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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
增強(qiáng)型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管有什么區(qū)別?
場效應(yīng)管中,隨著Ugs的增加,在靠近二氧化硅絕緣體的P型襯底表面缺少多子,形成了耗盡層。
2023-02-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管FET 5.1k 0
達(dá)林頓晶體管,這是一種高增益的雙極型功率晶體管,其實(shí)質(zhì)是由兩只或更多晶體管復(fù)合組成的達(dá)林頓或超a對(darlington pair或Pmultip丨丨e...
2023-02-19 標(biāo)簽:晶體管達(dá)林頓晶體管高增益 1.0萬 0
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。
這意味著A 類放大器配置是理想的工作模式,因?yàn)榧词乖谪?fù)半周期內(nèi),輸出波形也不會有交越或關(guān)斷失真。A 類功率放大器輸出級可以使用單個功率晶體管或連接在一起...
SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
近年來超級結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開...
電源的基本設(shè)計(jì)模型,包括了整流器和負(fù)載器件,以及串聯(lián)在一起的控制元件。圖 1 是串行調(diào)整電源的簡化電路圖,它包括了作為電源開關(guān)的相位控制預(yù)調(diào)整器,串聯(lián)在...
到20世紀(jì)中葉,電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅,提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機(jī)實(shí)現(xiàn)的制冷,...
基于構(gòu)建的運(yùn)算放大器 NE5532 和一對功率晶體管 TIP41A / TIP42A,該音頻放大器電路能夠向 8 歐姆揚(yáng)聲器提供高達(dá) 10W 的音頻功率輸出。
2022-06-17 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器NE5532功率晶體管 9.2k 0
利用2N2219A設(shè)計(jì)的1.5瓦FM發(fā)射器電路
這是一個使用功率晶體管2N2219A的簡單、精心設(shè)計(jì)的1.5瓦FM發(fā)射器電路。該電路應(yīng)該能夠覆蓋1-2公里范圍。它使用+5-30V電源工作。
這是發(fā)射功率輸出高達(dá)15W的遠(yuǎn)程FM發(fā)射器。這款15W調(diào)頻發(fā)射器使用功率晶體管BLY88C作為主發(fā)射放大器。
2022-06-09 標(biāo)簽:發(fā)射器調(diào)頻發(fā)射器功率晶體管 4.4k 0
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