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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Silic...
新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,...
2010-11-09 標(biāo)簽:功率MOSFET 2.2k 0
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源的整流組件
2011-01-13 標(biāo)簽:功率MOSFET 2.1k 0
Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率M...
Vishay發(fā)布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率...
威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB
Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
最小導(dǎo)通電阻!瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
功率MOSFET是專門針對(duì)解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較,功率MO...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
意法半導(dǎo)體推出航天級(jí)功率MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運(yùn)載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET...
2011-06-15 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 1.9k 0
TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低,比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%,同時(shí),使終端系統(tǒng)功耗得以降...
BD9B500MUV 功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器文檔介紹
BD9B500MUV是內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。最大可輸出5A的電流。采用輕負(fù)載時(shí)進(jìn)行低消耗動(dòng)作的獨(dú)有恒定時(shí)間控制方式...
2025-10-05 標(biāo)簽:功率MOSFET同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 1.9k 0
Microsemi推出RF功率MOSFET產(chǎn)品DRF1400
美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線,推出了DRF1400功率MOSFET。
超越期望,引領(lǐng)控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET
引言: 在現(xiàn)代高效能系統(tǒng)中,功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色,它們是實(shí)現(xiàn)低功耗、高效率和精確控制的關(guān)鍵元件。為滿足不斷發(fā)展的市場(chǎng)需求,我們推出了全新...
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量 用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?..
2010-04-24 標(biāo)簽:功率MOSFET 1.7k 0
Vishay推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET
近日,全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊...
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ,最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域?yàn)橹行牡?、輸入電?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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