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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場效應(yīng)晶體管 920 0
據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解,美國政府正考慮深化對華出口管制措施,旨在阻礙中國獲取先進(jìn)的全柵場效應(yīng)晶體管(GAA)技術(shù)及高帶寬存儲器(HBM)技術(shù)...
2024-06-12 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管HBMGAA 883 0
用于實(shí)時(shí)監(jiān)測流動水中毒素的可擴(kuò)展石墨烯傳感器陣列
飲用水的風(fēng)險(xiǎn)管理通常需要對流動水中的各種毒素進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測。
2023-07-18 標(biāo)簽:電容器FET場效應(yīng)晶體管 874 0
PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù),在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的各個方面,從外延生長到晶...
2023-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電壓場效應(yīng)晶體管 709 0
深入解析BSS138 N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
深入解析BSS138 N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 在電子工程師的日常工作中,場效應(yīng)晶體管(FET)是不可或缺的元件,它們廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。...
2026-05-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管BSS138低電壓低電流應(yīng)用 218 0
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