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肖特基二極管由金屬到N結(jié)構(gòu)成，而不是由PN半導體結(jié)構(gòu)成。肖特基二極管也稱為熱載流子二極管，其特點是開關時間快(反向恢復時間短)、正向壓降低(金屬硅結(jié)通常為0.25V至0.4V)和低結(jié)電容。

本文分為三個部分。前兩部分討論控制系統(tǒng)理論、一般降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器拓撲以及如何設計DC-DC控制環(huán)路。在第三部分中，我們以MAX25206為例，說明如何應用控制理論來評估和設計DC-DC控制環(huán)路。

這是我們飛行時間（ToF）系列的第一篇文章，將概述連續(xù)波（CW）CMOS ToF相機系統(tǒng)技術及其相對于機器視覺應用傳統(tǒng)3D成像解決方案的優(yōu)勢。后續(xù)文章將深入探討本文介紹的一些系統(tǒng)級組件，包括照明子系統(tǒng)、光學器件、電源管理和深度處理。

氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機械穩(wěn)定的寬帶隙半導體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的導熱性和更低的導通電阻，其性能明顯優(yōu)于硅基器件。氮化鎵晶體可以在各種襯底上生長，包括藍寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。通過在硅上生長GaN外延層，可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎設施，而無需昂貴的專業(yè)生產(chǎn)站點，并以低成本利用現(xiàn)成的大直徑硅晶圓。

InAs1-xSbx屬于III-V族化合物半導體合金材料，隨Sb組分含量的不同，室溫下可覆蓋3~12μm波長，并且InAsSb材料具有載流子壽命長、吸收系數(shù)大、載流子遷移率高等優(yōu)點，是一種具有廣闊應用前景的紅外光電材料。探測器可以在150K甚至近室溫下工作，具有較高的靈敏度和探測率，是低功耗、小型化、高靈敏度和快響應中長波紅外探測系統(tǒng)的良好選擇，InAsSb中長波紅外探測器受到廣泛的關注和研究。當前對InAsSb紅外探測器的研究主要集中在以下幾個方面：在二元GaSb或GaAs襯底上延伸響應波長；高溫工作紅外探測器；采用勢壘結(jié)構(gòu)、浸沒透鏡、等離子增強技術提高紅外探測器性能等。

PN結(jié)：如下圖所示，N區(qū)電子向P區(qū)擴散，P區(qū)空穴向N區(qū)擴散。電子空穴相遇，將消失。于是交界處產(chǎn)生由不能移動的正負離子組成的空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié)、耗盡層。

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)品提供飛躍的機遇。

按照存儲介質(zhì)的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學存儲器、磁性存儲器和半導體存儲器三類。光學存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬盤等。半導體存儲器是目前存儲領域市場規(guī)模最大的存儲器件。自上世紀 40 年代電子計算機問世以來，計算機存儲設備隨著其他硬件設備的發(fā)展和軟件、數(shù)據(jù)量的不斷增長處于持續(xù)的迭代更新中。整體來看，存儲介質(zhì)經(jīng)歷了磁-光-半導體的變化歷程，帶來了單位存儲器容量的大幅上升、數(shù)據(jù)讀寫速度的躍升以及存儲器單位物理體積的顯著縮小。

目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO，但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì)，因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來替換氧化物燒結(jié)助劑，如 YF3-MgO、MgF2-Y2O3、Y2Si4N6C-MgO、MgSiN2-YbF3 等在提高熱導率方面也取得了非常不錯的效果。

半導體二極管具有單向?qū)щ娦?，可用于整流、檢波、穩(wěn)定、混頻電路中。