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標(biāo)簽 > 二極管

二極管

二極管

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二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。

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二極管技術(shù)

MOSFET的失效機(jī)理:什么是雪崩失效

MOSFET的失效機(jī)理:什么是雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...

2023-02-13 標(biāo)簽:二極管MOSFET失效機(jī)理 3.5k 0

GaN FET在汽車電子高頻變壓器設(shè)計(jì)實(shí)例

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當(dāng)前的消費(fèi)者對(duì)于續(xù)航里程、充電時(shí)間和性價(jià)比等問(wèn)題越來(lái)越關(guān)注,為了加快電動(dòng)汽車(EV)的采用,全球的汽車制造商都迫切需要增加電池容量、縮短充電時(shí)間,同時(shí)確...

2020-12-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車二極管逆變器 3.5k 0

一種簡(jiǎn)單的模擬接觸開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)

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  在學(xué)習(xí)了一段時(shí)間的電路知識(shí)后,相信很多朋友都希望能夠親自動(dòng)手制作電路。但是由于知識(shí)與經(jīng)驗(yàn)的限制,過(guò)于復(fù)雜的設(shè)計(jì)并不適合初學(xué)者動(dòng)手,一些較為簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)...

2016-04-20 標(biāo)簽:繼電器二極管開(kāi)關(guān)電路 3.4k 0

干貨 | 看完本篇,讓你花最短的時(shí)間搞懂二極管鉗位電路!

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我們工作中會(huì)遇到很多種電路,今天來(lái)說(shuō)說(shuō)讓你少走彎路的3類二極管鉗位電路。所謂鉗位,就是把輸入電壓變成峰值鉗制在某一預(yù)定的電平上的輸出電壓,而不改變信號(hào)。...

2023-10-08 標(biāo)簽:二極管鉗位電路 3.4k 0

一文詳解半導(dǎo)體二極管

一文詳解半導(dǎo)體二極管

將PN結(jié)封裝,引出兩個(gè)電極,就構(gòu)成了二極管。

2023-03-21 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電極 3.4k 0

突變和超突變變?nèi)荻O管的基礎(chǔ)知識(shí)

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突變變?nèi)荻O管是更常用的變?nèi)荻O管形式。由于結(jié)的突然性受摻雜濃度和輪廓的控制,因此在制造過(guò)程中會(huì)受到控制。對(duì)于突發(fā)變?nèi)荻O管,摻雜濃度保持恒定,即盡可能...

2024-01-30 標(biāo)簽:二極管濾波器變?nèi)荻O管 3.4k 0

如何選擇ESD和TVS二極管:關(guān)鍵參數(shù)與應(yīng)用場(chǎng)景解析

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在電路設(shè)計(jì)中,ESD(靜電放電)和TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管是保護(hù)敏感電子元件的關(guān)鍵器件。盡管兩者功能類似,但其應(yīng)用場(chǎng)景和性能特點(diǎn)存在顯著差異。作為現(xiàn)...

2025-02-13 標(biāo)簽:二極管ESDTVS 3.4k 0

浪涌電壓保護(hù)注意事項(xiàng)

不受管理的浪涌電壓可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)中斷或損壞,甚至對(duì)用戶和操作員造成危險(xiǎn)。浪涌保護(hù)裝置 (SPD),也稱為瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS),通常用于通過(guò)限制或阻...

2023-03-31 標(biāo)簽:二極管電阻器TVS 3.4k 0

開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生EMC電磁干擾的原因及控制技術(shù)

開(kāi)關(guān)電源首先將工頻交流整流為直流,再逆變?yōu)楦哳l,最后經(jīng)過(guò)整流濾波電路輸出,得到穩(wěn)定的直流電壓,因此自身含有大量的諧波干擾。同時(shí),由于變壓器的漏感和輸出二...

2023-05-04 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電源散熱器 3.4k 0

e絡(luò)盟宣布新增高溫IHLD系列雙片電感器

e絡(luò)盟全球無(wú)源元件產(chǎn)品線總監(jiān)JesperRasmussen表示:“我們很高興能夠成為首個(gè)供應(yīng)威世全新系列電感器的平臺(tái),它進(jìn)一步豐富了我們的產(chǎn)品庫(kù)存,從而...

