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隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來，作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案，3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺。

氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨(dú)特的物理化學(xué)特性使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。

uSGT MOSFET的市場前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SGT-MOS嚴(yán)格意義上來說，在工藝上并沒有特別之處，只是在傳統(tǒng)溝槽MOSFET的工藝基礎(chǔ)上做結(jié)構(gòu)改進(jìn)，提升了元器件愛你的穩(wěn)定性、低損耗等性能而已。具體一點(diǎn)就是提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，降低了器件的特征導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。 如下圖，左邊的是傳統(tǒng)溝槽MOSFET的結(jié)構(gòu)，右圖是SGT-MOSFET的結(jié)構(gòu)圖。從圖中可以明顯看到，兩者結(jié)構(gòu)很接近，簡而言之

晶圓切割劃片技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其技術(shù)水平直接關(guān)聯(lián)到芯片的性能、良率及生產(chǎn)成本。

面對核心市場的下滑，意法半導(dǎo)體在電動汽車、AI數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域積極布局。短期陣痛之下，意法半導(dǎo)體如何為長期增長鋪路？ 2024年第三季度，意法半導(dǎo)體(ST)實(shí)現(xiàn)了32.5億美元的收入，位于預(yù)期區(qū)間的中位數(shù)，同比下降26.6%。意法半導(dǎo)體本季度毛利率為37.8%，與去年同期的47.6%相比有顯著下降，凈利潤為3.51億美元，同比下降約53%。 ▲圖源：ST Q3財報文件 ST的營收下降主要因工業(yè)和汽車市場需求減弱所致，尤其是工業(yè)市場同比減少超過50%，汽車市場

熱敏電阻器是一類對溫度感知靈敏的電子元件，其電阻值隨溫度變化而變化。根據(jù)溫度系數(shù)的不同，可以將熱敏電阻器分為正溫度系數(shù)熱敏電阻（PTC熱敏電阻）和負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻（NTC熱敏電阻）兩種類型。

半導(dǎo)體永遠(yuǎn)都是在圍繞摩爾定律(Moore's Law)，不僅有器件物理尺寸以及制程工藝上的微縮，還有后段金屬互連。對于下游應(yīng)用來說，影響芯片主要性能之一就是功耗，還有就是速度。功耗當(dāng)然就是要靠降低電壓和漏電流來解決，那速度呢?要么靠器件的驅(qū)動能力，要么靠減小 RC 延遲。尤其到了采用納米制程的 CPU 以及 AP 處理器時代，功耗和速度將是各家 Fab 的賣點(diǎn)。

雙極性晶體管（英語：bipolar transistor），全稱雙極性結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管，是一種具有三個引腳的電子元器件。

傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過在垂直方向上堆疊存儲單元，大幅提升了存儲密度。本文將簡要介紹3D-NAND浮柵晶體管。

在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中，MOS管無疑是最常用的電子元件之一。