臺(tái)系MOSFET芯片供應(yīng)商指出，由于外商仍主導(dǎo)MOSFET芯片價(jià)格走勢(shì)，臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司寧可先搶市占率，不敢輕易跟漲芯片報(bào)價(jià)，包括英飛凌(Infineo...

2018-04-17 標(biāo)簽：mosfetdramic 2.1k 0

科學(xué)家開發(fā)“記憶晶體管” 存儲(chǔ)器和信息處理功能兩不誤

計(jì)算機(jī)有單獨(dú)的處理和存儲(chǔ)單元，而大腦使用神經(jīng)元來執(zhí)行這兩種功能。據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，憑借憶阻器和晶體管的組合特性，該新型器件包含多個(gè)端子，能像神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)...

2018-06-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 1.3k 0

科學(xué)家研發(fā)擁有自愈能力的相變存儲(chǔ)器

耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲(chǔ)技術(shù)更具實(shí)用性和可行性。 近年來，相變存儲(chǔ)器...

2018-06-13 標(biāo)簽：相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器 2k 0

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)，填補(bǔ)我國主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白

位于武漢“中國光谷”的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識(shí)...

2018-06-20 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器閃存芯片 2.6k 0

一種基于相變存儲(chǔ)器的3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù)，速度將是現(xiàn)在的1000倍

據(jù)報(bào)道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長繆向水及其團(tuán)隊(duì)正在研制一款基于相變存儲(chǔ)器的3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù)。他估計(jì)，在這項(xiàng)技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度...

2018-06-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 2.5k 0

武漢國家存儲(chǔ)器基地3D NAND量產(chǎn)日期指日可待

在國家存儲(chǔ)器基地，有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解，目前，他們正在進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，預(yù)計(jì)2018年4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備，力爭(zhēng)三季度量產(chǎn)。

2018-03-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器華星光電3dnand 2.4k 0

美光新加坡興建第3工廠，欲搶占NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)...

2018-06-11 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器美光 1.4k 0

浙江大學(xué)教授研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲(chǔ)器

近日，浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院教授趙毅課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲(chǔ)器。這項(xiàng)基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度...

2018-05-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 2.3k 0

美光：看好存儲(chǔ)器市場(chǎng)，至少可望一路好到2021年

存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）22日在美國召開分析師大會(huì)，美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，存儲(chǔ)器市場(chǎng)已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型，以智能型手機(jī)為中心的...

2018-06-28 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器美光 1.3k 0

國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商競(jìng)爭(zhēng)激烈不斷擴(kuò)產(chǎn)，三星半導(dǎo)體寶座恐坐不久

全球市場(chǎng)調(diào)查公司顧能（Gartner）最新研究報(bào)告指出，三星2017年擠下英特爾，成為全球最大的半導(dǎo)體制造商，但隨著大陸存儲(chǔ)器廠大幅擴(kuò)產(chǎn)，存儲(chǔ)器價(jià)格將...

2018-06-28 標(biāo)簽：三星電子存儲(chǔ)器 1k 0

2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)的大事件回顧

2017年中國存儲(chǔ)器市場(chǎng)總的一句話概括就是 創(chuàng)新、合作、競(jìng)爭(zhēng)、智能。我們一起來回顧下2017年存儲(chǔ)器領(lǐng)域都發(fā)生過哪些大事件。

2018-02-12 標(biāo)簽：nand三星電子存儲(chǔ)器 3.5k 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格居高不下，三星中國西安NAND Flash工廠擴(kuò)建計(jì)劃持續(xù)進(jìn)行

在當(dāng)前NandFlash存儲(chǔ)器仍舊供不應(yīng)求，市場(chǎng)價(jià)格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲(chǔ)器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動(dòng)...

2018-07-03 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲(chǔ)器 1.3k 0

內(nèi)存芯片的需求強(qiáng)勁，三星“樂觀”的財(cái)報(bào)背后存儲(chǔ)器是主力

據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周五公布了2018年第一季度初步財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，該公司第一季度的利潤高于分析師預(yù)期，主要原因是市場(chǎng)對(duì)其內(nèi)存芯片的需求依然強(qiáng)勁，...

2018-07-09 標(biāo)簽：三星電子存儲(chǔ)器內(nèi)存 693 0

2018年存儲(chǔ)器市場(chǎng)分析，存儲(chǔ)器價(jià)格慢慢趨于平穩(wěn)

受惠于北美數(shù)據(jù)中心建案推動(dòng)，從2017年下半以來服務(wù)器存儲(chǔ)器供貨持續(xù)吃緊，盡管2018年第1季漲幅已見趨緩，但市場(chǎng)價(jià)格仍維持高檔，預(yù)計(jì)2018年上半整...

2018-07-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 2k 0

清華微電子所聯(lián)手廈門：打造成研發(fā)一體的項(xiàng)目，共同研發(fā)新型存儲(chǔ)器

近日，廈門邀請(qǐng)國內(nèi)權(quán)威的學(xué)術(shù)界專家和業(yè)界高管召開廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)工研院項(xiàng)目專家評(píng)審會(huì)，該項(xiàng)目在會(huì)上順利通過專家評(píng)審。

2018-07-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 1.1k 0

上半年開出產(chǎn)能并不多，DRAM持續(xù)缺貨漲價(jià)

人工智能（AI）、云端運(yùn)算對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)掀起翻天覆地的變化，分析人士預(yù)估，上半年DRAM供給將持續(xù)吃緊，而NAND型快閃存儲(chǔ)器近期雖將供給過剩，但供給會(huì)...

2018-07-09 標(biāo)簽：閃存DRAM存儲(chǔ)器 517 0

FRAM 或是目前選用存儲(chǔ)器的最佳選擇

選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性，以...

2018-06-02 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器單芯片fram 1.5萬 0

SIA公布因存儲(chǔ)器漲幅大 2017半導(dǎo)體銷售破新紀(jì)錄

近日SIA公布2017 年半導(dǎo)體銷售記錄，據(jù)悉因存儲(chǔ)器成長幅度達(dá)61.5%，推動(dòng)了半導(dǎo)體銷售破新紀(jì)錄，年增 21.6% 至 4，122 億美元，改寫年度新高。

2018-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)器 1.4k 0