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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）過去一年里，新能源汽車增長依然保持在高水平。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)，2024年，中國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7%和4.5%。而其中新能源汽車增幅最大，帶動了整體汽車銷量的行情。2024年新能源汽車產(chǎn)銷分別完成1288萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4%和35.5%，新能源汽車銷量已經(jīng)占到總銷量的40.9%，相比2023年提高了9個百分點。 ? 過去一年里，新能源汽車行業(yè)出現(xiàn)了多種新技術(shù)，比如

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）去年我們曾報道過緯湃科技的PCB嵌入功率芯片方案，這種方案能夠提供極佳的電氣性能，包括高壓絕緣性能、散熱性能、過電流能力等，都要比傳統(tǒng)封裝的功率模塊更好。 ? 而最近我們也發(fā)現(xiàn)Schweizer在更早前其實就已經(jīng)推出了名為P2的封裝方案，這個方案同樣是將功率半導(dǎo)體嵌入PCB中。他們在2023年開始與英飛凌合作開發(fā)，將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術(shù)，并應(yīng)用到電動汽車上。 ? P 2封裝的優(yōu)勢和應(yīng)用 ? 根據(jù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）2024年上半年，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，在這款產(chǎn)品上采用了最新的面向高開關(guān)性能的M3S工藝平臺（M3平臺還有另一個分支M3T，主要針對逆變器應(yīng)用）。M3系列工藝平臺延續(xù)了過去幾代產(chǎn)品上使用的平面型結(jié)構(gòu)，并實現(xiàn)了顯著的技術(shù)指標(biāo)提升。 圖源：安森美 ? SiC MOSFET采用溝槽型結(jié)構(gòu)能夠突破平面結(jié)構(gòu)的限制，進一步提高功率器件的功率密度，這在硅基MOSFET上已經(jīng)被廣泛驗證。安森美最近在官微上也正式宣布，

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）具身智能的概念近來火熱，AI與機器人的結(jié)合成為了下一個藍海市場，TrendForce預(yù)測2027年全球人形機器人市場產(chǎn)值有望超過20億美元，2024到2027年的復(fù)合年均增長率將高達154%。 ? 對于機器人來說電機是驅(qū)動的核心之一，驅(qū)動電機則需要MOSFET等功率開關(guān)元器件的支持，在機器人體積有限的空間內(nèi)，如何高效地實現(xiàn)電機驅(qū)動，是實現(xiàn)具身智能的關(guān)鍵之一。 ? 機器人領(lǐng)域48V 電源架構(gòu)成為主流 ? 隨著智能化和電氣化的需求，汽車

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在光伏發(fā)電系統(tǒng)中，光伏逆變器將光伏發(fā)電板所產(chǎn)生的直流電，轉(zhuǎn)化為可接入電網(wǎng)和提供給電器使用的交流電。近年來，得益于光伏發(fā)電等清潔能源的大規(guī)模應(yīng)用，逆變器市場呈現(xiàn)爆發(fā)增長的態(tài)勢。 ? 組串式逆變器正在占據(jù)主導(dǎo)地位 ? 根據(jù)賽迪顧問的報告，2023年中國逆變器市場規(guī)模達到248.9GW，同比增長136.1%，同時預(yù)計2024到2026年，逆變器市場復(fù)合增長率將達到44%。 ? 市場上常見的光伏逆變器可以分為集中式、組串式、

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地，進入試產(chǎn)階段。 ? 讓人沒想到的是，在8英寸碳化硅還遠未大規(guī)模落地時，12英寸碳化硅襯底就已經(jīng)悄然面世。 ? 天岳先進發(fā)布300mm 碳化硅襯底 ? 在上周的德國慕尼黑半導(dǎo)體展上，天岳先進發(fā)布了行業(yè)首款300mm（12英寸）碳化硅襯底。 圖源：天岳先進 ? 300mm碳化硅

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）剛剛過去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車市場進一步滲透的同時，數(shù)據(jù)中心電源、機器人、低空經(jīng)濟等應(yīng)用的火爆，也給第三代半導(dǎo)體行業(yè)帶來更大的未來增長空間。但與此同時，碳化硅產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了過去幾年的大規(guī)模擴產(chǎn)后，2024年大量產(chǎn)能落地，而需求增長不及預(yù)期，產(chǎn)業(yè)加速進入了淘汰賽階段。 ? 過去一年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)生了不少大事件，有并購，有技術(shù)突破，但

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）安森美在12月10日宣布，已經(jīng)與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。安森美預(yù)計交易將在2025年第一季度完成，同時這也意味著Qorvo即將退出SiC市場。 近幾年Qorvo在碳化硅領(lǐng)域推出不少具有亮點的新品，并且應(yīng)用涵蓋數(shù)據(jù)中心到電動汽車。今年一季度Qorvo的財報中還顯示，SiC功率器件產(chǎn)品已經(jīng)獲得來自AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的數(shù)百萬美元訂

