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標簽 > 內(nèi)存模塊
內(nèi)存模塊 (Memory Module)是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個記憶體芯片chips,而這內(nèi)存芯片通常是DRAM芯片。
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三星推出LPCAMM規(guī)格內(nèi)存模組:面積縮小60%、能效提高70%
三星表示,該存儲器的速度為7.5gbps,并得到了英特爾平臺的系統(tǒng)認證。到目前為止,筆記本電腦使用so-dimm內(nèi)存模塊,其性能和其他物理特性一直受到限...
實際上,Schnell去年為戴爾創(chuàng)建了最初的 CAMM(或壓縮附加內(nèi)存模塊)設(shè)計。JEDEC 的 CAMM 標準將基于該 CAMM 設(shè)計,但隨著公司的敲...
SMART Modular世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊
隸屬SGH(Nasdaq:SGH) 控股集團的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技(“SMART”)宣布推出16GB和3...
隸屬SGH (Nasdaq: SGH) 控股集團的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出全新C...
三星計劃在2023年初推出32Gb DDR5內(nèi)存芯片
“32Gb DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm工藝節(jié)點上開發(fā),并計劃在明年初推出,”三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron C...
看似簡單的過孔通常也會給電路的設(shè)計帶來很大的負面效應(yīng)
無論從成本和信號質(zhì)量的觀點出發(fā),選擇孔的大小合理的大小。比如對6-10層的內(nèi)存模塊PCB設(shè)計來說的話,選用10/20Mil(鉆孔/焊盤)的過孔較好,對于...
Cadence公司發(fā)布了關(guān)于即將發(fā)布的DDR5市場版本以及技術(shù)的進展
JEDEC還沒有正式發(fā)布DDR5規(guī)范,但是DRAM制造商和SoC設(shè)計人員正在全力準備DDR5的發(fā)布。Cadence公司早在2018年就對這項新技術(shù)進行了...
替代G579桔紅色導(dǎo)熱硅膠片-高可壓縮性且柔軟有彈性
導(dǎo)熱硅膠片TIF148SG-30-25E系列是填充發(fā)熱器件和散熱片或金屬底座之間的空氣間隙,它們的柔性、彈性特征使其能夠用于覆蓋非常不平整的表面。熱量從...
具有3200 MHz原生速率的DDR4內(nèi)存模塊將于7月7日推出
日本著名存儲設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊,具有3,200 MHz的原生速率。
宇瞻科技(Apacer)日前宣布開發(fā)了一款專為旗下單板計算機 (SBC) 量身設(shè)計的強固型內(nèi)存模塊
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