臺(tái)灣地區(qū)DRAM內(nèi)存產(chǎn)能受地震影響停止報(bào)價(jià)

報(bào)告顯示，美光在臺(tái)灣擁有豐富的產(chǎn)能布局，包含位于新北林口及臺(tái)中的工廠，主要生產(chǎn)尖端的 1-beta 內(nèi)存產(chǎn)品以及預(yù)定將陸續(xù)推出的 1-gamma 制程內(nèi)存。

2024-04-07 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存制程 1.2k 0

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存硬剛 就算面臨重重困難也一直堅(jiān)持

12 月 25 日訊，中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，一家就占了全球市場(chǎng)份額的 1/3，2018 年進(jìn)口芯片價(jià)值 3120 億美元，其中存儲(chǔ)芯片就占了 12...

2019-12-31 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存 1.2k 0

結(jié)構(gòu)體成員的順序會(huì)影響結(jié)構(gòu)體的大小嗎

相同的結(jié)構(gòu)體成員，如果把順序調(diào)整一下，會(huì)不會(huì)影響結(jié)構(gòu)體的大??？ 答案是會(huì)的，這主要跟字節(jié)對(duì)齊有關(guān)。 比如這樣的結(jié)構(gòu)體，前面兩個(gè)是 char 類型，后面跟...

2024-11-25 標(biāo)簽：內(nèi)存結(jié)構(gòu)體 1.2k 0

東芝試產(chǎn)符合UFS 3.0標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存存儲(chǔ)方案 主要將面向手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備

東芝日前正式宣布，公司已經(jīng)開(kāi)始正式試產(chǎn)符合 UFS 3.0 標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存存儲(chǔ)方案，該方案主要將面向智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備。

2019-01-24 標(biāo)簽：東芝存儲(chǔ)內(nèi)存 1.2k 0

談存儲(chǔ)芯片的演進(jìn)之路

從NoC的角度來(lái)看，我覺(jué)得有趣的是，你必須優(yōu)化這些路徑，從處理器到NoC，通過(guò)控制器訪問(wèn)內(nèi)存接口，可能通過(guò)UCIe將一個(gè)芯片傳遞給另一個(gè)芯片，然后芯片中有內(nèi)存。

2024-01-24 標(biāo)簽：控制器內(nèi)存eda 1.1k 0

突破性能瓶頸，實(shí)現(xiàn)CPU與內(nèi)存高性能互連

2022-12-01 標(biāo)簽：cpu內(nèi)存PCIe 1.1k 0

DDR5內(nèi)存價(jià)格下跌，是短期回調(diào)還是趨勢(shì)反轉(zhuǎn)？

4月28日消息，國(guó)內(nèi)16GB DDR5 SODIMM內(nèi)存套件價(jià)格大幅跳水，從1759元降至1159元，較今年2月下跌34%，創(chuàng)今年價(jià)格新低。去年同期，同...

2026-05-09 標(biāo)簽：內(nèi)存DDR5 1.1k 0

行動(dòng)式內(nèi)存第三季或?qū)⒊制?，分離式行動(dòng)內(nèi)存價(jià)格或?qū)⑿q

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，第二季行動(dòng)式內(nèi)存合約價(jià)持續(xù)受到第一季非市場(chǎng)因素的影響，報(bào)價(jià)普遍趨于保守，漲價(jià)幅度低于其...

2018-06-25 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存 1.1k 0

技嘉Z890鈦雕主板以DDR5-12762MHz登頂內(nèi)存超頻之巔 重寫(xiě)性能天花板

2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級(jí)超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過(guò)采用XPG 龍耀 D500...

2025-04-03 標(biāo)簽：主板內(nèi)存DDR5 1.1k 0

英特爾傲騰持久內(nèi)存助力移動(dòng)云應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛內(nèi)存挑戰(zhàn)

在數(shù)字化創(chuàng)新快速發(fā)展的今天，海量數(shù)據(jù)加速處理與分析需求激增，以高性能、低時(shí)延為特征的 Redis 等內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)開(kāi)始在各行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。 Redis 作...

2022-07-08 標(biāo)簽：英特爾DRAM內(nèi)存 1.1k 0

DRAM和NAND Flash價(jià)格呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢(shì)，內(nèi)存和SSD產(chǎn)品有望迎來(lái)降價(jià)浪潮

據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報(bào)告顯示，本應(yīng)該是購(gòu)物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購(gòu)價(jià)均呈現(xiàn)...

2018-10-11 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 1.1k 0

IBM開(kāi)發(fā)新芯片為AI提速：消除片外內(nèi)存，靈感來(lái)自大腦

IBM研發(fā)的北極點(diǎn)（NorthPole）處理器芯片可避開(kāi)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器，提高計(jì)算能力，節(jié)約能源。 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞的IBM研究人員開(kāi)發(fā)了一種以大腦...

2023-10-23 標(biāo)簽：芯片內(nèi)存AI 1.1k 0

宜鼎推出業(yè)界首款寬溫超矮版工控內(nèi)存，積極搶攻5G時(shí)代網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備商機(jī)

全球工業(yè)與嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商宜鼎國(guó)際（innodisk），近一年除布局物聯(lián)網(wǎng)外，還加大對(duì)5G網(wǎng)絡(luò)基建的研發(fā)投入，于今日推出業(yè)界首款「寬溫超矮版工控...

2018-06-25 標(biāo)簽：內(nèi)存5G 1.1k 0

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存克服了NAND閃存的局限性 因而勢(shì)必會(huì)取而代之

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)內(nèi)存 1.1k 0

香港裸機(jī)云多IP服務(wù)器都有哪些配置?

香港裸機(jī)云多IP服務(wù)器是一種高效、靈活的云計(jì)算服務(wù)，為用戶提供了多IP地址的配置選項(xiàng)，以滿足各種復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)需求。這種服務(wù)器在配置上具有豐富的多樣性和高度...

2024-04-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)服務(wù)器內(nèi)存 1.1k 0