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）數(shù)據(jù)中心在近年AI的浪潮中得到極大的發(fā)展，算力需求的膨脹帶動全球數(shù)據(jù)中心建設(shè)規(guī)模呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。而在數(shù)據(jù)中心數(shù)量增長的同時，也面臨著能源問題。 ? 如今大模型等AI應(yīng)用對算力的需求，推動了AI芯片算力不斷提高，與此同時帶來的是越來越高的功耗。單顆算力芯片的功耗，從過去的300W左右提升至如今的1000W，大功率AI芯片給數(shù)據(jù)中心帶來了更高的電源要求。 ? 所以在英偉達等廠商在積極提高AI芯片算力的同時，

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在燃油車時代，車載低壓電子系統(tǒng)上都沿用12V電壓，畢竟在很長時間里，車載電氣設(shè)備的功率都不大，12V電源足夠提供整車電氣設(shè)備的供電。 ? 但隨著汽車電氣化趨勢，包括混合動力、能量回收、發(fā)動機啟停等需求，用到了更多大功率負載的設(shè)備，令12V系統(tǒng)不堪重負。于是48V系統(tǒng)就順應(yīng)時代發(fā)展被引進汽車，最早是2011年歐洲多家車企聯(lián)合推出針對混動系統(tǒng)負載需求的48V系統(tǒng)。當(dāng)時，有48V系統(tǒng)是專為動力部分而設(shè)，其他車

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）2024年踏入最后一個季度，回顧過去一年的功率半導(dǎo)體市場，SiC依然是各大廠商最關(guān)注的領(lǐng)域。自2022年開始，市場上搭載SiC功率模塊的電動汽車開始涌現(xiàn)，經(jīng)過近兩年的發(fā)展，SiC在電動汽車領(lǐng)域的普及進度驚人，從過去30萬以上車型，已經(jīng)滲透至12萬左右的車型上。 ? SiC能夠在電動汽車領(lǐng)域快速普及，關(guān)鍵因素除了器件本身性能優(yōu)異外，還有產(chǎn)業(yè)鏈共同作用下的快速降本。自今年以來，SiC上游襯底價格開始下降，驅(qū)動下游

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近期GaN在OBC上的應(yīng)用方案開始陸續(xù)推出市場， 在一 月初，陽光電動力推出了一款全新的二合一OBC方案，采用GaN器件以及單級拓撲架構(gòu)，實現(xiàn)了超高功率密度和高充電效率。 ? 創(chuàng)新單級拓撲，6.1kW/L功率密度，96.2%全電壓充電效率 ? OBC一般集成了DC-DC和AC-DC功能，過去主流的OBC是采用PFC+DC/DC兩級式拓撲設(shè)計，因為需要經(jīng)過兩個階段的轉(zhuǎn)換，效率受到限制；其次是在電路上設(shè)計復(fù)雜，元器件數(shù)量多，導(dǎo)致體積和重量較高，同時

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）AI的需求帶動了數(shù)據(jù)中心的升級，高算力AI芯片帶來了更高的功率，以至于當(dāng)前數(shù)據(jù)中心整機柜的功率提升幅度也相當(dāng)驚人。納微半導(dǎo)體預(yù)測，2024年數(shù)據(jù)中心整機柜功率平均達到100kW，到2025年將提升至150kW，并繼續(xù)保持高增長至2027年可能將會達到360kW。 整機柜的功率提升，也對服務(wù)器電源提出了更高的要求，需要更高的功率密度和更高的轉(zhuǎn)換效率。納微在中國電源學(xué)會年會2024上，介紹了一種服務(wù)器電源方案，采用GaN H

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）去年7月，電子發(fā)燒友曾報道了天岳先進展示了一種采用新的SiC晶體制備技術(shù)——液相法制備的低缺陷8英寸晶體。在今年4月底的2023年度業(yè)績說明會上，天岳先進當(dāng)時表示“目前公司是僅少數(shù)企業(yè)正在從事液相法作為新技術(shù)的研發(fā)，但液相法是前沿技術(shù)，尚未實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)”。 ? 然而讓人意想不到的是，11月6日，天岳先進就宣布液相法制備的高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底成功向客戶交付的消息。這也意味著液相法制備

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式，就是擴大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后，繼續(xù)擴大晶圓尺寸仍面臨很多問題，不過對于比如碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體而言，它們還有提升空間。 ? 就在9月11日，英飛凌宣布率先開發(fā)出全球首項300 mm（12英寸）氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，英飛凌也成為了全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。 ? 推動功率氮

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）電力系統(tǒng)無處不在，近幾年隨著新能源汽車以及清潔能源、儲能等需求增長，功率器件受到了市場更多的關(guān)注。8月28至30日在深圳國際會展中心舉行的國際電力元件、可再生能源管理展會PCIM Asia2024上，眾多海內(nèi)外功率半導(dǎo)體廠商都展示出最新的技術(shù)和產(chǎn)品。在本次展會上，電子發(fā)燒友網(wǎng)探訪了東芝半導(dǎo)體的展臺，了解到東芝在大功率器件以及第三代半導(dǎo)體方面的新品和技術(shù)。 ? 大功率器件IEGT ? 東芝在這次展會上展出了其