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標(biāo)簽 > 二極管
二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
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設(shè)計用于在非標(biāo)準(zhǔn)工作期間保護(hù)MAX2140的內(nèi)部ESD二極管
MAX2140 SDARS接收器在熱插拔工作期間（接通或斷電）時可能會遇到內(nèi)部ESD二極管故障，這不是本器件的標(biāo)準(zhǔn)操作。雖然這在許多應(yīng)用中都可能發(fā)生，但...
由FET四通道和二極管環(huán)組成的無源雙平衡混頻器可用作蜂窩基站收發(fā)器中的上變頻器或下變頻器。通過集成緩沖放大器和FET或二極管混頻器內(nèi)核，實現(xiàn)了需要低電平...
當(dāng)變?nèi)荻O管Vtune電壓降至3.9V以下時，會遇到寄生振蕩。此時加載的諧振電路Q值非常低，振蕩器隨后找到一條Q值非常高的寄生諧振路徑。該路徑通常是串聯(lián)...
二極管是電子電路中必不可少的電子元器件之一，也是模擬電路中的重要組件之一，也是模擬電路工程師重點關(guān)注并需要了解其特點及分類的電子器件。所以本文將談?wù)劙雽?dǎo)...
在一些應(yīng)用中，需要對信號幅值進(jìn)行處理。本篇文章介紹下基于二極管的限幅電路。
在Buck開關(guān)中,常使用N-MOS管作為功率開關(guān)管。相比于P-MOS,N-MOS具有導(dǎo)通電阻低價格便宜且流過電流較大等優(yōu)勢。在同步結(jié)構(gòu)中對于開關(guān)管的使用...
2023-03-02 標(biāo)簽：二極管BUCK開關(guān)穩(wěn)壓器 9.7k 0
謂自舉電容，通俗點說就是自己舉起自己的電壓，它是利用電容兩端電壓不能突變的特點實現(xiàn)電壓升高。
開通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計，不需要計算。為了計算 IGBT 的總功率損耗，須將這三個能量之和乘以開關(guān)頻率。
首先，要區(qū)分同步和非同步的概念。通俗一點：在應(yīng)用中上管和下管都有場效應(yīng)管的就是同步的。只有一個上管的開關(guān)就是非同步的，因為在非同步電源中，下管是一個二極...
在主回路中，串聯(lián)一個二極管，是利用二極管的單向?qū)щ姷奶匦裕瑢崿F(xiàn)了簡單可靠的低成本防反接功能電路。這種低成本方案一般在小電流的場合，類似小玩具等。
今天小川給大家分享是發(fā)光二極管的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。好的，言歸正傳。咱們今天的內(nèi)容馬上開始。
今天小川給大家分享是變?nèi)荻O管應(yīng)用的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
關(guān)于硬件設(shè)計非常基礎(chǔ)的60個問題
半導(dǎo)體業(yè)界通常使用“半節(jié)距”、“物理柵長（ MOS管柵極的長度）”和“結(jié)深”等參數(shù)來描述芯片的集成度，這些參數(shù)越小，芯片的集成度越高。
ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開關(guān)，采用無引腳、表貼封裝。
2023-02-28 標(biāo)簽：二極管電源電壓SPDT開關(guān) 1.8k 0
肖特基二極管的好壞可以通過測量其飽和電流和飽和電壓來判斷。飽和電流是指在飽和電壓下，二極管的電流值；飽和電壓是指在飽和電流下，二極管的電壓值。如果這兩個...
穩(wěn)壓二極管的工作狀態(tài) 測量穩(wěn)壓二極管的方法
穩(wěn)壓二極管是一種用特殊工藝制造而成的面結(jié)型硅半導(dǎo)體二極管，它的外形、內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管相似，正常工作時應(yīng)加反向電壓。穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用...
2023-02-28 標(biāo)簽：二極管穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓管 4.2k 0
在邏輯電路上的應(yīng)用 光電耦合器可以構(gòu)成各種邏輯電路，由于光電耦合器的抗干擾性能和隔離性能比晶體管好，因此，由它構(gòu)成的邏輯電路更可靠。 作為固體開關(guān)應(yīng)用 ...
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑...
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個數(shù)量級以上，因此不會立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能...
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