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以SiC-MOSFET為代表的新一代功率器件，憑借超越傳統(tǒng)器件的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及高速開關(guān)特性，為顯著提升電力轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)系統(tǒng)小型化作出貢獻。然而，隨著芯片尺寸縮小，“功率密度（單位面積發(fā)熱量）”的增加不可避免，如何高效的將產(chǎn)生的熱量導(dǎo)入冷卻系統(tǒng)，成為充分釋放器件潛能的關(guān)鍵所在。

盡管寬禁帶技術(shù)正在崛起，但傳統(tǒng)的功率電子器件仍在持續(xù)進化并被廣泛應(yīng)用。憑借其出色的性價比、穩(wěn)定的供應(yīng)以及經(jīng)過實際驗證的可靠性，在小型化和輕量化無法帶來較大附加值的應(yīng)用場景中，一直是非常實用的選項。

戶外儲能電源對供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性越來越高，尤其是采用5串磷酸鐵鋰電池組的逆變模塊，對核心功率器件的性能都是有要求的。飛虹半導(dǎo)體推出的FHP1906V型號MOS管，不僅可代換IRFB7545PbF，更能匹配DC-DC升壓電路的設(shè)計，助力廠商打造穩(wěn)定高效的儲能電源產(chǎn)品。

云鎵半導(dǎo)體研究創(chuàng)新|云鎵半導(dǎo)體六篇研究成果被ISPSD2026錄用在剛剛結(jié)束的ISPSD2026征稿評比中，云鎵半導(dǎo)體（CloudSemi）在GaN和ICDSession的六篇投稿獲得組委會錄用接收，成為連續(xù)三年登陸ISPSD國際大舞臺的GaN中國公司（其中兩篇口頭報告），再次印證云鎵團隊的技術(shù)水平與創(chuàng)新能力，證明了中國的GaN初創(chuàng)企業(yè)的創(chuàng)新能力，具備超車國

安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)公布其2025年第四季度及全年財務(wù)業(yè)績。

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，正在電動汽車(EV)、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)一場深刻的革命。其卓越的高電壓、高頻率和高溫性能，使得功率電子系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)前所未有的效率和功率密度。然而，在釋放SiC巨大潛力的同時，我們必須正視其核心技術(shù)挑戰(zhàn)——柵極氧化層(Gate Oxide, GOX)的可靠性。對于尋求長期投資回報和穩(wěn)定產(chǎn)品供應(yīng)的投資者與客戶而言，理解這一風(fēng)險至關(guān)重要。

近日，聯(lián)想正式發(fā)布了旗下當(dāng)前周期內(nèi)規(guī)格最高的直板機型聯(lián)想 moto X70 Air Pro，堪稱一款“輕薄機身下的六邊形戰(zhàn)士”。這款產(chǎn)品選用芯導(dǎo)科技40V雙向GaN、MOSFET、TVS、ESD、SBD等二十余款產(chǎn)品，提供無線+有線充電防護、接口防護、過壓保護、電平轉(zhuǎn)換等功能。

隨著 AI 算力需求的爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心正面臨功率密度激增、能耗加劇及行業(yè)效率標(biāo)準(zhǔn)日趨嚴(yán)苛的多重考驗。作為功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商，安森美（onsemi）如何助力客戶突破能效瓶頸，以下通過安森美專家的核心回復(fù)，快速聚焦公司的技術(shù)核心、產(chǎn)品優(yōu)勢與未來布局。

芯干線自成立以來，深耕于功率半導(dǎo)體GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)、銷售和應(yīng)用技術(shù)服務(wù)。產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于海洋電子、移動出行、電動工具、低空飛行、消費電子、Ai算力等能源電力轉(zhuǎn)換與應(yīng)用領(lǐng)域。

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，杰平方半導(dǎo)體正式推出兩款1400V 碳化硅SiC MOSFET 新品，分別實現(xiàn) 40mΩ 和 80mΩ 的導(dǎo)通電阻，為 800V 及以上高壓應(yīng)用場景注入新的技術(shù)活力。這一新品的問世，不僅填補了傳統(tǒng) 1200V 與 1700V 之間的市場空白，更為正處于爆發(fā)前夜的 800V+ 汽車高壓平臺提供了兼顧性能與成本的最優(yōu)解。 ? 隨著近10年電動汽車的快速發(fā)展，電動汽車的電壓平臺也經(jīng)歷了多次升級。 ? 第一階段（2018-2022）：400V 平臺為主流，SiC 器件初步應(yīng)用于車載充電