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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

IGBT的G極電壓影響因素、測量方法及應(yīng)用

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種電力電子器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的優(yōu)點(diǎn)。IGBT在許多領(lǐng)域中...

2024-07-25 標(biāo)簽：電壓 IGBT 電子器件 2.3k 0

IGBT是什么驅(qū)動(dòng)型器件

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體...

2024-01-22 標(biāo)簽：IGBT 場效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 2.3k 0

柵極驅(qū)動(dòng)芯片怎么提高電流

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mos驅(qū)動(dòng)芯片需關(guān)注的參數(shù)有哪些

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2024-07-14 標(biāo)簽：集成電路 MOS 場效應(yīng)晶體管 2.3k 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

近期，美國南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：充電器晶體管場效應(yīng)晶體管 2.3k 0

FET晶體管電路設(shè)計(jì)參數(shù)

與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。

2024-01-09 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶體管場效應(yīng)晶體管 2.2k 0

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（M...

2024-04-10 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 SiC 2.2k 0

半導(dǎo)體光刻工藝光刻—半導(dǎo)體電路的繪制

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。

2023-07-27 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 2.2k 0

如何選擇場效應(yīng)晶體管

在選擇場效應(yīng)晶體管（FET）時(shí)，需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求，同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場效應(yīng)晶體管的指南...

2024-09-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 2.1k 0

結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別

結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）和N溝道場效應(yīng)晶體管（N-Channel Field-...

2024-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 JFET 晶體管 2.1k 0

mos驅(qū)動(dòng)芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因

MOS驅(qū)動(dòng)芯片，也稱為MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的集成電路。 MOSFET簡介 MOSFET是一種...

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單相逆變電路的類型有哪些

單相逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)控制、可再生能源等領(lǐng)域。單相逆變電路的類型單相逆變電路按照不同的分...

2024-07-08 標(biāo)簽：電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管逆變電路 2.1k 0

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美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。這款第六代 600V SJ MOSFE...

2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體服務(wù)器場效應(yīng)晶體管 2.1k 0

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HMC554ALC3B是一種通用的雙平衡無引線RoHS兼容無引線芯片載體（LCC）中的混頻器可以用作上變頻器或下變頻器的封裝。

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172A、100V參數(shù)的MOS管更適合PD電源使用！

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高壓大電流DMOS外延區(qū)電阻率設(shè)計(jì)

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2023-07-07 標(biāo)簽：開關(guān)電源斬波器逆變器 2k 0

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EDA探索之新型垂直互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管（CFET）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

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