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高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺(tái)，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動(dòng)增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85 eV的大帶隙和晶體生長方面的突破，導(dǎo)致了2012年第一個(gè)Ga2O3晶體管的演示。Ga2O3有希望成為電力電子平臺(tái)，但在未來十年將這種UWBG半導(dǎo)體投入商用存在挑戰(zhàn)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快、存儲(chǔ)密度高、耗電量少、耐震等特點(diǎn)。

二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級(jí)薄的厚度，其受到靜電場(chǎng)屏蔽效應(yīng)大大減弱，利用門電壓可以對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管(Memtransistor)可以模擬人腦中復(fù)雜的突觸活動(dòng)，有望應(yīng)用于未來非馮架構(gòu)的神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等。此外，相比于平面構(gòu)型，二維納米功能材料通常具有開放且潔凈的界面，這使其能夠進(jìn)行任意垂直組裝，可實(shí)現(xiàn)硅基半導(dǎo)體工藝所不能兼容的多層向上集成范式，從而在單位面積內(nèi)沿z軸獲得更高密度集成。因此，基于垂直架構(gòu)的二維納米電子學(xué)器件，已經(jīng)成為當(dāng)前延續(xù)摩爾定律的一個(gè)重要研究方向。迄今為止，針對(duì)鐵電二維材料憶阻晶體管的研究仍然匱乏，尤其是具有垂直構(gòu)型的門電壓可調(diào)的憶阻器件的研究一直缺失，主要原因是傳統(tǒng)基于隧穿架構(gòu)的二維憶阻器難以在垂直方向兼具更高性能

大連理工大學(xué)劉立釗老師課題組 0 1 ? 引言 ? 在能源領(lǐng)域，氫能是解決能源危機(jī)的一種重要的清潔能源。從環(huán)保的角度，電解水是制備氫氣的有效途徑。然而，電解水過程中緩慢的陰極析氫反應(yīng)和陽極析氧反應(yīng)嚴(yán)重限制了制氫效率。因此，尋找高效的電催化劑用以提升電解水的制氫效率尤為重要。 ? ? 過渡金屬磷化物由于其理想的電子結(jié)構(gòu)、豐富的化學(xué)成分以及晶體狀的結(jié)構(gòu)是電解水催化劑的有力候選材料，從金屬轉(zhuǎn)移到磷上的電子可以形成“集團(tuán)效應(yīng)

閾值電壓是電子流經(jīng)通道所需的最小電壓。它用V表示千的場(chǎng)效應(yīng)管。此外，當(dāng)導(dǎo)電通道剛準(zhǔn)備連接到晶體管的源極和漏極觸點(diǎn)時(shí)，它是柵源電壓的值。這允許大量的電流流動(dòng)。遷移率是測(cè)量載流子（電子或空穴）在電場(chǎng)存在下通過半導(dǎo)體的速度。半導(dǎo)體遷移率取決于雜質(zhì)濃度、溫度、電子和空穴濃度。遷移率是電場(chǎng)與導(dǎo)電材料中載流子的漂移速度之間的比例常數(shù)。取決于半導(dǎo)體晶體的質(zhì)量、晶體中雜質(zhì)的數(shù)量和溫度。

　　MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。

肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡稱SBD），是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成的二極管如圖 1所示，其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌。s0.45V），反向恢復(fù)時(shí)間短和開關(guān)損耗小，是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖1所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

CMOS全稱是Complementary Metal-Oxide-Semiconductor。中文學(xué)名為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體。

等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)沉積。離子注入使用等離子體源制造晶圓摻雜所需的離子，并提供電子中和晶圓表面上的正電荷。物理氣相沉積(PVD)利用離子轟擊金屬靶表面，使金屬濺鍍沉積于晶圓表面。遙控等離子體系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于清潔機(jī)臺(tái)的反應(yīng)室、薄膜去除及薄膜沉積工藝中。

激光退火系統(tǒng)采用激光光源的能量來快速加熱晶圓表面到臨界溶化點(diǎn)溫度。由于硅的高導(dǎo)熱性，硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統(tǒng)可以在離子注入后以最小的雜質(zhì)擴(kuò)散激活摻雜物離子，這種技術(shù)已被用于后45nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)。激光退火系統(tǒng)可用于尖峰退火系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的結(jié)果。