并在上面形成器件。

這期內(nèi)容同樣是關(guān)于現(xiàn)有的ACF控制器SZ1131中的控制方案。該控制器出自Silanna 半導(dǎo)體公司。不過(guò)，與前面兩種控制器中實(shí)現(xiàn)的ACF專用控制策略不同的是，該控制器將ACF所需要的鉗位管和反激控制器結(jié)合，實(shí)現(xiàn)ACF的功能控制。因此，該控制器使ACF適配器具有更小的封裝體積和更高的功率密度輸出。

電動(dòng)汽車、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開(kāi)和關(guān)的策略。

納米線(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個(gè)極好的平臺(tái)， 從而研究如何使納米線的表面功能化，由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性，導(dǎo)致我們需要考慮如何使納米線的表面功能化，從而以良好的選擇性檢測(cè)特定的氣體分子。

對(duì)普通整流二極管來(lái)講，只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開(kāi)啟關(guān)斷、雷擊、開(kāi)關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下，瞬間電壓高于二極管反向擊穿電壓值時(shí)，就可能產(chǎn)生電壓損傷參數(shù)衰減或完全擊穿短路開(kāi)路的情況。 對(duì)保護(hù)二極管來(lái)說(shuō)，就是電路中存在高于器件保護(hù)電壓的，造成保護(hù)器件連續(xù)導(dǎo)通，使保護(hù)器件永久損傷不可恢，即可能發(fā)生電壓損傷參數(shù)衰減或完全擊穿短路開(kāi)路的情況。電壓擊穿失效時(shí)間無(wú)固定規(guī)律，但較大概率發(fā)在開(kāi)關(guān)機(jī)瞬間。

基于硬件的安全性提供了針對(duì)網(wǎng)絡(luò)攻擊的強(qiáng)大保護(hù)，當(dāng)實(shí)現(xiàn)加密功能的芯片使用時(shí)，物理不可克隆功能（PUF）技術(shù)可以進(jìn)一步增強(qiáng)該級(jí)別的保護(hù)。本應(yīng)用筆記討論了一種新的PUF半導(dǎo)體解決方案，稱為ChipDNA技術(shù)，該解決方案利用了MOSFET晶體管的隨機(jī)模擬特性，MOSFET晶體管是CMOS IC的基本構(gòu)建模塊。

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來(lái)越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開(kāi)關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。。 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應(yīng)用

原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

特別地，在德國(guó)工業(yè)4.0不僅僅在商業(yè)界具有高知名度。由于其經(jīng)濟(jì)影響，工業(yè)4.0也受到政治推動(dòng)，例如進(jìn)一步發(fā)展德國(guó)制造業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。在這種情況下，政府官員正在推動(dòng)一種將供應(yīng)商視角和用戶公司視角結(jié)合起來(lái)的雙重戰(zhàn)略，主要領(lǐng)域是工業(yè)自動(dòng)化和工廠工程。為此，制造商必須將最新技術(shù)用于自己的生產(chǎn)過(guò)程，另一方面還要將這些技術(shù)和產(chǎn)品投向市場(chǎng)。

半導(dǎo)體材料wafer、光伏硅片的電阻率非接觸式測(cè)量、霍爾遷移率測(cè)試儀