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標(biāo)簽 > 刻蝕機(jī)
刻蝕機(jī)是一種用于電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，于2012年5月14日啟用，在半導(dǎo)體和線路板制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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引言 化合物半導(dǎo)體處理通常使用高密度等離子體蝕刻來建立通孔金屬接觸，該通孔金屬接觸通常在諸如金(Au)的惰性金屬上停止。蝕刻工藝可以從正面或背面穿過襯底...
我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗(yàn)，評價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面...
本文研究了一種優(yōu)化的食人魚(h2o2：h2so4)混合物，該混合物用于去除高度交聯(lián)并加熱到高溫(~250°C)，由于強(qiáng)烈的化學(xué)蝕刻工藝，這些混合物的蝕刻...
用于蝕刻沖洗和干燥MEMS晶片的最佳工藝條件實(shí)驗(yàn)報(bào)告
本研究通過我們?nèi)A林科納對使用液體二氧化碳和超臨界二氧化碳進(jìn)行蝕刻和沖洗工藝的各種實(shí)驗(yàn)結(jié)果，選擇合適的共溶劑，獲得最佳的工藝條件，以提高工藝效率和生產(chǎn)率。...
2022-02-08 標(biāo)簽：顯微鏡微機(jī)電系統(tǒng)MEMS傳感 1.6k 0
關(guān)于HF與HNO3混合物中硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理研究報(bào)告
介紹 本文通過詳細(xì)的動(dòng)力學(xué)研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后，我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫...
關(guān)于玻璃濕法蝕刻的研究報(bào)告—江蘇華林科納半導(dǎo)體
引言 器件材料需要具有耐化學(xué)性高、耐熱性高、電絕緣性高、生物相容性好、光學(xué)躍遷范圍大和光吸收低等有趣的特性。在微機(jī)電系統(tǒng)器件制造中，玻璃是僅次于硅的第二...
關(guān)于砷化鎵晶片的濕式化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告
引言 外延片或所謂的外延片是一種通過外延生長生產(chǎn)的材料，商業(yè)上可用于許多不同的電子應(yīng)用。外延晶片可以由單一材料(單晶晶片)和/或多種材料(異質(zhì)晶片)制成...
關(guān)于氧化鋅半導(dǎo)體在酸溶液中的濕刻蝕研究
引言 氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體由于在低沉積溫度下具有高電子遷移率，非常適用于有機(jī)發(fā)光二極管器件。其作為一種新的半導(dǎo)體層取代了薄膜晶體管中使用的非晶硅半導(dǎo)體...
摘要 丁二烯、氫和氬的三元混合物在平行板等離子體反應(yīng)器中沉積了類金剛石碳膜。這些薄膜的蝕刻量為02，cf4/02等離子體放電。推導(dǎo)出了沉積氣體混合物的組...
刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。光刻機(jī)的精度和難度的要求都比刻蝕機(jī)高出很多，在需要光刻機(jī)加工的時(shí)候刻蝕機(jī)有些不能辦到，并且刻蝕機(jī)的精度十分籠統(tǒng)，而光刻機(jī)對精度的要...
Si和Ge的濕式化學(xué)刻蝕—蘇州華林科納半導(dǎo)體
介紹 在本研究中，我們使用不同的濕化學(xué)蝕刻條件來蝕刻硅、鍺和硅鍺，并將硅鍺蝕刻速率數(shù)據(jù)擴(kuò)展到鍺摩爾分?jǐn)?shù)在20%和100%之間。比較了三種情況下的刻蝕速率...
尹志堯揭秘：中微是怎么從初創(chuàng)公司，做到全球領(lǐng)先的刻蝕機(jī)大廠
9月15日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司創(chuàng)始人、董事長、總經(jīng)理尹志堯在某活動(dòng)中探討如何打造高質(zhì)量、有競爭力的半導(dǎo)體設(shè)備公司時(shí)，表示目前半導(dǎo)體公司的設(shè)備...
2021-09-16 標(biāo)簽：中微半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備刻蝕機(jī) 6.2k 0
中微上半年凈利潤3.97億元！5nm以下刻蝕機(jī)已獲批量訂單
8月24日，中微公司發(fā)布2021年半年度業(yè)績報(bào)告。報(bào)告顯示，公司2021年上半年?duì)I業(yè)收入約13.39億元，同比增加36.82%；歸母凈利潤3.97億元，...
中微半導(dǎo)體：“中國芯”的進(jìn)程已經(jīng)達(dá)到14nm大量生產(chǎn)，7nm即將進(jìn)入生產(chǎn)的水平
截至目前，中微公司已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備 5 大供應(yīng)商之一，擁有1755 項(xiàng)專利，并且其自主研發(fā)的5nm刻蝕機(jī)已經(jīng)正式應(yīng)用于臺積電5nm生產(chǎn)線，3n...
2021-04-29 標(biāo)簽：集成電路中微半導(dǎo)體刻蝕機(jī) 9.1k 0
微公司透露：公司研發(fā)的等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入客戶的5nm生產(chǎn)線
近日，微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯透露，公司研發(fā)的等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入客戶的5nm生產(chǎn)線。 尹志堯表示，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65...
刻蝕機(jī)國產(chǎn)化率迅速提升，長江存儲2020年達(dá)30%
目前，北方華創(chuàng)的刻蝕設(shè)備已經(jīng)覆蓋集成電路、LED、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體、MEMS微機(jī)電系統(tǒng)、化合物半導(dǎo)體、硅基微顯、分析儀器、功率器件、光通信器件等多個(gè)...
北方華創(chuàng)ICP刻蝕機(jī)交付突破1000腔
北方華創(chuàng)（Naura）官方宣布，ICP等離子刻蝕機(jī)第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行，NAURA刻蝕機(jī)研發(fā)團(tuán)隊(duì)見證了這一歷史性時(shí)刻。 北方華創(chuàng)表...
2020-12-11 標(biāo)簽：ICP北方華創(chuàng)刻蝕機(jī) 4.3k 0
慶祝！北方華創(chuàng)ICP刻蝕機(jī)交付已突破1000腔
北方華創(chuàng)（Naura）官方宣布，ICP等離子刻蝕機(jī)第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行，NAURA刻蝕機(jī)研發(fā)團(tuán)隊(duì)見證了這一歷史性時(shí)刻。
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