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將終端用戶設(shè)備連接到中央電信網(wǎng)絡(luò)和云的無線接入網(wǎng)（RAN）和相關(guān)的核心網(wǎng)絡(luò)層次結(jié)構(gòu)，對于構(gòu)建無處不在的蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接至關(guān)重要，它將擴(kuò)大該技術(shù)所支持的應(yīng)用場景的數(shù)量和廣度。在制定開發(fā)和實施5G RAN和核心設(shè)備戰(zhàn)略時，要對5G的要求有一個深層次的理解，并了解該技術(shù)將在何處、如何以及何時發(fā)展，有助于管理預(yù)期。 本文概述了5G標(biāo)準(zhǔn)和推廣的現(xiàn)狀，總結(jié)了5G RAN需要支持的全新的應(yīng)用場景，并研究了標(biāo)準(zhǔn)的演進(jìn)以支持更高的帶寬和更多的應(yīng)用

2022年5月24日?– 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與電子工程和汽車領(lǐng)域的知名解決方案供應(yīng)商Phoenix Contact聯(lián)手推出了一個全新的微網(wǎng)站，專門介紹Phoenix Contact的儲能設(shè)備產(chǎn)品組合。設(shè)計師和工程師可以點擊https://www.mouser.cn/new/phoenix-contact/phoenix-contact-energy-storage-solutions/來訪問此微網(wǎng)站。 ? 這個新頁面提供一套用于設(shè)計和開發(fā)儲能系統(tǒng)的資源，包括詳細(xì)的信息圖，為工程師提供有關(guān)儲能系統(tǒng)設(shè)計

2022年5月18日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（RICHTEK）RT7790+RT7208E芯片的65W Type-C適配器方案。 ? ? 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于RICHTEK產(chǎn)品的65W Type-C適配器方案的展示板圖 ? 在高效的智能時代，電子產(chǎn)品在人們的日常生活中所占有的比重越來越大。然而隨著技術(shù)的不斷提升，雖然電子產(chǎn)品的功能和性能都有了巨大進(jìn)步，但作為其動能來源的電池技術(shù)卻一直沒有追上電子產(chǎn)品發(fā)展的腳步。即便各

本文講了我們?nèi)A林科納研究了半導(dǎo)體襯底的光電效應(yīng)，接觸電位引起的腐蝕可以加速，光照度可以增加Pt/GaAs邊界之間的接觸電位，從而增強(qiáng)GaAs/溶液界面和Pt/溶液界面的極化，從而加速砷化鎵的陽極溶解，基于這一原理，證明了光增強(qiáng)的電化學(xué)機(jī)制可以提高ECNL的效率。

奈梅亨，2022年5月16日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出適用于電力應(yīng)用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標(biāo)準(zhǔn)版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復(fù)的應(yīng)用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。 ? 在現(xiàn)代汽車架構(gòu)中，電子控制單元(ECU)的數(shù)量正逐漸

前言 HIOKI日置科技新品發(fā)布了電壓偏置測試系統(tǒng)CN010，通過我司LCR測試儀、電壓偏置單元搭配定制的測試軟件，幫助半導(dǎo)體行業(yè)的用戶快速完成SiC、GaN、MLCC的偏壓測試，輕松把握半導(dǎo)體器件的直流偏置特性研究。 ? ? 測試原理 C-V測量廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，研發(fā)端的工程師往往采用C-V測量技術(shù)評估新材料、開發(fā)前的驗證評估工作，測試端的工程師會對一些被動元器件和功率器件、對供貨商的材料進(jìn)行資格檢驗，檢測工藝參數(shù)。 HIOKI日置C-V測試系統(tǒng)的

化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸?？紤]了直徑為0.1和1.0m的氧化鋁顆粒粘附在拋光二氧化硅和銅表面的模型系統(tǒng)。結(jié)果表明，流體力學(xué)力量可以去除部分粘附顆粒，但必須發(fā)生刷狀顆粒接觸才能去除所有的粘附顆粒。

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。 ? 泛林集團(tuán)在與比利時微電子研究中心?(imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。 ? 這項研究的目的是

該聯(lián)合設(shè)計還建議如何以采用NUD3112LT1G的蓋鎖來確保人不會直接暴露于UVC，并防止用戶打開消毒盒蓋直至完成消毒周期。

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過顯示鏡反應(yīng)離子蝕刻處理的p-Si（100）樣品的成分譜結(jié)果，以及被1keVAr+轟擊的n-Si（100）樣品表面電位譜數(shù)據(jù)，證明了該技術(shù)的適用性。