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本文介紹了半導(dǎo)體工藝及設(shè)備中的封裝工藝和設(shè)備。

什么是靜電放電（ESD）lectro-StaticDischarge，是指在特定環(huán)境下，由于靜電的積累到達(dá)一定程度后，電荷以迅速釋放的方式恢復(fù)電平衡的現(xiàn)象。這種放電可能由接觸、摩擦或感應(yīng)等多種方式引發(fā)。ESD的特點(diǎn)是電荷積累時間長、放電電壓高、涉及電量少、電流小且作用時間極短。金鑒實驗室擁有先進(jìn)的設(shè)備和專業(yè)的團(tuán)隊，能夠為客戶提供全面的ESD測試服務(wù)，確保電子

摘要：在智能手機(jī)、TWS耳機(jī)、智能手表等熱門小型化消費(fèi)電子市場帶動下，SiP（System in a Package系統(tǒng)級封裝）迎來了更大的發(fā)展機(jī)會。根據(jù)Yole預(yù)計，2025年系統(tǒng)級封裝市場規(guī)模將達(dá)到188億美元，復(fù)合年增長率為6%。

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。

半導(dǎo)體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設(shè)計發(fā)展到晶圓級的尖端 3D 混合鍵合。這一進(jìn)步允許互連間距在個位數(shù)微米范圍內(nèi)，帶寬高達(dá) 1000 GB/s，同時保持高能效。先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的核心是 2.5D 封裝（其中組件并排放置在中介層上）和 3D 封裝（涉及垂直堆疊有源芯片）。這些技術(shù)對于 HPC 系統(tǒng)的未來至關(guān)重要。

隨著摩爾定律的放緩，半導(dǎo)體行業(yè)越來越多地采用芯片設(shè)計和異構(gòu)集成封裝來繼續(xù)推動性能的提高。這種方法是將大型硅芯片分割成多個較小的芯片，分別進(jìn)行設(shè)計、制造和優(yōu)化，然后再集成到單個封裝中。

DDR作為一種內(nèi)存技術(shù)正朝著更高性能、更低功耗的方向發(fā)展。應(yīng)用前景廣闊，將對半導(dǎo)體、計算機(jī)、汽車、新能源及各行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生影響巨大。

環(huán)氧粘接膠常用作集成電路粘接材料。在其固化過程中,經(jīng)常觀察到樹脂析出現(xiàn)象。樹脂析出物會沾污鍵合區(qū),帶來鍵合可靠性問題。本文利用接觸角的方法研究了樹脂析出的機(jī)理,討論了基板粗糙度和樹脂析出的關(guān)系,初步得出真空烘培對于樹脂析出有較大影響,而基板粗糙度和樹脂析出的嚴(yán)重程度無必然關(guān)聯(lián)。

隨著人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的快速發(fā)展,對計算能力的需求不斷增加。傳統(tǒng)的2D芯片設(shè)計方法在滿足這些性能需求方面已達(dá)到極限。使用2.5D硅中介層和3D封裝技術(shù)實現(xiàn)較小Chiplet的異構(gòu)集成,已成為解決這一挑戰(zhàn)的有效方法。

集成電路(IC)是由數(shù)億甚至數(shù)十億個晶體管組成，這些晶體管在硅晶圓上并行工作。但是這些晶體管若不能相互導(dǎo)通，它們就不能實現(xiàn)指定功能。而這些金屬互連(Metal Interconnect)電路像是血管，確保電子信號在不同組件之間的順利傳輸。金屬互連中介質(zhì)層(Dielectric layer)的作用，是防止不同金屬層間的電子遷移，將不同金屬層相互隔離，避免物質(zhì)之間的擴(kuò)散或滲透等。