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標(biāo)簽 > 體二極管

體二極管

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體二極管技術(shù)

介紹一個(gè)使用單個(gè)MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路

介紹一個(gè)使用單個(gè)MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路

我們?nèi)粘9ぷ髦袝?huì)經(jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景,尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換,或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求

2023-10-02 標(biāo)簽:處理器MOS管體二極管 2.9k 0

MOS管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路,開(kāi)光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn),習(xí)慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFE...

2023-07-23 標(biāo)簽:MOSFETBUCKMOS管 2.8k 0

森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較...

2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETMOS體二極管 2.7k 1

500V平面MOS在高速電吹風(fēng)筒上有何應(yīng)用?

500V平面MOS在高速電吹風(fēng)筒上有何應(yīng)用?

高速電吹風(fēng)筒是指使用了BLDC電機(jī),轉(zhuǎn)速在10萬(wàn)轉(zhuǎn)/分鐘以上的吹風(fēng)機(jī),此類(lèi)吹風(fēng)機(jī)采用的直流無(wú)刷電機(jī)馬達(dá),具有轉(zhuǎn)速高、體積小、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),在外觀方面高速...

2023-08-15 標(biāo)簽:MOS管BLDC電機(jī)體二極管 2.7k 0

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:MOSFET的反向恢復(fù)特性對(duì)于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:MOSFET的反向恢復(fù)特性對(duì)于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在LLC轉(zhuǎn)換器中,如果偏離預(yù)期的諧振條件,MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會(huì)引發(fā)直通電流,這可能會(huì)造成開(kāi)關(guān)損耗增加,最壞的情況下可能會(huì)...

2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 2.7k 0

支持多種工作模式的同步整流芯片U7116介紹

同步整流芯片U7116是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開(kāi)關(guān),可以在 GaN 系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。

2023-12-14 標(biāo)簽:變壓器DCM體二極管 2.6k 0

MOS管為什么很容易失效?MOS管有哪些失效?

在電子元件中,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOS管)是獨(dú)特且重要,然而相比其他元件,MOS管很容易失效,導(dǎo)致電路無(wú)法正常運(yùn)行,因此工程師必須查找原因...

2024-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管靜電放電 2.6k 0

如何用MOS管實(shí)現(xiàn)防反接電路以及降壓電路呢?

如何用MOS管實(shí)現(xiàn)防反接電路以及降壓電路呢?

在我們?nèi)粘4蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中,基本上所有的電子元件都是用的直流電,因此當(dāng)我們的電源線插反時(shí),極易容易燒壞電子產(chǎn)品。

2023-09-26 標(biāo)簽:MOS管降壓電路輸出電壓 2.5k 0

SiC-MOSFET體二極管的特性說(shuō)明

SiC-MOSFET體二極管的特性說(shuō)明

上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說(shuō)明。如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFE...

2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 2.5k 0

單節(jié)鋰電池保護(hù)解決方案(2)

單節(jié)鋰電池保護(hù)解決方案(2)

引言:上節(jié)(傳送門(mén):CSS-1:?jiǎn)喂?jié)鋰電池保護(hù)解決方案-1)簡(jiǎn)單講解了PCM在充放電過(guò)程中的運(yùn)行過(guò)程,對(duì)于一個(gè)鋰電池組的PCM設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),不僅僅需要滿足法...

2023-06-12 標(biāo)簽:鋰電池電池管理MOSFET 2.4k 0

SGTMOS在電動(dòng)二三輪車(chē)上有哪些應(yīng)用呢?

SGTMOS在電動(dòng)二三輪車(chē)上有哪些應(yīng)用呢?

近年來(lái),隨著新國(guó)標(biāo)的施行以及平衡車(chē)、滑板車(chē)、共享電單車(chē)等新應(yīng)用場(chǎng)景的出現(xiàn),促使電動(dòng)二三輪車(chē)市場(chǎng)迎來(lái)了新的發(fā)展熱潮。

2023-08-24 標(biāo)簽:蓄電池電動(dòng)車(chē)bms 2.4k 0

功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

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在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極...

2024-02-23 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率MOSFET 2.4k 0

影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的因素有哪些?

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碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開(kāi)關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 2.3k 0

碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。

2023-08-12 標(biāo)簽:MOSFET電源模塊SiC 2.3k 0

ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介和常見(jiàn)問(wèn)題解答

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ARK(方舟微)研發(fā)銷(xiāo)售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...

2023-11-07 標(biāo)簽:ESDMOSFETJFET 2.1k 0

驅(qū)動(dòng)芯片在PSU電源系統(tǒng)應(yīng)用中有哪些問(wèn)題?如何解決?

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通信電源PSU在通訊設(shè)備中擔(dān)任著很重要的角色,PSU問(wèn)題將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)通訊設(shè)備無(wú)法正常運(yùn)作。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)芯片濾波電容器 2k 0

介紹直流開(kāi)關(guān)電源中的buck電路

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Buck、Boost、Buck-Boost作為直流開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用廣泛的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),屬于非隔離的直流變換器。

2023-06-09 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源濾波電容直流變換器 1.8k 0

帶有快速體二極管的MOSFET器件通過(guò)LLC拓?fù)浜虵REDFET來(lái)提高效率

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2023-12-08 標(biāo)簽:MOSFETLLC體二極管 1.8k 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)

因此,在PSFB電路中,需要使用trr小的MOSFET。簡(jiǎn)言之,trr越小越有效。市場(chǎng)上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET,但制造商和產(chǎn)品系列不...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 1.4k 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎?

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎?

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 1.3k 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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