2019-08-04 標(biāo)簽:傳感器二極管無(wú)源器件 3.4k 0

TVS二極管選型需要掌握的動(dòng)態(tài)電阻RDYN的計(jì)算方法

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動(dòng)態(tài)電阻RDYN是當(dāng)TVS二極管隨著反向電壓增加而發(fā)生反向擊穿時(shí),反向擊穿電壓VBR和鉗位電壓VC之間的VF-IF曲線的電流斜率。那么為什么需要關(guān)注并計(jì)...

2024-05-13 標(biāo)簽:二極管TVS二極管選型 3.4k 0

TVS的特性、參數(shù)及選用方法

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電壓及電流的瞬態(tài)干擾是造成電子電路及設(shè)備損壞的主要原因,常給人們帶來(lái)無(wú)法估量的損失。 這些干擾通常來(lái)自于電力設(shè)備的起停操作、交流電網(wǎng)的不穩(wěn)定、雷電干擾及...

2023-12-08 標(biāo)簽:二極管TVS穩(wěn)壓管 3.4k 0

肖特基二極管的反向恢復(fù)過(guò)程

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SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基勢(shì)壘二極管的縮寫。

2023-04-06 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電壓 3.4k 0

利用低電平信號(hào)提供良好的CMR所需的線性光學(xué)隔離特性

利用低電平信號(hào)提供良好的CMR所需的線性光學(xué)隔離特性

Q2的輸出電流由U2-D、按R6 / R5指定的1000:1(60 dB)比率進(jìn)一步放大,并由LED /光電晶體管對(duì)U3-D耦合。將U3-B置于U2-D...

2018-06-29 標(biāo)簽:放大器二極管晶體管 3.4k 0

LED燈的調(diào)光與應(yīng)用

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眾所周知,LED具有良好的調(diào)光性能,“LED的調(diào)光特性是其亮點(diǎn)之一”。

2023-07-04 標(biāo)簽:二極管led燈電位器 3.4k 0

電路的無(wú)源元件有哪些

無(wú)源元件是指在電路中不具有放大作用的元件,主要包括電阻、電感和電容。

2023-12-13 標(biāo)簽:二極管晶體管電磁感應(yīng) 3.4k 0

使用整流管的單電子管收音機(jī)電路圖

使用整流管的單電子管收音機(jī)電路圖

八十年前的這個(gè)月,1941年4月發(fā)行的《大眾科學(xué)》展示了這種新穎的小單電子管接收器。盡管它基本上是一個(gè)晶體裝置,但由于它使用25Z5整流管來(lái)代替晶體,因...

2023-12-03 標(biāo)簽:二極管電路圖收音機(jī) 3.4k 0

高精度小微穩(wěn)壓的詳細(xì)資料講解

高精度小微穩(wěn)壓的詳細(xì)資料講解

下圖復(fù)合三極管的輸出電壓U是下管E結(jié)導(dǎo)通壓降減去C結(jié)壓降與上管E結(jié)壓降的并聯(lián)值,U=Vbea-(Vbca//Vbeb),當(dāng)Isc《

2021-01-23 標(biāo)簽:三極管二極管PN結(jié) 3.4k 0

如何判斷二極管的工作狀態(tài)

二極管是一種半導(dǎo)體器件,它具有單向?qū)щ娦裕粗辉试S電流從正極流向負(fù)極,而不允許從負(fù)極流向正極。在電子電路中,二極管被廣泛應(yīng)用于整流、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制...

2024-09-06 標(biāo)簽:二極管電流半導(dǎo)體器件 3.4k 0

二極管邏輯電路的工作原理

二極管邏輯電路(Diode Logic Circuit)是一種使用晶體二極管作為操作開(kāi)關(guān)的邏輯電路,它在數(shù)字電子電路中扮演著重要角色。

2024-08-27 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體邏輯電路 3.4k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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