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近日，在西安·曲江國際會議中心舉辦的2024中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學(xué)會第二十七屆學(xué)術(shù)年會及展覽會（CPEEC & CPSSC 2024）已圓滿落幕。

先來了解一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識，看完傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝對比后再來了解封裝裝備，最后看看核心封裝設(shè)備的梳理。 下圖為工藝對比 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

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氧化物完整性是一個重要的可靠性問題，特別對于今天大規(guī)模集成電路的MOSFET器件， 其中氧化物厚度已經(jīng)縮放到幾個原子層。JEDEC 35標(biāo)準(zhǔn) (EIA/JE SD 35, Procedure for wafer-level Testing of Thin Dielectrics) 描述了通常用于監(jiān)測氧化物完整性的兩種晶圓級測試技術(shù)：電壓斜坡 (V-Ramp)和電流斜坡 (J-Ramp )。這兩種技術(shù)都為氧化物評估提供了快速反饋。

二極管（Diode）是一種常見的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路和設(shè)備中。

高功率半導(dǎo)體激光器在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，其廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、信息通信、醫(yī)療、生命科學(xué)等領(lǐng)域。然而，隨著輸出功率的不斷增加，高功率半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的熱量也在急劇上升，這對散熱管理提出了更高的要求。過渡熱沉封裝技術(shù)作為一種有效的散熱解決方案，已經(jīng)成為高功率半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)的關(guān)鍵。本文將詳細(xì)探討高功率半導(dǎo)體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)的研究現(xiàn)狀、技術(shù)

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能存在的晶體缺陷。

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估 ，并介紹其典型的應(yīng)用市場與安森美(onsemi)可提供的高新能產(chǎn)品選型。