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標(biāo)簽 > 器件
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繼電器也稱電驛,是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路),通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中,它實(shí)際上是用較小的電流去控制較...
板子莫名其妙就不能進(jìn)行調(diào)試了;燒錄芯片經(jīng)常出現(xiàn)壞片;良品率太低;是芯片太過(guò)脆弱還是我們的操作不當(dāng),我想大家或多或少遇到過(guò)這樣的問(wèn)題;對(duì)于開(kāi)發(fā)者來(lái)說(shuō),雖然...
2022-01-01 標(biāo)簽:芯片開(kāi)發(fā)板器件 2.0萬(wàn) 0
變壓器是通過(guò)電磁感應(yīng)原理傳輸電能和信號(hào)的器件,它具有變壓、變流、變阻抗、隔離的作用,種類繁多應(yīng)用廣泛。 變壓器工作原理 運(yùn)用電流的磁效應(yīng)基本定律將一個(gè)額...
最近,中科院微電子研究所劉明院士、李泠研究員團(tuán)隊(duì)在先進(jìn)邏輯工藝可靠性問(wèn)題的緊湊模型取得最新研究成果,此研究成果以題為“A Unified Physica...
2021-07-28 標(biāo)簽:器件 1.2萬(wàn) 0
BTA12A/BTB12A可控硅深度解析:中功率場(chǎng)景全能器件
結(jié)構(gòu)與工藝上,BTA12A沿用成熟的NPNPN五層硅結(jié)構(gòu),搭載高精度P型對(duì)通擴(kuò)散隔離工藝與強(qiáng)化型臺(tái)面玻璃鈍化技術(shù),搭配優(yōu)化后的背面多層金屬電極設(shè)計(jì),在延...
1當(dāng)一早客戶又要求改程序的時(shí)候工程師的腦海里是...2當(dāng)突然從領(lǐng)導(dǎo)那得知被安排接手離職同事的項(xiàng)目時(shí)..
碲鎘汞高工作溫度紅外探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)及當(dāng)前碲鎘汞HOT器件的發(fā)展現(xiàn)狀
因此,在保證碲鎘汞紅外探測(cè)器性能的前提下提高探測(cè)器組件的工作溫度,可以兼顧紅外系統(tǒng)小尺寸、低功耗、低成本、高靈敏度和高響應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn),是目前新一代紅外焦...
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
版本更新 | Cadence SPB Release 22.1新功能介紹
一、OrCADCapture在OrCADCaptureandOrCADCaptureCIS22.1中,增加了UnifiedComponentInform...
半導(dǎo)體所等在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新進(jìn)展
深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域,國(guó)際水俁公約的提出,促使深紫外LED的全面應(yīng)用更是迫在眉睫,但是商業(yè)化深紫外LED不到10%的外...
淺談通信設(shè)備用光電子器件可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)GR-468(上)
GR-468針對(duì)的是電信級(jí)應(yīng)用的長(zhǎng)壽命光電子器件。涉及激光器、發(fā)光二極管LED、探測(cè)器、EML電吸收調(diào)制器及其他外調(diào)制器等。該標(biāo)準(zhǔn)是為這些器件能夠有20...
淺談實(shí)現(xiàn)GW+realtime BSE方法—給出單層MoS2材料激子動(dòng)力學(xué)的運(yùn)用領(lǐng)域
以石墨烯、TMD等材料為代表的二維材料的性質(zhì)與三維塊體材料迥異,為一系列新奇的物理現(xiàn)象提供了平臺(tái)。
米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)策
搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開(kāi)關(guān)延時(shí)不說(shuō),還可能引起寄生導(dǎo)通,增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的,我們又該如何應(yīng)對(duì)...
.XT”是個(gè)啥以及.XT技術(shù)對(duì)器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c)的提升及其影響
英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200V SiC MOSFET SMD系列產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm,覆...
在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
大家好,這節(jié)繼續(xù)給大家展示幾種不同類型器件的焊接,也會(huì)把在焊接過(guò)程的一些注意事項(xiàng)告訴大家,希望對(duì)大家的焊接技術(shù)有所幫助。 焊接的器件是一個(gè)五引腳緩沖器件...
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