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近日，工業(yè)和信息化部公布了國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)名單，江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域長期積累的深厚技術(shù)底蘊(yùn)、持續(xù)的創(chuàng)新能力與穩(wěn)健的產(chǎn)業(yè)化成果，成功獲評(píng)國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)。無錫市新吳區(qū)給榮獲國家硬科技，國家專精特新的企業(yè)舉行頒獎(jiǎng)儀式。

結(jié)構(gòu)與工藝上，BTA12A沿用成熟的NPNPN五層硅結(jié)構(gòu)，搭載高精度P型對(duì)通擴(kuò)散隔離工藝與強(qiáng)化型臺(tái)面玻璃鈍化技術(shù)，搭配優(yōu)化后的背面多層金屬電極設(shè)計(jì)，在延續(xù)系列產(chǎn)品高換向穩(wěn)定性、強(qiáng)耐壓能力的基礎(chǔ)上，針對(duì)性提升了中功率區(qū)間的電流承載均勻性，能平穩(wěn)應(yīng)對(duì)電路中電壓電流的動(dòng)態(tài)波動(dòng)。

近日，教育部公布了2025年科學(xué)研究優(yōu)秀成果獎(jiǎng)（自然科學(xué)和工程技術(shù)）的授獎(jiǎng)名單。由巨霖科技（上海）有限公司、東南大學(xué)聯(lián)合申報(bào)的“寬禁帶功率半導(dǎo)體器件可靠性關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”項(xiàng)目，憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域底層物理算法創(chuàng)新與國產(chǎn)工業(yè)軟件領(lǐng)域的突破性成果，榮膺工程技術(shù)研究成果獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，孫家鑫董事長為主要完成人之一。

2025年，中國半導(dǎo)體行業(yè)在持續(xù)優(yōu)化與升級(jí)中展現(xiàn)出強(qiáng)勁的韌性與活力，整體發(fā)展態(tài)勢穩(wěn)步向好，創(chuàng)新動(dòng)能不斷積聚。以AI為代表的前沿領(lǐng)域增長迅猛，表現(xiàn)突出，積極拉動(dòng)了算力等相關(guān)板塊的協(xié)同發(fā)展。在AI算力爆發(fā)式增長的背后，高性能功率器件已成為其不可或缺的基石。它為計(jì)算核心提供穩(wěn)定、高效、精確的電能管理與分配，直接決定了算力集群的效能與可靠性，是AI基礎(chǔ)設(shè)施中最核心的支持器件。

當(dāng)時(shí)光來到2025年末，我們回望這不平凡的一年，那些并肩奮斗的日與夜，那些值得銘記的瞬間，都清晰如昨。

在功率器件國產(chǎn)化浪潮之下，MOS管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)化的“核心開關(guān)”，其自主可控與性能提升尤為重要。隨著電動(dòng)汽車、工業(yè)4.0、光伏儲(chǔ)能及高端消費(fèi)電子的飛速發(fā)展，市場對(duì)于高可靠性、高效率、高性價(jià)比的國產(chǎn)MOS管需求量呈爆發(fā)式增長。行業(yè)分析表明，我國已成為世界最大的功率器件消費(fèi)市場，國家政策的大力扶持為國產(chǎn)廠商帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。工程師在挑選國產(chǎn)MOS管

眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動(dòng)著對(duì)高性能功率器件的需求不斷增長，應(yīng)用場景日益多樣，這也給電源設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料，如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的采用，因其在效率、功率密度和可靠性方面的顯著優(yōu)勢，正助推著這一需求。

概要： 安森美（onsemi ） 與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達(dá)成全新合作協(xié)議，進(jìn)一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將共同研發(fā)并制造下一代氮化鎵（GaN）功率器件， 合作將從650V器件開始 。安森美該系列產(chǎn)品將結(jié)合格羅方德200毫米增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）工藝，以及自身行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動(dòng)器、控制器和強(qiáng)化散熱封裝技術(shù)，為AI數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等應(yīng)用場景，提供更小、更高能效的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。 新聞要點(diǎn)

安森美 (onsemi) 的垂直氮化鎵 (vGaN) 晶體管是新一代功率器件，能夠以高頻率處理極高電壓， 效率顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的硅芯片。 這項(xiàng)技術(shù)在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。 安森美的這個(gè)先進(jìn)設(shè)施占地 66,000 平方英尺， 配備了潔凈室和高度專業(yè)化工具， 專門用于 vGaN 技術(shù)的研發(fā)。 安森美已實(shí)現(xiàn)vGaN技術(shù)的規(guī)模化量產(chǎn) 目前市面上的 GaN 器件通常采用橫向結(jié)構(gòu)， 即 GaN 層生長在硅或藍(lán)寶石襯底上。 而垂直 GaN 器件的 GaN 層則生長在 GaN 襯底上。這種垂直設(shè)計(jì)允許電流直接穿過

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直GaN的GaN層生長在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直GaN創(chuàng)新：vGaN支持高電壓和高頻率運(yùn)行，效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