AMD內(nèi)存準(zhǔn)備進(jìn)入零售市場(chǎng)

AMD在自有品牌內(nèi)存獲得OEM市場(chǎng)認(rèn)可之后，現(xiàn)在準(zhǔn)備將AMD品牌內(nèi)存推向零售市場(chǎng)。AMD品牌內(nèi)存針對(duì)零售市場(chǎng)有三個(gè)型號(hào)，其中AMD Entertainm...

2011-11-28 標(biāo)簽：AMD內(nèi)存 781 0

Ultrabook引爆輕薄大戰(zhàn) 內(nèi)存技術(shù)另類發(fā)展趨勢(shì)

英特爾推出Ultrabook之后，被業(yè)界視為最有壓倒平板電腦的實(shí)力，不僅相關(guān)供應(yīng)鏈進(jìn)入備戰(zhàn)狀態(tài),在先有MacBook Air主打固態(tài)硬盤(SSD)之下，...

2011-11-15 標(biāo)簽：內(nèi)存Ultrabook 721 0

μC/OS-II實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)內(nèi)存管理的改進(jìn)

μC/OS-II是一種開放源碼的實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，筆者在分析使用中發(fā)現(xiàn)，內(nèi)核在任務(wù)管理(包括任務(wù)調(diào)度、任務(wù)間的通信與同步)和中斷管理上是比較完善的，具有可以...

2011-11-01 標(biāo)簽：內(nèi)存μC/OS-II實(shí)時(shí)操作系統(tǒng) 1k 0

三星與美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星目前正聯(lián)合競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackable memory)芯片技術(shù)過渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運(yùn)行速度。 三星和美...

2011-10-10 標(biāo)簽：芯片三星電子內(nèi)存 720 0

FeTRAM內(nèi)存技術(shù)可以節(jié)省99%的能源

普渡大學(xué)Birck 納米 技術(shù)研究中心的研究人員最近表示，一種新的鐵電晶體管隨機(jī)存取記憶體FeTRAM可以實(shí)現(xiàn)更快的非易失性存儲(chǔ)，同時(shí)還可以減少99%的...

2011-09-28 標(biāo)簽：內(nèi)存FeTRAM 879 0

蘋果采購日本內(nèi)存芯片 減少對(duì)三星依賴

據(jù)科技網(wǎng)站報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士稱， 蘋果 公司從日本購買的DRAM和NAND閃存量大幅增加，主要來源為東芝和Elpida Memory公司。之前有報(bào)道稱，蘋果...

2011-09-25 標(biāo)簽：芯片三星電子蘋果 1.1k 0

Apacer新型態(tài)DDR3服務(wù)器內(nèi)存模塊

宇瞻科技推出高容量16GB的新型態(tài)DDR3-1333低負(fù)載服務(wù)器內(nèi)存模塊(Load Reduced Dual In-Lane Memory Module...

2011-09-22 標(biāo)簽：DDR3服務(wù)器內(nèi)存 968 0

宇瞻科技新推DDR3-1333服務(wù)器專用內(nèi)存模塊

宇瞻科技此款最新推出的DDR3-1333低負(fù)載服務(wù)器專用內(nèi)存模塊，可支持DDR3標(biāo)準(zhǔn)1.5V電壓外，亦可以在業(yè)界最低的1.35V電壓運(yùn)作。

2011-09-21 標(biāo)簽：DDR3內(nèi)存宇瞻科技 3.5k 0

AMD進(jìn)軍內(nèi)存市場(chǎng)無意義

由于日前在一些市場(chǎng)上出現(xiàn)了印有AMD標(biāo)志的內(nèi)存產(chǎn)品。所以有人開始認(rèn)為AMD方面會(huì)借助其3A平臺(tái)切入存儲(chǔ)市場(chǎng)。不過近日，AMD官方正式做出回應(yīng)，表示只是在...

2011-08-16 標(biāo)簽：AMD內(nèi)存 443 0

新MacBook Air有望內(nèi)存擴(kuò)至4GB硬盤容量加倍

蘋果新的系統(tǒng)Mac OS X Lion即將上市，除了之前報(bào)道的處理器邁入i系列之外，今日國外媒體又爆料新MacBook Air將會(huì)把內(nèi)存擴(kuò)至4GB，而硬...

2011-07-16 標(biāo)簽：硬盤內(nèi)存MacBook Air 2.4k 0

ARM內(nèi)存邊界對(duì)齊以及sizeof問題

默認(rèn)情況下，在32位cpu里，gcc對(duì)于結(jié)構(gòu)體的對(duì)齊方式是按照四個(gè)字節(jié)來對(duì)齊的。

2011-06-16 標(biāo)簽：ARM內(nèi)存邊界對(duì)齊 3.3k 0

三星電子率先量產(chǎn)32GB DDR3內(nèi)存模組

三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級(jí)4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊

2011-06-01 標(biāo)簽：DDR3三星電子內(nèi)存 3.2k 0

Laker定制數(shù)字繞線器實(shí)現(xiàn)高效能低功耗內(nèi)存設(shè)計(jì)

SpringSoft宣布，其Laker定制版圖自動(dòng)化系統(tǒng)與Laker定制數(shù)字繞線器更深入普及于內(nèi)存芯片市場(chǎng)，成功地滿足新一代設(shè)計(jì)的高效能、低功耗需求。

2011-04-13 標(biāo)簽：內(nèi)存低功耗Laker 1.5k 0

華邦針對(duì)SiP市場(chǎng)推出32bit SDR/DDR利基型內(nèi)存

華邦電子針對(duì)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)市場(chǎng)，推出最新65奈米制程32bit帶寬 32M / 64Mb SDR / DDR 利基型內(nèi)存

2011-04-07 標(biāo)簽：SiPDDR內(nèi)存 1.9k 0

嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫引擎的設(shè)計(jì)

隨著內(nèi)存技術(shù)的高速發(fā)展，內(nèi)存數(shù)據(jù)庫技術(shù)日益成熟，在非實(shí)時(shí)系統(tǒng)中也得到了廣泛的應(yīng)用。

2011-03-26 標(biāo)簽：嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫引擎 1.4k 0

Gartner預(yù)測(cè)2011年十大策略性科技

　　Gartner預(yù)測(cè)的2011年十大策略性科技如下： 　　1. 云端運(yùn)算 　　云端運(yùn)算服務(wù)項(xiàng)目范圍極廣，從開放的公共云端到閉鎖的私有云端均屬此類。...

2010-12-01 標(biāo)簽：視頻云計(jì)算內(nèi)存 702 0

主板配置與內(nèi)存的關(guān)系

　　 或許您已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，內(nèi)存模塊在主機(jī)體上的配置對(duì)系統(tǒng)性能表現(xiàn)有直接的影響。由于區(qū)域內(nèi)存必須儲(chǔ)存中央處理器所需的所有數(shù)據(jù)，內(nèi)存以及中央處理器間數(shù)據(jù)

2010-09-15 標(biāo)簽：主板內(nèi)存 989 0

預(yù)估未來三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

預(yù)估未來三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升     DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)...

2010-04-19 標(biāo)簽：內(nèi)存 535 0