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上海貝嶺自2018年戰(zhàn)略布局工控和儲(chǔ)能市場以來，持續(xù)深耕光伏儲(chǔ)能、伺服變頻、工業(yè)電源、BMS、電動(dòng)工具、電動(dòng)車等核心領(lǐng)域，致力于為客戶提供高性價(jià)比的半導(dǎo)體產(chǎn)品與系統(tǒng)解決方案。

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近多家車企推出的新車型搭載了全新的平臺(tái)，平臺(tái)電壓從過去的800V再次提升到900V甚至1000V。包括煥新極氪001和極氪7X上搭載了全棧900V高壓架構(gòu)，零跑D19純電版則搭載了全棧1000V架構(gòu)。 ? 近幾年在電動(dòng)汽車上，800V高壓平臺(tái)的普及進(jìn)展不斷加速。2022年，800V平臺(tái)還只被應(yīng)用在25萬以上車型上；到2023年，首次突破20萬大關(guān)，下沉至20萬以下價(jià)位；去年，廣汽埃安AION V率先突破15萬以下價(jià)位，實(shí)現(xiàn)800V+碳化硅的配置；而今年，零跑

在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢，在新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件，不僅提升了系統(tǒng)的功率密度和能效，還降低了損耗，引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的革新。作為 SiC 器件的“控制中樞”，驅(qū)動(dòng)芯片的性能直接決定著整個(gè)功率系統(tǒng)的穩(wěn)定性與能效。

概要/REPORT>>>近日，荷蘭政府凍結(jié)安世半導(dǎo)體控制權(quán)事件持續(xù)發(fā)酵。在這一背景下，國產(chǎn)半導(dǎo)體替代正當(dāng)時(shí)——江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司，產(chǎn)品線已覆蓋安世半導(dǎo)體的主流器件類型，為國內(nèi)客戶提供了可靠的國產(chǎn)替代方案。01薩瑞微實(shí)力雄厚的IDM企業(yè)PowerfulIDMenterprises薩瑞微電（完善產(chǎn)品矩陣，滿足多元需求）江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司成立于20

合作將支持快速增長的應(yīng)用市場，共同推廣 CGD 的可持續(xù)節(jié)能型 ICeGaN 技術(shù) 英國劍橋，2025 年 10 月 13 日 —— 無晶圓廠半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD） 13日宣布與領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工企業(yè)格芯（GlobalFoundries，簡稱 GF）達(dá)成合作伙伴關(guān)系。此次合作強(qiáng)化了 CGD 的無晶圓廠戰(zhàn)略，拓展了其 ICeGaN? 功率器件的供應(yīng)鏈。 CGD 的創(chuàng)新單芯片技術(shù)可與標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器兼容，并基于標(biāo)準(zhǔn)硅 CMOS 晶圓制造工藝。這意味著制造 GaN 晶圓無需專用工藝——通過利用 GF 的先進(jìn)

2025年9月，一場聚焦前沿技術(shù)的“碳化硅功率器件測試和應(yīng)用高級研修班”在蘇州圓滿落幕。本次盛會(huì)匯聚了全國各地的企業(yè)研發(fā)精英與測試工程師，共同探索第三代半導(dǎo)體的測試挑戰(zhàn)與行業(yè)未來。普源精電(RIGOL)受邀出席，攜核心解決方案與現(xiàn)場工程師展開深度交流，以硬核技術(shù)實(shí)力點(diǎn)燃全場熱情。

近日，亞洲電力電子領(lǐng)域年度盛會(huì) ——PCIM Asia Shanghai 2025，在上海新國際博覽中心盛大啟幕。

此前，9月24日至26日，安世半導(dǎo)體在PCIM Asia 2025精彩亮相，集中展示了一系列功率器件與IC產(chǎn)品組合、先進(jìn)封裝技術(shù)，以及覆蓋工業(yè)汽車與消費(fèi)電子領(lǐng)域的多元解決方案，為工程師突破設(shè)計(jì)瓶頸提供全面技術(shù)支持

9月24日至26日，揚(yáng)杰科技以多款重磅功率器件與系統(tǒng)解決方案，全面呈現(xiàn)我們在SiC、IGBT及先進(jìn)模塊領(lǐng)域的最新突破！我們不僅展示“耐高溫、高可靠性”的車規(guī)級產(chǎn)品，更帶來“高效微型化”的清潔能源產(chǎn)品，始終致力于“讓能源轉(zhuǎn)換更高效”，為每一度電的綠色未來賦能。

9 月 28 日消息，兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議，雙方將成為對方 SiC 功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商，未來客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計(jì)與采購的靈活性。 具體而言，羅姆將采用英飛凌的 2.3mm 標(biāo)準(zhǔn)高度 SiC 頂部散熱平臺(tái)；而英飛凌則將導(dǎo)入羅姆的半橋結(jié)構(gòu) SiC 模塊 "DOT-247" 并開發(fā)兼容封裝。 左：英飛凌